Дослідження електричних і фотоелектричних властивостей Іn-CdSxTe1-х-Sі-Іn-структури
Ключові слова:
твердий розчин, плівка, спектр, фоточутливість
Анотація
Виготовлено гетеропереходи n/Sі-n/CdSxTe1-x методом вакуумного напилювання плівки твердого розчину CdSxTe1-x на поверхню монокристалічного n/Sі. Досліджено основні електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів. Визначено значення постійних кристалічних ґраток твердого розчину CdSxTe1-x на границі гетероструктури n/Si-n/CdSxTe1-x.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. – М.: МИСИС, 2003.
Лабораторные оптические приборы/ Под ред. А.А. Новицкого. – М.: Машиностроение, 1979. – 448 с.
Ohata K., Sarate J., Tanaka T.//Jpn. J. Appl. Phys. – 1973. – № 12. – С. 1641.
Bonnet D., Rabenhorst H.//Proc. Int. Conf. Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunction and Layer Structure. Hungary, Budapest, Akademio Kiado. – 1971. – Vol. 1. – P. 119.
Лабораторные оптические приборы/ Под ред. А.А. Новицкого. – М.: Машиностроение, 1979. – 448 с.
Ohata K., Sarate J., Tanaka T.//Jpn. J. Appl. Phys. – 1973. – № 12. – С. 1641.
Bonnet D., Rabenhorst H.//Proc. Int. Conf. Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunction and Layer Structure. Hungary, Budapest, Akademio Kiado. – 1971. – Vol. 1. – P. 119.
Опубліковано
2017-07-28
Як цитувати
Сапаев, И. Б. (2017). Дослідження електричних і фотоелектричних властивостей Іn-CdSxTe1-х-Sі-Іn-структури. Журнал фізики та інженерії поверхні, 11(2), 223 - 227. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8776
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
