Ємнісна спектроскопія глибоких рівнів у кремнії з домішкою самарію
Анотація
Методом перехідної ємнісної глибокорівневої спектроскопії (DLTS) досліджено вплив термічної обробки на поведінку атомів самарію, введених у кремній у процесі росту. Показано, що різні високотемпературні обробки призводять до активації атомів самарію в об'ємі n-Si та утворення глибоких рівнів. Визначено енергетичний спектр глибоких рівнів, що виникають під час термічних обробок. Досліджено залежність ефективності утворення цих рівнів в n-Si<Sm> від температури обробки. Виявлено, що чим вищий вміст атомів самарію в об'ємі кремнію при однаковій температурі високотемпературної обробки, тим вища концентрація глибокого рівня EC-0,39 еВ. З цього можна зробити висновок, що рівень EC-0,39 еВ пов'язаний з активацією атомів самарію в об'ємі n-Si<Sm>.
Завантаження
Посилання
O.V. Alexandrov, A.O. Zakhar’in, N.A. Sobolev, and Y.A. Nikolaev, Semiconductors, 36(3), 379 (2002). https://doi.org/10.1134/1.1461417
Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, O.A. Bozorova, and Sh.Kh. Daliev, Applied Solar Energy, (41(1), 80 (2005). https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-33344466989&origin=resultslist&sort=plf-f
X. Chuanyun, J. Blundell, F. Hagelberg, and A. William, International Journal of Quantum Chemistry, 96(4), 416 (2004). https://doi.org/10.1002/qua.10735
Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, I.K. Khamidzhonov, A.Z. Akbarov, I.K. Mirzairova, and Z. Akimova, Inorganic Materials, 37(5), 436 (2001). https://doi.org/10.1023/A:1017556212569
Sh.B. Utamuradova, Kh.S. Daliev, E.K. Kalandarov, and Sh.Kh. Daliev, Technical Physics Letters, 32(6), 469 (2006). https://doi.org/10.1134/S1063785006060034
S.B. Utamuradova, and D.A. Rakhmanov, Annals of the University of Craiova, Physics, 32, 132 (2022). https://cis01.central.ucv.ro/pauc/vol/2022_32/15_PAUC_2022_132_136.pdf
S.Z. Zainabidinov, Kh.S. Daliev, K.P. Abdurakhmanov, Sh.B. Utamuradova, I.Kh. Khomidjonov, and I.A. Mirzamurodov, Modern Physics Letters B, 11(20), 909 (1997). https://doi.org/10.1142/S0217984997001110
R.L. Satet, M.J. Hoffmann, and R.M. Cannon, Materials Science and Engineering: A, 422(1-2), 66 (2006). http://dx.doi.org/10.1016%2Fj.msea.2006.01.015
C. Gross, G. Gaetano, T.N. Tucker, and J.A. Baker, Journal of the Electrochemical Society, 119(7), 926 (1972). https://doi.org/10.1149/1.2404370
S.I. Vlasov, D.E. Nazyrov, A.A. Iminov, and S.S. Khudaiberdiev, Technical Physics Letters, 26(4), 328 (2000). https://doi.org/10.1134/1.1262833
Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliev, S.A. Muzafarova, and K.M. Fayzullaev. East European Journal of Physics, 3, 385 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-41
Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliev, E.M. Naurzalieva, and X.Yu. Utemuratova, East European Journal of Physics, 3, 430 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-47
N.A. Turgunov, E.Kh. Berkinov, and R.M. Turmanova, East European Journal of Physics, 3, 287 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-26
G. Gulyamov, S.B. Utamuradova, M.G. Dadamirzaev, N.A. Turgunov, M.K. Uktamova, K.M. Fayzullaev, A.I. Khudayberdiyeva, and A.I. Tursunov, East European Journal of Physics, 2, 221 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-2-24
Sh.B. Utamuradova, S.A. Muzafarova, A.М. Abdugafurov, K.M. Fayzullaev, E.M. Naurzalieva, and D.A. Rakhmanov, Applied Physics, 4, 81(2021). https://doi.org/10.51368/1996-0948-2021-4-81-86
X. Lan, J. Gao, K. Xue, H. Xu, and Z. Guo, Separation and Purification Technology, 293, 121121 (2022). https://doi.org/10.1016/j.seppur.2022.121121
K.P. Abdurakhmanov, Sh.B. Utamuradova, Kh.S. Daliev, S.G. Tadjy-Aglaeva, and R.M. Ergashev, Semiconductors, 32(6), 606 (1998). https://doi.org/10.1134/1.1187448
Sh.B. Utamuradova, Kh.I. Kalandarov, and J.J. Khamdamov, Semiconductor Physics and Microelectronics, 2(2), 9 (2020). https://www.dropbox.com/s/7ykbddvwwiq3q8v/ON%20INTERACTION%20OF%20MANGANESE%20AND%20ZINC%20IMPURITIES%20IN%20SILICON.pdf?dl=0 (in Russian)
Kh.S. Daliev, Natural and technical sciences, RAS, 2(40), 22 (2009). https://naukarus.com/vliyanie-primesi-gadoliniya-na-harakteristiki-kremnievyh-mdp-struktur (in Russian)
L.S. Berman, and A.A. Lebedev, Capacitance spectroscopy of deep centers in semiconductors, Science, (Nauka, Leningrad, 1981). (in Russian)
Kh.T. Igamberdyev, A.T. Mamadalimov, and P.K. Khabibullaev, Journal of Engineering Physics, 57(4), 1220 (1989). https://doi.org/10.1007/BF00871143
S. Zainabidinov, D.E. Nazyrov, and M.I. Bazarbaev, Electronic Materials Processing, 4, 90 (2006). https://cyberleninka.ru/article/n/diffuziya-rastvorimost-i-elektricheskie-svoystva-samariya-i-itterbiya-v-kremnii/pdf (in Russain)
K.H. Goh, A.S. Haseeb, and Y.H. Wong, Journal of Alloys and Compounds, 722, 729 (2017). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2017.06.179
D.V. Lang, Journal of Applied Physics, 45, 3023 (1974). http://dx.doi.org/10.1063/1.1663719
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
