Vol. 11 No. 2 (2013): Фізична інженерія поверхні

Статті

• Migration of interacting atoms in surface monolayer

  А. С. Долгов, А. В. Валуйская

  144 - 153

  • PDF (Українська)
• Functionalization and nanostructurization porous silicon surface layers

  Є. І. Зубко

  154 - 159

  • PDF (Українська)
• The influence of defects and impurity atoms on the physical and mechanical properties of nanostructured coatings in the boundary region separating them

  М. В. Каверин, R. Krause-Rehberg, В. М. Береснев, Б. А. Постольный, Д. А. Колесников, И. В. Якущенко, М. А. Билокур, Б. Р. Жоллыбеков

  160 - 184

  • PDF (Українська)
• Surface topology of CdO thin oxide films formed on van der waals surfaces of InSe and GaSe layered crystals

  З. Р. Кудринський

  185 - 190

  • PDF (Українська)
• The heating of electrons and holes in an asymmetric p-n-junction, located in the microwave field

  М. Г. Дадамирзаев

  191 - 194

  • PDF (Українська)
• Influence effective mass density of states at temperature dependence of band gap in solid solutions p-Bi2-xSbxTe3-ySey

  Г. Гулямов, Н. Ю. Шарибаев, У. И. Эркабоев

  195 - 198

  • PDF (Українська)
• Research of modulation base region processes in p+p-n+-silicon structure

  Д. М. Ёдгорова, А. В. Каримов, А. А. Каримов

  199 - 203

  • PDF (Українська)
• Application of multi-cathode received electron beam melting to form a superhard nanocomposite coatings

  В. М. Береснев, П. В. Турбин, В. В. Грудницкий, И. Н. Торяник, А. Е. Дмитренко, А. Ю. Кропотов, В. И. Гриценко, Л. В. Маликов, С. С. Гранкин

  204 - 211

  • PDF (Українська)
• Electrical properties of inter grain boundaries in volume of polycrystalline silicon

  Л. О. Олимов, М. Муйдинова, Ф. Л. Омонбоев

  212 - 215

  • PDF (Українська)
• Thin film CdTe-structures with barrier Schottky

  Ш. А. Мирсагатов, А. С. Ачилов, Б. Н. Заверюхин

  216 - 222

  • PDF (Українська)
• Research of electric and photo-electric properties In-CdSxTe1-x-Si-In structures

  И. Б. Сапаев

  223 - 227

  • PDF (Українська)
• The temperature dependence of the band gap of Si and Ge by the model

  Н. Ю. Шарибаев

  228 - 230

  • PDF (Українська)
• Thermal oxide coatings on the zirconium materials

  Н. Н. Пилипенко, А. А. Дробышевская, Р . В. Ажажа, Ю. С. Стадник, И. Г. Танцюра

  231 - 236

  • PDF (Українська)
• Effect of implantation by helium ions on the shape of the unit cell in the subsurface layers of GGG single crystals

  І. П. Яремій, У. О. Томин, М. М. Уманців, В. І. Кравець

  237-242

  • PDF (Українська)
• Tensoresistive effect in the system potential barriers in semiconductor films

  Г. Гулямов, A. Г. Гулямов, Г. Н. Мажидова

  243 - 245

  • PDF (Українська)