Дослідження вольт-амперних характеристик газочутливого сенсора на основі діоксиду олова
Анотація
Досліджено та побудовано вольт-амперні характеристики чутливих елементів газових сенсорів у координатах, що відповідають різним механізмам перенесення струму. Встановлено, що переважаючим механізмом передачі струму на ділянці від 0 до 6 В є закон Ома, в інтервалі (3-6) В виконується закон Мотта, а при більш високих напругах спостерігаються відхилення від цих законів. Визначено, що закони Om і Mot підтверджують механізм протікання струмів, обмежених просторовим зарядом.
Завантаження
Посилання
S. Hooshmand, P. Kassanos, M. Keshavarz, P. Duru, C.I. Kayalan, I. Kale, and M.K. Bayazit, “Wearable Nano-Based Gas Sensors for Environmental Monitoring and Encountered Challenges in Optimization,” Sensors, 23, 8648 (2023). https://doi.org/10.3390/s23208648
S. Nath, A. Dey, P. Pachal, J.K. Sing, and S.K. Sarkar, “Performance Analysis of Gas Sensing Device and Corresponding IoT Framework in Mine Microsyst,” Technol, 27, 3977–3985 (2021). https://doi.org/10.1007/s00542-019-04621-x
A.V. Martirosyan, and Y.V. Ilyushin, “The Development of the Toxic and Flammable Gases Concentration Monitoring System for Coalmines,” Energies, 15, 8917-8919, (2022). https://doi.org/10.3390/en15238917
A.V. Shaposhnik, P.V. Moskalev, K.L. Chegereva, A.A. Zviagin, and A.A. Vasiliev, “Selective gas detection of H2 and CO by a single MOX-sensor,” Sensors and Actuators B: Chemical, 334, 129376, (2021). https://doi.org/10.1016/j.snb.2020.129376
H.C. Wang, Y. Li, and M.J. Yang, “Fast response thin film SnО2 gas sensors operating at room temperature. Sensors and Actuators В: Chemical, 119, 380-383 (2006). http://dx.doi.org/10.1016%2Fj.snb.2005.12.037
M.A. Carpenter, S. Mathur, and A. Kolmakov, Metal Oxide Nanomaterials for Chemical Sensors, (Springer Science & Business Media, New York, 2012).
B. Saruhan, L.R. Fomekong, and S. Nahirniak, “Review: Influences of Semiconductor Metal Oxide Properties on Gas Sensing Characteristics”. Front. Sens. 2, 657931 (2021). https://doi.org/10.3389/fsens.2021.657931
S. Zainabidinov, A.Y. Boboev, and N.Y. Yunusaliyev, “Effect of γ-irradiation on structure and electrophysical properties of S-doped ZnO films,” East European Journal of Physics, (2), 321–326 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-37
S. Zainabidinov, A. Y. Boboev, Kh. A. Makhmudov, et al., “Photoelectric Properties of n-ZnO/p-Si Heterostructures,” Applied Solar Energy, 57(6), 475–479 (2021). http://doi:10.3103/S0003701X21060177
Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliyev, J.J. Khamdamov, Kh.J. Matchonov, and Kh.Y. Utemuratova, “Research of the Impact of Silicon Doping with Holmium on its Structure and Properties Using Raman Scattering Spectroscopy Methods,” East Eur. J. Phys. 2, 274 (2024), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-28
M. Klas, Š. Matejčik, B. Radjenović, and M. Radmilović-Radjenović, “Measurements of the Volt-Ampere Characteristics and the Breakdown Voltages of Direct-Current Helium and Hydrogen Discharges in Microgaps,” Physics of Plasmas, 21(10), 103503 (2014). https://doi.org/10.1063/1.4897303
U.O. Kutliev, M.U. Otabaev, and M.K. Karimov, “Investigation Ne ions scattering from the stepped InP(001)<ī10> surface,” Journal of Physics: Conference Series, 2388(1), 012092 (2022). https://doi.org/10.1088/1742-6596/2388/1/012092
D.S. Jeong, and Ch.S. Hwang, “Tunneling-assisted Poole-Frenkel conduction mechanism in HfO2 thin films,” J. Appl. Phys. 98, 113701 (2005). https://doi.org/10.1063/1.2135895
S.Z. Zainabidinov, A.S. Saidov, M.U. Kalanov, and A.Y. Boboev, “Synthesis, Structure and Electro-Physical Properties n-GaAs-p-(GaAs)1–x–y(Ge2)x(ZnSe)y Heterostructures,” Applied Solar Energy. 55(5), 291–308 (2019). https://doi.org/10.3103/S0003701X1905013X
S.Z. Zainabidinov, A.S. Saidov, A.Y. Boboev, and D.P. Abdurahimov, “Structure, morphology and photoelectric properties of n-GaAs–p-(GaAs)1–x(Ge2)x heterostructure, Herald of the Bauman Moscow State Technical University, Series Natural Sciences, 1(100), 72–87 (2022). http://dx.doi.org/10.18698/1812-3368-2022-1-72-87
D. Mizginov, O. Telminov, S. Yanovich, D. Zhevnenko, F. Meshchaninov, and E. Gornev, “Investigation of the Temperature Dependence of Volt-Ampere Characteristics of a Thin-Film Si3N4 Memristor,” Crystals, 13, 323 (2023). https://doi.org/10.3390/cryst13020323
M.K. Karimov, U.O. Kutliev, S.B. Bobojonova, and K.U. Otabaeva, “Investigation of Angular Spectrum of Scattered Inert Gas Ions from the InGaP (001) Surface,” Physics and Chemistry of Solid State, 22(4), 742–745 (2021)
Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliyev, J.J. Khamdamov, Kh.J. Matchonov, and Kh.Y. Utemuratova, “Research of the Impact of Silicon Doping with Holmium on its Structure and Properties Using Raman Scattering Spectroscopy Methods,” East Eur. J. Phys. 2, 274 (2024), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-28
U.O. Kutliev, M.K. Karimov, F.O. Kuryozov, and K.U. Otabaeva, “Analysis of InGaP(001) surface by the low energy ion scattering spectroscopy,” Journal of Physics: Conference Series, 1889(2), 022063 (2021). https://doi.org/10.1088/1742-6596/1889/2/022063
M. S. Dresselhaus, Solid State Physics Part (I): Transport Properties of Solids Fall, (2001).
Авторське право (c) 2024 Сіражідін З. Зайнабідінов, Акрамжон Ю. Бобоєв Нурітдін Ю. Юнусалієв, Бахтіор Д. Гуломов, Джахонгір А. Урінбоєв
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
