Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe та GaSe
Ключові слова:
тонкі оксидні плівки, шаруваті кристали, топологія поверхні, атомно-силова мікроскопіяАнотація
Методом магнетронного розпилення отримано тонкі плівки CdO на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe та GaSe. Структура плівок досліджена методом рентгеноструктурного аналізу. За допомогою атомно-силової мікроскопії проведено дослідження топології поверхні отриманих плівок. Встановлено, що їх поверхня є наноструктурованою, проте характер нарощування плівок на підкладках InSe та GaSe відрізняється. На InSe спостерігаються наноутворення у вигляді окремих пагорбів та їх скупчень. Густина таких наноутворень становить ∼2,25⋅1010 см–2. Особливістю поверхневої топології плівок CdO на GaSe є те, що наноутворення розміщені рівномірно та мають куполоподібний вигляд, причому схильність до утворення скупчень у них відсутня. Оцінка густини такого типу наноутворень показує, що вона становить ∼6,4⋅109 см–2.
