Тонкоплівкові детекторні CdTe-структури з бар’єром Шоттки
Ключові слова:
напівпровідник, плівка, ядерне випромінювання, детектор, бар’єр Шоттки, енергетичний дозвіл
Анотація
Для детекторів короткопробіжних частинок створені плівкові CdTe-детекторні структури з бар’єром Шоттки. Структури виготовлені на основі великоблочних p-CdTе плівок з питомим опором ρ ∼ 107 Ом⋅cм. Кристаліити плівок розташовані ортогонально до площини Мо-підкладинки, на якій вони сформовані. Досліджені вольт-фарадні, вольтамперні та шумові характеристики структур. Структури реєстрували α-частинки з енергією 5.482 MеВ від джерела Am241. Енергетичний можливий розподіл R-структур становить величину 22 ÷ 29 кеВ при напругах зсуву V = 5 − 8 В і T = 293 K. При підвищенні величини V відбувається інжекція неосновних носіїв у базу структур. Установлено, що джерелом інжекції електронів у базу є Мо-контакт і з’єднання MoO3 поблизу нього.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Ботнарюк В.М., Жиляев Ю.В., Иванов А.М., Строкан Н.Б., Федоров Л.М. Особенности эпитаксиальных слоев GaAs как детекторов α-частиц//Пиcьма ЖТФ. – 1998. – Т. 24, Bып. 7. – С. 8-15.
Строкан Н.Б., Иванов А.М., Савкина Н.С., Давыдов Д.В., Богданова Е.В., Лебедев А.А. Применение SiC-триодных структур как детекторов ядерных частиц//ФТП. – 2002. – Т. 36, Bып. 3. – С. 375-378.
Takahashi T., Watanabe S.//IEEE Trans. Nucl. Sci., – 2001. – Vol. 48. – P. 950.
Watanabe S., Takahashi T., Okada Y., Sato G., Kouda M., Mitani T., Kabayashi Y., Nakazawa K., Kuroda Y., Onishi M.//IEEE Trans. Nucl. Sci. – 2002. – Vol. 49. – P. 210.
Tanaka T., Kabayashi T., Mitani T., Nakazawa K., Oonuki K., Sato G., Takahashi T., Watanabe
S.//New Astronomy Reviews. – 2004. – Vol. 48. – P. 309.
Косяченко Л.А., Склярчук В.М., Маслянчук О.Л., Грушко Е.В., Гнатюк В.А., Aoki T. Hatanaka Y. Особенности электрических характеристик диодов Шоттки на основе CdTe с почти собственной проводимостью//Письма в ЖТФ.– 2006. – Т. 32, Bып. 24. – С.29-37.
Hermon H., Shieber M., James R.B. Journal of Electronic Materials. – 1999. – Vol. 28. – Р. 688702.
Поликристаллические полупроводники/Под ред. Г. Харбеке. – М.: Мир, 1989. – 341 с.
Заверюхин Б.Н., Мирсагатов Ш.А., Заверюхина Н.Н., Володарский В.В., Заверюхина Е.Б. Пленочные детекторы ядерных излучений из теллурида кадмия//Пиcьма ЖТФ. – 2003. – Т. 29, Bып. 22. – С. 80-87.
Косяченко Л., Маслячук О., Склярчук В. Особенности переноса заряда в диодах Шоттки на основе полуизолирующего CdTe//ФТП. – 2005. – Т. 39, Bып. 6. – С. 754-761.
Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. – М.: Советское радио, 1980. – 296 c.
Zanio K. Semiconductors and Semimals//Acad. Press, N.Y. – 1978. – Vol. 13. – P. 210.
Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. – М.: Мир, 1973. – 210 с.
Строкан Н.Б., Иванов А.М., Савкина Н.С., Давыдов Д.В., Богданова Е.В., Лебедев А.А. Применение SiC-триодных структур как детекторов ядерных частиц//ФТП. – 2002. – Т. 36, Bып. 3. – С. 375-378.
Takahashi T., Watanabe S.//IEEE Trans. Nucl. Sci., – 2001. – Vol. 48. – P. 950.
Watanabe S., Takahashi T., Okada Y., Sato G., Kouda M., Mitani T., Kabayashi Y., Nakazawa K., Kuroda Y., Onishi M.//IEEE Trans. Nucl. Sci. – 2002. – Vol. 49. – P. 210.
Tanaka T., Kabayashi T., Mitani T., Nakazawa K., Oonuki K., Sato G., Takahashi T., Watanabe
S.//New Astronomy Reviews. – 2004. – Vol. 48. – P. 309.
Косяченко Л.А., Склярчук В.М., Маслянчук О.Л., Грушко Е.В., Гнатюк В.А., Aoki T. Hatanaka Y. Особенности электрических характеристик диодов Шоттки на основе CdTe с почти собственной проводимостью//Письма в ЖТФ.– 2006. – Т. 32, Bып. 24. – С.29-37.
Hermon H., Shieber M., James R.B. Journal of Electronic Materials. – 1999. – Vol. 28. – Р. 688702.
Поликристаллические полупроводники/Под ред. Г. Харбеке. – М.: Мир, 1989. – 341 с.
Заверюхин Б.Н., Мирсагатов Ш.А., Заверюхина Н.Н., Володарский В.В., Заверюхина Е.Б. Пленочные детекторы ядерных излучений из теллурида кадмия//Пиcьма ЖТФ. – 2003. – Т. 29, Bып. 22. – С. 80-87.
Косяченко Л., Маслячук О., Склярчук В. Особенности переноса заряда в диодах Шоттки на основе полуизолирующего CdTe//ФТП. – 2005. – Т. 39, Bып. 6. – С. 754-761.
Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. – М.: Советское радио, 1980. – 296 c.
Zanio K. Semiconductors and Semimals//Acad. Press, N.Y. – 1978. – Vol. 13. – P. 210.
Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. – М.: Мир, 1973. – 210 с.
Опубліковано
2017-07-28
Як цитувати
Мирсагатов, Ш. А., Ачилов, А. С., & Заверюхин, Б. Н. (2017). Тонкоплівкові детекторні CdTe-структури з бар’єром Шоттки. Журнал фізики та інженерії поверхні, 11(2), 216 - 222. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8775
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
