Дефектоутворення в МДП структурах на основі кремнію з домішкою ітербію

  • Ходжакбар С. Далієв Філія ФДБУ «Національний дослідницький університет МПЕІ», Ташкент, Узбекистан https://orcid.org/0000-0002-2164-6797
  • Шаріфа Б. Утамурадова Інститут фізики напівпровідників та мікроелектроніки Національного університету Узбекистану, Ташкент, Узбекистан https://orcid.org/0000-0002-1718-1122
  • Джонібек Дж. Хамдамов Інститут фізики напівпровідників та мікроелектроніки Національного університету Узбекистану, Ташкент, Узбекистан https://orcid.org/0000-0003-2728-3832
  • Мансур Б. Бекмуратов Інститут фізики напівпровідників та мікроелектроніки Національного університету Узбекистану, Ташкент, Узбекистан https://orcid.org/0009-0006-3061-1568
  • Оралбай Н. Юсупов Нукуський державний педагогічний інститут імені Аджиніяза, Нукус, Узбекистан https://orcid.org/0009-0005-8419-2293
  • Шахрійор Б. Норкулов Інститут фізики напівпровідників та мікроелектроніки Національного університету Узбекистану, Ташкент, Узбекистан https://orcid.org/0000-0002-2171-4884
  • Хусніддін Дж. Матчонов Інститут фізики напівпровідників та мікроелектроніки Національного університету Узбекистану, Ташкент, Узбекистан https://orcid.org/0000-0002-8697-5591
DOI: https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-4-33
Ключові слова: кремній, підкладка, домішка, рідкоземельний елемент, дифузія, допінг, ітербій, МДП структура

Анотація

Методами нестаціонарної ємнісної спектроскопії глибоких рівнів досліджено характеристики кремнієвих МДП-структур з домішкою ітербію. Встановлено, що присутність атомів ітербію в об’ємі кремнієвої підкладки призводить до зсуву вольт-фарадних характеристик у бік позитивних напруг зміщення та зменшення густини Nss поверхневих станів МДП-структур. Показано, що цей ефект залежить від концентрації атомів ітербію в кремнієвій підкладці досліджуваних структур. У МДП-структурах на основі Si<Yb> виявляється один глибокий рівень з енергією іонізації Ec-0,32 еВ.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

V.G. Litovchenko, and A.P. Gorban, Fundamentals of Physics of Microelectronic Metal-Semiconductor Systems, (Kyiv, 1978). (in Russian)

S.B. Utamuradova, S.Kh. Daliev, E.M. Naurzalieva, and X.Yu. Utemuratova, “Investigation of Defect Formation in Silicon Doped with Silver and Gadolinium Impurities by Raman Scattering Spectroscopy,” East Eur. J. Phys. (3), 430 (2023), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-47

V.F. Kiselev, and S.N. Kozlov, Fundamentals of solid surface physics, (Mir, Moscow, 1999). (in Russian)

Sh.B. Utamuradova, Kh.J. Matchonov, J.J. Khamdamov, and Kh.Y. Utemuratova, “X-ray diffraction study of the phase state of silicon single crystals doped with manganese,” New Materials, Compounds and Applications, 7(2), 93-99 (2023). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/NMCA/v7n2/Utamuradova_et_al.pdf

Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliyev, K.M. Fayzullayev, D.A. Rakhmanov, and J.Sh. Zarifbayev, “Raman spectroscopy of defects in silicon doped with chromium atoms,” New Materials, Compounds and Applications, 7(1), 37-43 (2023). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/NMCA/V7N1/Utamuradova_et_al.pdf

Y. Nishioka, E. F. Da Silva, Jr., Y. Wang, and T.-P. Ma, “Dramatic Improvement of Hot-Electron-Induced Interface Degradation in MOS Structures Containing F or CI in SiO2,” IEEE Electron Device Letters, 9(1), 38–40 (1988). https://doi.org/10.1109/55.20406

K.S. Daliev, S.B. Utamuradova, J.J. Khamdamov, and M.B. Bekmuratov, “Structural properties of silicon doped rare earth elements ytterbium,” East Eur. J. Phys. (1), 375–379 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-37

K.S. Daliev, S.B. Utamuradova, A. Khaitbaev, J.J. Khamdamov, S.B. Norkulov, and M.B. Bekmuratov, “Defective Structure of Silicon Doped with Dysprosium,” East Eur. J. Phys. (2), 283-287 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-30

S.B. Utamuradova, S.K. Daliev, A.K. Khaitbaev, J.J. Khamdamov, K.J. Matchonov, and X.Y. Utemuratova, “Research of the Impact of Silicon Doping with Holmium on its Structure and Properties Using Raman Scattering Spectroscopy Methods,” East Eur. J. Phys. (2), 274-278 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-28

S.B. Utamuradova, K.S. Daliev, A.I. Khaitbaev, J.J. Khamdamov, J.S. Zarifbayev, and B.S. Alikulov, “Defect Structure of Silicon Doped with Erbium,” East Eur. J. Phys. (2), 288-292 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-31

K.S. Daliev, S.B. Utamuradova, J.J. Khamdamov, and Z.E. Bahronkulov, “Morphology of the Surface of Silicon Doped with Lutetium,” East Eur. J. Phys. (2), 304-308 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-34

V.V. Emtsev, V.V. Emtsev (Jr.), D.S. Poloskin, N.A. Sobolev, E.I. Shek, J. Mikhel, and L.S. Kimerling, “Impurity centers in silicon doped with rare-earth impurities dysprosium, holmium, erbium and ytterbium,” FTP, 33(6), 649-651 (1999). https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/3576. (in Russian)

C. Xiao, J. Blundell, F. Hagelberg, and W.A. Lester Jr. “Silicon clusters doped with an yttrium metal atom impurity,” International Journal of Quantum Chemistry, 96(4), 416–425 (2004). https://doi.org/10.1002/qua.10735

Y.B. Andree, G.G. Bondarenko, A.A. Stolyarov, D.S. Basyutin, and A.M. Mikhal’ko, “Influence of High_Field Electron Injection Regimes on Modification of Dielectric Films of MOS DeYb ice,” Inorganic Materials: Applied Research, 1(2), 105–109 (2010).

Charge-Coupled Devices (Topics in Applied Physics), edited by D.F. Barb, (Springer-Verlag, 1980).

S. Gomes, and J. Ziane, “Investigation of electrical degradation of a metal-oxide-silicon structure by scanning thermal microscopy,” Solid-State Electronics, 47, 919-922 (2003). https://doi.org/10.1016/S0038-1101(02)00451-3

Y. Khlifi, K. Kassmi, A. Aziz, F. Olivie, G. Sarrabayrouse, and A. Martinez, “Ionizing Radiation Effect on the Electrical Properties of Metal/Oxide/Semiconductor Structures,” M. J. Condensed Matter, 6(1), 20-26 (2005). https://doi.org/10.34874/PRSM.mjcm-vol6iss0.132

H.S. Daliev, A.A. Lebedev, and V. Ekke, “Effect of heat treatment on the density of radiation defects in the dielectric and on the surface of the semiconductor of silicon MIS structures,” FTP, 21(5), 836-841 (1987).

H.S. Daliev, A.A. Lebedev, and V. Ekke, “Study of electrophysical properties of silicon MIS structures irradiated with γ-quanta in the presence of an electric field in the dielectric,” FTP, 21(1), 23-29 (1987).

K.P. Abdurakhmanov, Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, and N.Kh. Ochilova, “On defect formation in silicon with impuritiesof manganese and zinc,” Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika), 34(2), 73–75 (1998).

Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliev, A.V. Stanchik, and D.A. Rakhmanov, “Raman spectroscopy of silicon, doped with platinum and irradiated by protons”, E3S Web of Conferences, 402, 14014 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340214014

A.S. Zakirov, Sh.U. Yuldashev, H.D. Cho, J.C. Lee, T.W. Kang, J.J. Khamdamov, and A.T. Mamadalimov, “Functional Hybrid Materials Derived from Natural Cellulose,” Journal of the Korean Physical Society, 60(10), 1526-1530 (2012). https://doi.org/10.3938/jkps.60.1526

Опубліковано
2024-12-08
Цитовано
Як цитувати
Далієв, Х. С., Утамурадова, Ш. Б., Хамдамов, Д. Д., Бекмуратов, М. Б., Юсупов, О. Н., Норкулов, Ш. Б., & Матчонов, Х. Д. (2024). Дефектоутворення в МДП структурах на основі кремнію з домішкою ітербію. Східно-європейський фізичний журнал, (4), 301-304. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-4-33
Номер
№ 4 (2024): Східно-європейський фізичний журнал
Розділ
Статті

Авторське право (c) 2024 Ходжакбар С. Далієв, Шаріфа Б. Утамурадова, Джонібек Дж. Хамдамов, Мансур Б. Бекмуратов

Ліцезія Creative Commons

Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

    • Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    • Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    • Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).

Найбільш популярні статті цього автора (авторів)

1 2 > >>