Топологія  поверхні  тонких  оксидних  плівок  CdO, сформованих  на  ван-дер-ваальсових  поверхнях шаруватих кристалів InSe та GaSe

З. Р. Кудринський Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення

Ключові слова: тонкі оксидні плівки, шаруваті кристали, топологія поверхні, атомно-силова мікроскопія

Анотація

Методом магнетронного розпилення отримано тонкі плівки CdO на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe та GaSe. Структура плівок досліджена методом рентгеноструктурного аналізу. За допомогою атомно-силової мікроскопії проведено дослідження топології поверхні отриманих плівок. Встановлено, що їх поверхня є наноструктурованою, проте характер нарощування плівок на підкладках InSe та GaSe відрізняється. На InSe спостерігаються наноутворення у вигляді окремих пагорбів та їх скупчень. Густина таких наноутворень становить ∼2,25⋅1010 см–2. Особливістю поверхневої топології плівок CdO на GaSe є те, що наноутворення розміщені рівномірно та мають куполоподібний вигляд, причому схильність до утворення скупчень у них відсутня. Оцінка густини такого типу наноутворень показує, що вона становить ∼6,4⋅109 см–2.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Біографія автора

З. Р. Кудринський, Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення

с.н.с.

Посилання

Terhell I.C.I. Polytypism in the III-VI layer compounds//Progress in Crystal Growth and Characterization. – 1983. – № 7. – P. 55-110.

Ueno K., Sasaki K., Saiki K., Koma A. A novel method to fabricate a molecular quantum structure: selective growth of C60 on layered material heterostructures//Japanese Journal of Applied Physics. – 1999. – Vol. 38, № 1B. – P. 511-514.
Jaegermann W., Pettenkofer C., Parkinson B.A. Cu and Ag deposition on layered p-type WSe2: approaching the Schottky limit//Phys. Rev. B. – 1990. – Vol. 42, № 12. – P. 7487-7495.

Wisotzki N., Klein A., Jaegermann W. Quasi van der Waals epitaxy of ZnSe on the layered chalcogenides InSe and GaSe//Thin Solid Films. – 2000. – Vo9l. 380, № 1-2. – P. 263-265.

Бахтинов А.П., Водопьянов В.Н., Слынько Е.И., Ковалюк З.Д., Литвин О.С. Самоорганизация нано-структур теллуридов свинца и олова на Ван-дер-Ваальсовой поверхности селенида галлия (0001)// Письма ЖТФ. – 2007. – Т. 33, № 2. – С. 80-88.

Lokhande B.J., Patil P.S., Uplane M.D. Studies on cadmium oxide sprayed thin films deposited through non-aqueous medium//Materials Chemistry and Physics. – 2004. – Vol. 84, № 2-3. – P. 238-242.

Caglar M., Yakuphanoglu F. Fabrication and electrical characterization of flower-like CdO/p-Si heterojunction diode//J. Phys. D: Appl. Phys. – 2009. – Vol. 42, № 4. – P. 045102(1)-045102(5).

Karatas S., Yakuphanoglu F. Analysis of electronic parameters of nanostructure copper doped cadmium oxide/p-silicon heterojunction//Journal of Alloys and Compounds. – 2012. – Vol. 537. – P. 6-11.

Sravani C., Reddy K.T.R., Hussain O.Md., Jayarama Reddy P. Investigations on n-CdO/pCdTe thin film heterojunctions//Thin Solid Films. – 1994. – Vol. 253. – № 1-2. – P. 339-343.

Брус В.В., Илащук М.И., Хомяк В.В., Ковалюк З.Д., Марьянчук П.Д., Уляницкий К.С. Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-CdZnO/p-CdTe//ФТП. – 2012. – Т. 46, № 9. – С. 1175-1180.

Новоселова А.В., Лазарев В.Б., Медведева З.С. и др. Физико-химические свойства
полупроводниковых веществ: Справочник. – М.: Наука, 1979. – 339 с.

Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д. Топология и особенности электросопротивления оксидной пленки InSe //Неорганические материалы. – 2011. – Т. 47, № 7. – С. 834-837.

Бахтинов А.П., Водопьянов В.Н., Ковалюк З.Д., Нетяга В.В., Литвин О.С. Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный метал)-(слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe//ФТП. – 2010. – Т. 44, № 2. – С. 180-193