Морфологія поверхні кремнію, легованого лютецієм
Анотація
У цій роботі за допомогою скануючого електронного мікроскопа (SEM) та атомного аналізу досліджено карту розташування мікрокомпозитів, сформованих на поверхні зразків n-Si, p-Si, n-Si<Lu> та p-Si<Lu> . Дослідницькі прилади силового мікроскопа (АСМ). Досліджено атомні частки включень вуглецю, кисню та лютецію, що утворюються на поверхні зразків. Також за допомогою приладу АСМ визначали розміри, рельєф і топографічний вигляд дефектів, утворених на поверхні зразків. У зразках кремнію, легованих Lu, виявлено зменшення розмірів поверхневих дефектів і утворення нанорозмірних структур, що дозволяє отримувати матеріали з більш досконалою кристалічною структурою. За допомогою скануючого електронного мікроскопа ZEISS GeminiSEM 300 отримано структурну будову, хімічний склад та зображення їх розташування зразків n-Si, p-Si, n-Si<Lu> та p-Si<Lu>. У цьому випадку прискорювальна напруга електронів становила 20 кВ, а тиск у камері зразка становив (10-3 мм рт. ст.). Результати досліджень показують, що структурна структура мікро- та нанокомпозитів, сформованих у кремнії, в основному залежить від часу дифузії та швидкості охолодження зразків після дифузійного відпалу.
Завантаження
Посилання
К.V. Ravi, Imperfections and impurities in semiconductor silicon, (Wiley, New York, 1981).
H. Wang, Y. Nyu, H. Lin, J. Qiao, Y. Zhang, W. Zhong, and S. Qiu, “Modification of rare earth Ce by inclusions in non-oriented silicon steel W 350,” Metals, 13, 453 (2023). https://doi.org/10.3390/met13030453
Sh.B. Utamuradova, A.V. Stanchik, and D.A. Rakhmanov, “X-Ray Structural Investigations Of n-Si Irradiated with Protons,” East Eur. J. Phys. 2, 201 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-2-21
Sh.B. Utamuradova, H.J. Matchonov, Zh.J. Khamdamov, and H.Yu. Utemuratova, “X-ray diffraction study of the phase state of silicon single crystals doped with manganese,” New Materials, Connections Oath Applications, 7(2), 93-99 (2023). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/NMCA/v7n2/Utamuradova_et_al.pdf
N.M. Bogatov, L.R. Grigoryan, A.Y. Kovalenko, M.S. Kovalenko, F.A. Kolokolov, and L.S. Lunin, FTP, 54, 144-148 (2020). https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48909.9255
Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, J.J. Khamdamov, and Z.E. Bahronkulov, “Electrophysical properties of silicon doped with lutetium,” Advanced Physical Research, 6(1), 42-49 (2024). https://doi.org/10.62476/apr61.49
B.I. Boltax, Diffusion in semiconductors, (Moscow, State Publishing House of Physical and Mathematical Literature, 1971). (in Russian)
S.B. Utamuradova, Z.T. Azamatov, M.A. Yuldoshev, N.N. Bazarbayev, and A.B. Bakhromov, “Investigations of Nonlinear Optical Properties of Lithium Niobate Crystals,” East Eur. J. Phys. (4), 147 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-15
Sh.B. Utamuradova, S.A. Muzafarova, A.M. Abdugofurov, K.M. Faizullaev, E.M. Naurzalieva, and D.A. Rakhmanov, Applied Physics, 4, 90 (2021). https://applphys.orion-ir.ru/appl-21/21-4/PF-21-4-81.pdf
Daliev, K.S., Utamuradova, S.B., Khamdamov, J.J., Structural properties of silicon doped rare earth elements ytterbium. East European Journal of Physics, (1), 375–379 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-37
Yu.S. Katarria, S. Kumar, F. Singh, J.K. Pivin, and D. Kanjilal, “Synthesis of buried SiC using an energetic ion beam,” J. Phys. D: Adj. Phys. 39, 3969–3973 (2006). http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/39/18/007
I.S. Smirnov, I.G. Dyachkovan, and E.G. Novoselova, “High resolution X-ray diffraction study of proton irradiated silicon crystals,” Modern electronic materials, 2, 29–32 (2016). http://dx.doi.org/10.1016/j.moem.2016.08.005
Kh.S. Daliev, Z.E. Bahronkulov, and J.J. Hamdamov, “Investigation of the Magnetic Properties of Silicon Doped with Rare-Earth Elements,” East Eur. J. Phys. (4), 167 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-18
O.V. Skalyaukh, “Defect formation in silicon when irradiated with alpha particles with an energy of 5.4 MeV,” Ph.D. thesis, Ulyanovsk, 2000. (in Russian)
Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, Z.E. Bahronkulov, A.Kh. Khaitbaev, and J.J. Hamdamov, East Eur. J. Phys. (4), 193 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-23
V.A. Zinoviev, Ph.D. Thesis, “Processes on the silicon surface under the influence of low-energy ions under molecular beam epitaxy conditions,” Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk 2004. (in Russian)
S.M. Osadchiy, A. Petukhov, and V.B. Dunin, “Application of silicon detectors with differential discriminators in X-ray diffractometers,” Journal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques, 8, 25–29 (2019). (in Russian)
Авторське право (c) 2024 Ходжакбар С. Далієв, Шаріфа Б. Утамурадова, Джонібек Дж. Хамдамов, Завкіддін Е. Бахронкулов
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
