Вплив дифузії атомів міді в полікристалічних плівках CdTe, легованих атомами Pb

  • Шаріфа Б. Утамурадова Інститут фізики напівпровідників та мікроелектроніки при Національному університеті Узбекистану, Ташкент, Узбекистан https://orcid.org/0000-0002-1718-1122
  • Шахрух Х. Далієв Інститут фізики напівпровідників та мікроелектроніки при Національному університеті Узбекистану, Ташкент, Узбекистан https://orcid.org/0000-0001-7853-2777
  • Султанпаша А. Музафарова Інститут фізики напівпровідників та мікроелектроніки при Національному університеті Узбекистану, https://orcid.org/0000-0001-5491-7699
  • Кахрамон М. Файзуллаев Інститут фізики напівпровідників та мікроелектроніки при Національному університеті Узбекистану, Ташкент, Узбекистан https://orcid.org/0000-0001-7362-1439
Ключові слова: дифузія, асоційований, час життя, плівка, акцепторний центр, радіоактивний ізотоп, розподіл, рухливість, питомий опір, коефіцієнт дифузії, ентальпія

Анотація

Досліджено процес дифузії мічених атомів міді  в крупноблокових плівках p-CdTe<Pb> зі стовпчастою зернистою структурою. Плівка CdTe<Pb> є напівпровідником p-типу, де збільшення концентрації Pb у складі плівок CdTe збільшує питомий опір ρ структури. При зміні концентрації Pb в CdTe від 1018 до 5·1019 см-3 концентрація дірок зменшується більш ніж на 3 порядки при постійній глибині робочого рівня EV + (0,4 ± 0,02) еВ. Це може свідчити про те, що концентрація акцепторних дефектів, які утворюються в плівках внаслідок самокомпенсації при легуванні донором PbCd, перевищує кількість останнього.

Електричні вимірювання методом Холла проводили при постійному струмі та температурі 300 К. У результаті підвищення температури плівок на підкладці Mo-p-CdTe<Pb> під час відпалу впливає на електричний параметр заряду. мобільність носія µ, вона значно зменшується. Рентгеноструктурний аналіз показав, що на дифрактограмах зразків плівок p-CdTe<Pb> усі наявні рефлекси відповідають фазі CdTe і до х = 0,08 не містять рефлексів домішкових фаз і мають кубічну модифікацію. За результатами розрахунку встановлено, що низькі значення коефіцієнта дифузії атомів Cu зумовлені утворенням асоціатів типу A , які знаходяться в прямій залежності від концентрації . Дифузійна довжина Ln і час життя τn неосновних носіїв струму у великоблочних плівках телуриду кадмію р-типу, якими також можна керувати шляхом введення атомів свинцю в телурид кадмію.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

S.A. Muzafarova, Sh.B. Utamuradova, A.М. Abdugafurov, K.M. Fayzullaev, E.M. Naurzalieva, and D.A. Rakhmanov, Applied Physics, 4, 81 (2021). https://applphys.orion-ir.ru/appl-21/21-4/PF-21-4-81.pdf

Sh.A. Mirsagatov, P.I. Knigin, M.A. Makhmudov, and S.A. Muzafarova. Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika), 1, 45 (1991). https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-0025927279&origin=resultslist&sort = plf-f

D. Nematov, Kh. Kholmurodov, A. Stanchik, K. Fayzullaev, V. Gnatovskaya, and T. Kudzoev, Trends in Sciences, 20(2), 4058 (2023). https://doi.org/10.33263/LIANBS123.067

D. Nematov, Kh. Kholmurodov, A. Stanchik, K. Fayzullaev, V. Gnatovskaya, and T. Kudzoev. Letters in Applied NanoBioScience, 12(3), 67 (2023). https://doi.org/10.48048/tis.2023.4058

E.S. Nikonyuk, Z.I. Zakharuk, and M.I. Kuchma, Semiconductors, 42, 1012(2008). https://doi.org/10.1134/S1063782608090029

K. Biswas, and M.H. Du. New J. Phys. 14, 063020 (2012). https://doi.org/10.1088/1367-2630/14/6/063020

S.A. Muzafarova, Sh.A. Mirsagatov, and J. Janabergenov, Physics of the Solid State, 49(6), 1168 (2007). https://doi.org/10.1134/S1063783407060248

Sh.B. Utamuradova, S.A. Muzafarova, and A.A. Abdugafurov, in: IX International Conference Photonics and Information Optics (Moscow, 2022), p.217. [in Russian]

A.A. Alieva, Sh.A. Mirsagatov, S.A. Muzafarova, and A.A. Abduvaitov, in: II International Conference Fundamental and Applied Questions of Physics (Tashkent, 2004), p.211.[in Russian]

G.А. Korablev. Eur. Chem. Bull. 7(1), 23 (2018). https://doi.org/10.17628/ecb.2018.7.23-29

T.D. Dzhafarov, S.S. Yesilkaya, N.Y. Canli, and M. Çalişkan, Solar Energy Materials and Solar Cells, 85(3), 371 (2005). https://doi.org/10.1016/j.solmat.2004.05.007

T. Walker, M.E. Stuckelberger, T. Nietzold, and N. Mohan-Kumar, Nano Energy, 91, 106595 (2022). https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2021.106595

B.G. Jang, M. Kim, S.H. Lee, W.Yang, S.H. Jhi, and Y.W. Son. Phys. Rev. Lett. 130, 136401 (2023). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.130.136401

S.A. Muzafarova, Sh.A. Mirsagatova, and J. Janabergenov, Physics of the Solid State, 49(6), 1168 (2007). https://doi.org/10.1134/S1063783407060248

S.A. Muzafarova, S.A. Mirsagatov, and F.N. Dzhamalov, Semiconductors, 43(2), 175(2009). https://doi.org/10.1134/S1063782609020109

A. Bosio, R. Ciprian, A. Lamperti, I. Rago, B. Ressel, G. Rosa, M. Stupar, and E. Weschke, Solar Energy, 176, 186 (2018). https://doi.org/10.1016/j.solener.2018.10.035

A. Chandran, A. Erez, S.S. Gubser, and S.L. Sondhi, Phys. Rev. B, 86, 064304 (2012). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.86.064304

S.A. Muzafarova, Physical processes in thin-film solar cells nCdS/pCdTe, (LAP LAMBERT Academic Publishing RULAP LAMBERT, 2020), p.63.

S. Lou, H. Zhu, S. Hu, C. Zhao, and P. Han. Scientific Reports, 5, 14084 (2015). https://doi.org/10.1038/srep14084

P. Wurfel, T. Trupke, and T. Puzzer. J. Appl. Phys. 101, 123110 (2007). http://dx.doi.org/10.1063/1.2749201

M. Bukała, P. Sankowski, R. Buczko, and P. Kacman, Nanoscale Research Letters, 6, 126 (2011). http://www.nanoscalereslett.com/content/6/1/126

Опубліковано
2023-09-04
Цитовано
Як цитувати
Утамурадова, Ш. Б., Далієв, Ш. Х., Музафарова, С. А., & Файзуллаев, К. М. (2023). Вплив дифузії атомів міді в полікристалічних плівках CdTe, легованих атомами Pb. Східно-європейський фізичний журнал, (3), 385-390. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-41