Тензорезистивний ефект у системі потенційних бар’єрів у напівпровідникових плівках
Ключові слова:
тензочувствительность, прозорість потенційного бар’єра, напівпровідникові тензочувствительные плівки
Анотація
У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої, плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки ширина потенційного бар’єру може пояснити аномально більші значення коефіцієнта тензочутливості тонких плівок Bі2Te3 і Sb2Te3, отриманих вакуумним напилюванням.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Шамирзаев Х., Юсупова Д.А., Мухамедиев Э.Д., Онар›улов К.Э.//Физическая инженерия поверхности. – 2006. – T. 4, № 1-2. – C. 86-90.
Шкловский Б., Эфрос А.Л. Электронные свойства легиранных полупроводников. – М.: Наука, 1979.
Ландау Л.Д., Лифщиц Е.М. Квантовая механика. – М.: Наука, 1974.
Киреев П.С. Физика полупроводников. – М.: Высшая школа, 1975.
Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник. – К.: Наукова думка, 1975.
Шкловский Б., Эфрос А.Л. Электронные свойства легиранных полупроводников. – М.: Наука, 1979.
Ландау Л.Д., Лифщиц Е.М. Квантовая механика. – М.: Наука, 1974.
Киреев П.С. Физика полупроводников. – М.: Высшая школа, 1975.
Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник. – К.: Наукова думка, 1975.
Опубліковано
2017-07-28
Як цитувати
Гулямов, Г., ГулямовA. Г., & Мажидова, Г. Н. (2017). Тензорезистивний ефект у системі потенційних бар’єрів у напівпровідникових плівках. Журнал фізики та інженерії поверхні, 11(2), 243 - 245. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8780
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
