Тонкоплівкові детекторні CdTe-структури з бар’єром Шоттки

Анотація

Для детекторів короткопробіжних частинок створені плівкові CdTe-детекторні структури з бар’єром Шоттки. Структури виготовлені на основі великоблочних p-CdTе плівок з питомим опором ρ ∼ 107 Ом⋅cм. Кристаліити плівок розташовані ортогонально до площини Мо-підкладинки, на якій вони сформовані. Досліджені вольт-фарадні, вольтамперні та шумові характеристики структур. Структури реєстрували α-частинки з енергією 5.482 MеВ від джерела Am241. Енергетичний можливий  розподіл R-структур становить величину 22 ÷ 29 кеВ при напругах зсуву V = 5 −  8 В  і  T = 293 K. При підвищенні величини V відбувається інжекція неосновних носіїв у базу структур. Установлено, що джерелом інжекції електронів у базу є Мо-контакт і з’єднання MoO3 поблизу нього.