Вплив ударної іонізації на генерацію діодів на основі нітридів
Ключові слова:
ударна іонізація, ефективність генерації, діапазон частот, широкозонний напівпровідник, напруженість електричного поля
Анотація
Розглядається робота діодів на основі сполук AlGaN та InGaN в режимі обмеження накопичення об’ємного заряду. Аналізується ефективність генерації діодів із урахуванням можливості виникнення ударної іонізації.
Аналіз роботи діодів проводився із використанням методу Монте-Карло у наближенні локальної залежності швидкості ударної іонізації від напруженості електричного поля. Визначені максимальні ефективності генерації діодів на заданій частоті та частотний діапазон їх роботи. Отримані енергетичні характеристики діодів з різною довжиною і складом матеріалу. Молярна частка алюмінію і індію змінювалась від 0 до 0,4.
Показано, що ударна іонізація найбільше впливає на роботу InGaN – діодів та призводить до зменшення ефективності їх генерації.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Copeland J.A. LSA Oscillator diode theory. – J. Appl. Phys. / J.A. Copeland. – 1967. – Vol. 38. – P. 3096- 3103.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов / С.Зи. – М.: Мир. – 1984. – т.2. – 456 с.
О. В. Боцула, Э. Д. Прохоров, Д. С. Свергун, К. Г. Приходько Влияние ударной ионизации на эффективность генерации коротких диодов на основе GаN // Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна, Серія «Радіофізика та електроніка» . – 2014. – № 10. – Вип. 22. – С. 62 – 65.
O. V. Botsula, K. H. Pryhodko, V. A. Zozulia. “Impact ionization is short AlZGa1-zN-based diodes,” Telecommunications and Radio Engineering, Vol. 76, No. 1, pp. 61-71, 2017.
Генерация гармоник и умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах / Боцула О. В., Павленко Д. В., Прохоров Э. Д. // Радиофизика и электроника, ИРЭ НАНУ. – 2009. – T. 14. – № 2. – C. 212–217.
Bulutay C. Electron Initiated Impact Ionization in AlGaN Alloys Semicond//Sci. Technol./ C. Bulutay. – 2002. – №17. – P.59–62.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов / С.Зи. – М.: Мир. – 1984. – т.2. – 456 с.
О. В. Боцула, Э. Д. Прохоров, Д. С. Свергун, К. Г. Приходько Влияние ударной ионизации на эффективность генерации коротких диодов на основе GаN // Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна, Серія «Радіофізика та електроніка» . – 2014. – № 10. – Вип. 22. – С. 62 – 65.
O. V. Botsula, K. H. Pryhodko, V. A. Zozulia. “Impact ionization is short AlZGa1-zN-based diodes,” Telecommunications and Radio Engineering, Vol. 76, No. 1, pp. 61-71, 2017.
Генерация гармоник и умножение частоты при ударной ионизации в GaN-диодах / Боцула О. В., Павленко Д. В., Прохоров Э. Д. // Радиофизика и электроника, ИРЭ НАНУ. – 2009. – T. 14. – № 2. – C. 212–217.
Bulutay C. Electron Initiated Impact Ionization in AlGaN Alloys Semicond//Sci. Technol./ C. Bulutay. – 2002. – №17. – P.59–62.
Опубліковано
2018-01-31
Цитовано
Як цитувати
Боцула, О. В., & Приходько, К. Г. (2018). Вплив ударної іонізації на генерацію діодів на основі нітридів. Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Радіофізика та електроніка», (26), 71-74. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/radiophysics/article/view/10181
Розділ
Оригінальна стаття
