Вольт-амперна характеристика фоточутливої гетероплівкової структури Au-CdS-nSi-CdTe-Au
Анотація
Наведено результати досліджень вольт-амперних характеристик фотодіодної гетероструктури. Au-nCdS-nSi-pCdTe-Au, в прямому і зворотному напрямках. Створено фотодіодні гетероструктури площею 29 мм2, отримані методом вакуумного напарювання у квазізамкнутому об’ємі шляхом нанесення шарів сульфіду кадмію та телуриду кадмію на підкладку монокристалічного кремнію. з питомим опором ρ=607,47 Oм∙см. Відмінною особливістю отриманих фотодіодних структур Au-nCdS-nSi-pCdTe-Au є двостороння чутливість, де утворюються домішкові комплекси. У структурах швидкість рекомбінації нерівноважних носіїв на низьких рівнях збудження визначається простими локальними центрами в граничних перехідних шарах. Побудовано зонну діаграму багатошарової фотодіодної структури Au-nCdS-nSi-pCdTe-Au.
Завантаження
Посилання
M. Bass, et al., editors, Handbook of optics, Vol. 2. (New York, McGraw-Hill, 1995).
Z.T. Azamatov, M.A. Yuldoshev, N.N. Bazarbayev, and A.B. Bakhromov, “Investigation of Optical Characteristics of Photochromic Materials,” Physics AUC, 33, 139-145 (2023). https://cis01.central.ucv.ro/pauc/vol/2023_33/13_PAUC_2023_139_145.pdf
K.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, J.J. Khamdamov, and M.B. Bekmuratov, “Structural properties of silicon doped rare earth elements ytterbium,” East European Journal of Physics, (1), 375–379 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-37
Z.T. Azamatov, Sh.B. Utamuradova, M.A. Yuldoshev, and N.N. Bazarbaev, “Some Properties of Semiconductor-Ferroelectric Structures,” East Eur. J. Phys. (2), 187-190 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-2-19
N.A. Sultanov, Z.X. Mirzajonov, F.T. Yusupov, and T.I. Rakhmonov, “Nanocrystalline ZnO Films on Various Substrates: A Study on Their Structural, Optical, and Electrical Characteristics,” East Eur. J. Phys. (2), 309-314 (2024), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-35
A. Heintz, B. Ilahi, A. Pofelski, G. Botton, G. Patriarche, A. Barzaghi, and A. Boucherif, “Defect free strain relaxation of microcrystals on mesoporous patterned silicon,” Nature Communications, 13(1), 6624 (2022). https://doi.org/10.1038/s41467-022-34288-4
Z.L. Wang, Y. Liu, and Z. Zhang, Handbook of nanophase and nanostructured materials II, (Kluwer Academic Plenum, 2003).
H.S. Nalwa, Photodetectors and Fiber Optics, (Academic Press, 2001).
Sh.B. Utamuradova, A.V. Stanchik, K.M. Fayzullaev, and B.A. Bakirov, “Raman scattering of light by silicon single crystals doped with chromium atoms,” Applied Physics, (2), 33–38 (2022).
Y. Liu, Y. Li, Y. Wu, G. Yang, L. Mazzarella, P. Procel-Moya, A.C. Tamboli, et al., “High-efficiency silicon heterojunction solar cells: materials, devices and applications,” Materials Science and Engineering: R: Reports, 142, 100579 (2020), https://doi.org/10.1016/j.mser.2020.100579
Sh.B. Utamuradova, and D.A. Rakhmanov, “Effect of Holmium Impurity on the Processes of Radiation Defect Formation in n Si,” Annals of the University of Craiova, Physics, 32, 132–136 (2022). https://cis01.central.ucv.ro/pauc/vol/2022_32/15_PAUC_2022_132_136.pdf
M.H. Abdullal, R.A. Jaseen, and A.H. Resan, “Annealing effect on the optical energy gap of (CdTe) thin films,” J. Pure Sciences, 7(3), 205-213 (2011), https://www.iasj.net/iasj/pdf/ccf116d82c221e01
Sh.B. Utamuradova, D.A. Rakhmanov, A.S. Doroshkevich, Z. Slavkova, and M.N. Ilyina, “Impedance spectroscopy of p-Si, p-Si irradiated with protons,” Advanced Physical Research, 5(1), 5–11 (2023). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/APR/V5N1/Utamuradova_et_al.pdf
T.M. Razikov, S.A. Muzafarova, R.T. Yuldoshov, Z.M. Khusanov, M.K. Khusanova, Z.S. Kenzhaeva, and B.V. Ibragimova, East Eur. J. Phys. (1), 370-374 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-36
A.J. Mawat, M.H. Al-Timimi, W.H. Albanda, and M.Z. Abdullah, “Morphological and optical properties of Mg1-xCdSx nanostructured thin films,” AIP Conference Proceedings, 2475(1), 090019 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0103955
F.A. Giyasova, “Study of the spectral and temporal characteristics of a heterofilm photosensitive Au-nCdS-nSi-pCdTe-Au structure,” Scientific journal “Physics of Semiconductors and Microelectronics”, 4(1), 42-50 (2022).
Sh. B. Utamuradova, A.S. Achilov, R.R. Kabulov, and S.A. Muzafarova, “Effect of temperature on the current transfer mechanism in the reverse I-V characteristics of the n-CdS/i-CdSx Te1-X / p-CdTe heterostructure,” Modern Physics Letters B, 37(33), 2350162 (2023). https://doi.org/10.1142/S0217984923501622
A.S. Saidov, K.A. Amonov, and A.Yu. Leiderman, “Study of the dependence of the current-voltage characteristic p-Si–n-(Si2)1 x y(Ge2)x(ZnSe)y-structures on temperature,” Computational nanotechnology, 6(3), 16-20 (2019). (in Russian)
Sh.B. Utamuradova, S.Kh. Daliev, S.A. Muzafarova, and K.M. Fayzullaev, “Effect of the Diffusion of Copper Atoms in Polycrystalline CdTe Films Doped with Pb Atoms,” East Eur. J. Phys. (3), 385 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-41
A.H.H. Asal, and S.N.T. Al-Rashid, “Effects of Quantum Confinement Energy on the Transmittance of Cadmium Telluride (CdTe) Within the Near Infrared Region (700-2500nm),” East. Eur. J. Phys. (3), 329 (2023), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-33
Авторське право (c) 2024 Шаріфа Б. Утамурадова, Ходжакбар С. Далієв, Шахрух Х. Далієв, Султанпаша А. Музафарова, Кахрамон М. Файзуллаев, Гульноза А. Музафарова
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
