Дослідження температурної залежності ширини забороненої зони Si та Ge за допомогою моделі
Ключові слова:
модель густини станів, ширина забороненої зони за низьких температур, температурна залежність енергетичного спектра
Анотація
За допомогою моделі розкладання щільності стану в ряд по GN(Ei, Et, T)-функціях похідної ймовірності іонізації дискретних станів за енергією досліджена температурна залежність ширини забороненої зони для Si і Ge. Результати числових експериментів вказують на те, що ширина забороненої зони для Si і Ge, якщо у забороненій зоні відсутні енергетичні рівні, за низьких температур ширша ніж значення, отримані в експерименті: Si – 0.018 еВ, Ge – 0.008 еВ.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю.//ФИП. − 2010. − Т. 8, № 1. − С. 53-58.
Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю.//ФТП. − 2011. − Т. 45, Вып. 2. − С. 178-182.
Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю.//Поверхность. − 2012. − № 9. − С. 13-17.
Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю.//ФИП. − 2012. − Т. 10, № 2. − С. 221-225.
Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю., Эркабоев У .И./ /ФИП. − 2012. − Т. 10, № 4. − С. 308-312.
Шалимова К.В. Физика полупроводников. − М.: Энергоатомиздат, 1985. − 392 с.
Мотт Н., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1. − М.: Мир, 1982. − 664 с.
Бонч-Бруевич В.Б., и др. Электронная теория некристаллических полупроводников. − М.: Наука, 1981. − 384 с.
Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю.//ФТП. − 2011. − Т. 45, Вып. 2. − С. 178-182.
Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю.//Поверхность. − 2012. − № 9. − С. 13-17.
Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю.//ФИП. − 2012. − Т. 10, № 2. − С. 221-225.
Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю., Эркабоев У .И./ /ФИП. − 2012. − Т. 10, № 4. − С. 308-312.
Шалимова К.В. Физика полупроводников. − М.: Энергоатомиздат, 1985. − 392 с.
Мотт Н., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1. − М.: Мир, 1982. − 664 с.
Бонч-Бруевич В.Б., и др. Электронная теория некристаллических полупроводников. − М.: Наука, 1981. − 384 с.
Опубліковано
2017-07-28
Як цитувати
Шарибаев, Н. Ю. (2017). Дослідження температурної залежності ширини забороненої зони Si та Ge за допомогою моделі. Журнал фізики та інженерії поверхні, 11(2), 228 - 230. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8777
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
