Ємнісна спектроскопія глибоких рівнів у кремнії з домішкою самарію

  • Шаріфа Б. Утамурадова Інститут фізики напівпровідників і мікроелектроніки Національного університету Узбекистану, Ташкент, Узбекистан https://orcid.org/0000-0002-1718-1122
  • Ходжакбар С. Далієв Інститут фізики напівпровідників і мікроелектроніки Національного університету Узбекистану, Ташкент, Узбекистан https://orcid.org/0000-0001-7853-2777
  • Шахрух Х. Далієв Інститут фізики напівпровідників і мікроелектроніки Національного університету Узбекистану, Ташкент, Узбекистан https://orcid.org/0000-0001-7853-2777
  • Уктам К. Єруглієв Інститут фізики напівпровідників і мікроелектроніки Національного університету Узбекистану, Ташкент, Узбекистан
Ключові слова: ємнісна спектроскопія, DLTS, кремній, леґування, самарій, термообробка, енергетичний спектр, глибокий рівень, ефективність формування

Анотація

Методом перехідної ємнісної глибокорівневої спектроскопії (DLTS) досліджено вплив термічної обробки на поведінку атомів самарію, введених у кремній у процесі росту. Показано, що різні високотемпературні обробки призводять до активації атомів самарію в об'ємі n-Si та утворення глибоких рівнів. Визначено енергетичний спектр глибоких рівнів, що виникають під час термічних обробок. Досліджено залежність ефективності утворення цих рівнів в n-Si<Sm> від температури обробки. Виявлено, що чим вищий вміст атомів самарію в об'ємі кремнію при однаковій температурі високотемпературної обробки, тим вища концентрація глибокого рівня EC-0,39 еВ. З цього можна зробити висновок, що рівень EC-0,39 еВ пов'язаний з активацією атомів самарію в об'ємі n-Si<Sm>.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

O.V. Alexandrov, A.O. Zakhar’in, N.A. Sobolev, and Y.A. Nikolaev, Semiconductors, 36(3), 379 (2002). https://doi.org/10.1134/1.1461417

Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, O.A. Bozorova, and Sh.Kh. Daliev, Applied Solar Energy, (41(1), 80 (2005). https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-33344466989&origin=resultslist&sort=plf-f

X. Chuanyun, J. Blundell, F. Hagelberg, and A. William, International Journal of Quantum Chemistry, 96(4), 416 (2004). https://doi.org/10.1002/qua.10735

Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, I.K. Khamidzhonov, A.Z. Akbarov, I.K. Mirzairova, and Z. Akimova, Inorganic Materials, 37(5), 436 (2001). https://doi.org/10.1023/A:1017556212569

Sh.B. Utamuradova, Kh.S. Daliev, E.K. Kalandarov, and Sh.Kh. Daliev, Technical Physics Letters, 32(6), 469 (2006). https://doi.org/10.1134/S1063785006060034

S.B. Utamuradova, and D.A. Rakhmanov, Annals of the University of Craiova, Physics, 32, 132 (2022). https://cis01.central.ucv.ro/pauc/vol/2022_32/15_PAUC_2022_132_136.pdf

S.Z. Zainabidinov, Kh.S. Daliev, K.P. Abdurakhmanov, Sh.B. Utamuradova, I.Kh. Khomidjonov, and I.A. Mirzamurodov, Modern Physics Letters B, 11(20), 909 (1997). https://doi.org/10.1142/S0217984997001110

R.L. Satet, M.J. Hoffmann, and R.M. Cannon, Materials Science and Engineering: A, 422(1-2), 66 (2006). http://dx.doi.org/10.1016%2Fj.msea.2006.01.015

C. Gross, G. Gaetano, T.N. Tucker, and J.A. Baker, Journal of the Electrochemical Society, 119(7), 926 (1972). https://doi.org/10.1149/1.2404370

S.I. Vlasov, D.E. Nazyrov, A.A. Iminov, and S.S. Khudaiberdiev, Technical Physics Letters, 26(4), 328 (2000). https://doi.org/10.1134/1.1262833

Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliev, S.A. Muzafarova, and K.M. Fayzullaev. East European Journal of Physics, 3, 385 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-41

Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliev, E.M. Naurzalieva, and X.Yu. Utemuratova, East European Journal of Physics, 3, 430 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-47

N.A. Turgunov, E.Kh. Berkinov, and R.M. Turmanova, East European Journal of Physics, 3, 287 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-26

G. Gulyamov, S.B. Utamuradova, M.G. Dadamirzaev, N.A. Turgunov, M.K. Uktamova, K.M. Fayzullaev, A.I. Khudayberdiyeva, and A.I. Tursunov, East European Journal of Physics, 2, 221 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-2-24

Sh.B. Utamuradova, S.A. Muzafarova, A.М. Abdugafurov, K.M. Fayzullaev, E.M. Naurzalieva, and D.A. Rakhmanov, Applied Physics, 4, 81(2021). https://doi.org/10.51368/1996-0948-2021-4-81-86

X. Lan, J. Gao, K. Xue, H. Xu, and Z. Guo, Separation and Purification Technology, 293, 121121 (2022). https://doi.org/10.1016/j.seppur.2022.121121

K.P. Abdurakhmanov, Sh.B. Utamuradova, Kh.S. Daliev, S.G. Tadjy-Aglaeva, and R.M. Ergashev, Semiconductors, 32(6), 606 (1998). https://doi.org/10.1134/1.1187448

Sh.B. Utamuradova, Kh.I. Kalandarov, and J.J. Khamdamov, Semiconductor Physics and Microelectronics, 2(2), 9 (2020). https://www.dropbox.com/s/7ykbddvwwiq3q8v/ON%20INTERACTION%20OF%20MANGANESE%20AND%20ZINC%20IMPURITIES%20IN%20SILICON.pdf?dl=0 (in Russian)

Kh.S. Daliev, Natural and technical sciences, RAS, 2(40), 22 (2009). https://naukarus.com/vliyanie-primesi-gadoliniya-na-harakteristiki-kremnievyh-mdp-struktur (in Russian)

L.S. Berman, and A.A. Lebedev, Capacitance spectroscopy of deep centers in semiconductors, Science, (Nauka, Leningrad, 1981). (in Russian)

Kh.T. Igamberdyev, A.T. Mamadalimov, and P.K. Khabibullaev, Journal of Engineering Physics, 57(4), 1220 (1989). https://doi.org/10.1007/BF00871143

S. Zainabidinov, D.E. Nazyrov, and M.I. Bazarbaev, Electronic Materials Processing, 4, 90 (2006). https://cyberleninka.ru/article/n/diffuziya-rastvorimost-i-elektricheskie-svoystva-samariya-i-itterbiya-v-kremnii/pdf (in Russain)

K.H. Goh, A.S. Haseeb, and Y.H. Wong, Journal of Alloys and Compounds, 722, 729 (2017). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2017.06.179

D.V. Lang, Journal of Applied Physics, 45, 3023 (1974). http://dx.doi.org/10.1063/1.1663719

Опубліковано
2023-12-02
Цитовано
Як цитувати
Утамурадова, Ш. Б., Далієв, Х. С., Далієв, Ш. Х., & Єруглієв, У. К. (2023). Ємнісна спектроскопія глибоких рівнів у кремнії з домішкою самарію. Східно-європейський фізичний журнал, (4), 303-306. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-39

Найбільш популярні статті цього автора (авторів)