Дослідження температурної залежності ширини забороненої зони Si та Ge за допомогою моделі

Анотація

За допомогою моделі розкладання щільності стану в ряд по GN(Ei, Et, T)-функціях похідної ймовірності іонізації дискретних станів за енергією досліджена температурна залежність ширини забороненої зони для Si і Ge. Результати числових експериментів вказують на те, що ширина забороненої зони для Si і Ge, якщо у забороненій зоні відсутні енергетичні рівні, за низьких температур ширша ніж значення, отримані в експерименті: Si – 0.018 еВ, Ge – 0.008 еВ.