Особливості будови кремнію з домішками олова
Анотація
У даній роботі методом рентгенівської дифракції та електронної мікроскопії досліджено зразки монокристалічного кремнію, легованого оловом. Встановлено, що при куті розсіювання 2θ » 36.6° на дифрактограмах зразків n-Si та Si<Sn> спостерігаються структурні рефлекси (110) відповідних нанокристалітів SiO2 з параметрами ґратки. a = b = 0,4936 нм і c = 0,5212 нм і c = 0,5212 нм, що належать до гексагональної кристалічної ґратки та просторової групи P321. Виявлено утворення нанокристалітів олова розміром 9,1 та 8 нм у приповерхневих областях кристалічної решітки матриці Si<Sn>.
Завантаження
Посилання
B.S. Ahmed, B. Anissa, D. Radouan, N. Al Bouzieh, I.K. Durukan, and N. Amrane, East Eur. J. Phys. (1), 294 (2024), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-26
K.S. Daliev, S.B. Utamuradova, J.J. Khamdamov, and M.B. Bekmuratov, “Structural properties of silicon doped rare earth elements ytterbium,” East European Journal of Physics, (1), 375–379 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-37
K.S. Daliev, S.B. Utamuradova, J.J. Khamdamov, and Z.E. Bahronkulov, “Electrophysical properties of silicon doped with lutetium,” Advanced Physical Research, 6(1), 42–49 (2024). https://doi.org/10.62476/apr61.49
Kh.S. Daliev, and Z.M. Khusanov, East Eur. J. Phys. (1), 366 (2024), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-35
T.V. Kritskaya, V.N. Zhuravlev, and V.S. Berdnikov, “The ability to use an inert gas flow to control the qualitative characteristics of grown silicon single crystals,” News from universities. Electronic materials, 22(3), 158-167 (2019). https://doi.org/10.17073/1609-3577-2019-3-158-167
Kh.S. Daliev, Z.E. Bahronkulov, and J.J. Hamdamov, East Eur. J. Phys. (4), 167 (2023), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-18
R.S. Madatov, A.S. Alekperov, F.N. Nurmammadova, N.A. Ismayilova, and S.H. Jabarov, East Eur. J. Phys. (1), 322 (2024), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-29
K.P. Abdurakhmanov, Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, and N.Kh. Ochilova, “On defect formation in silicon with impurities of manganese and zinc,” Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika), 34(2), 73–75 (1998). http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-77949325013&partnerID=MN8TOARS
Z.T. Azamatov, M.A. Yuldoshev, N.N. Bazarbayev, and A.B. Bakhromov, “Investigation of Optical Characteristics of Photochromic Materials,” Physics AUC, 33, 139-145 (2023). https://cis01.central.ucv.ro/pauc/vol/2023_33/13_PAUC_2023_139_145.pdf
V.N. Lozovsky, L.S. Lunin, and B.M. Seredin, “Features of silicon doping using the thermomigration method. News of higher educational institutions,” Electronic materials, 18(3), 179-188 (2015). https://doi.org/10.17073/1609-3577-2015-3-179-188
K.A. Ismailov, Z.M. Saparniyazova, G.T. Kudeshova, G.A. Seytimbetova, and F.A. Saparov, East Eur. J. Phys. (1), 327 (2024), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-30
Sh.B. Utamuradova, Z.T. Azamatov, and M.A. Yuldoshev, Russian Microelectronics, 52, Suppl. 1, S99-S103 (2023). https://doi.org/10.1134/S106373972360022X
K.P. Abdurakhmanov, Sh.B. Utamuradova, Kh.S. Daliev, N.Kh. Ochilova, and Z.O. Olimbekov, “Study of the interimpurity interaction in silicon doped with platinum and iron,” Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika), 34(2), 71–72 (1998).
S.Z. Zainabidinov, Kh.S. Daliev, K.P. Abdurakhmanov, Sh.B. Utamuradova, I.Kh. Khomidjonov, and I.A. Mirzamurodov, “The influence of the impurities with deep levels on the iron behavior in silicon,” Modern Physics Letters B, 11(20), 909–912 (1997). http://dx.doi.org/10.1142/S0217984997001110
К.V. Ravi, Imperfections and impurities in semiconductor silicon, (Wiley, New York, 1981). https://lib.ugent.be/catalog/rug01:001484099
N.A. Hassan, W.H. Albanda, and M.H. Al-Timimi, East Eur. J. Phys. (3), 296 (2023), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-28
Z. He, X. Zhang, X. Wei, D. Luo, H. Ning, Q. Ye, R. Wu, et al., “Solution-Processed Silicon Doped Tin Oxide Thin Films and Thin-Film Transistors Based on Tetraethyl Orthosilicate,” Membranes, 12, 590 (2022). https://doi.org/10.3390/membranes12060590
D. Comedi, O.H.Y. Zalloum, E.A. Irving, J. Wojcik, T. Roschuk, M.J. Flynn, and P. Mascher, “X-ray-diffraction study of crystalline Si nanocluster formation in annealed silicon-rich silicon oxides,” Journal of Applied Physics, 99(2), 023518 (2006). https://doi.org/10.1063/1.2162989
D. Comedi, O.H.Y. Zalloum, E.A. Irving, J. Wojcik, T. Roschuk, M.J. Flynn, and P. Mascher, “X-ray-diffraction study of crystalline Si nanocluster formation in annealed silicon-rich silicon oxides,” Journal of Applied Physics, 99(2), 023518 (2006). https://doi.org/10.1063/1.2162989
C.S.G. Cousins, L. Gerward, and J.S. Olsen, “Multiple diffraction in crystals studied by an X-ray energy-dispersive method,” Physica status solidi (a), 48(1), 113-119 (1978). https://doi.org/10.1002/pssa.2210480115
Y.-H. Miao, H.-Y. Hu, J.-J. Song, R.-X. Xuan, and H.-M. Zhang, “Effects of rapid thermal annealing on crystallinity and Sn surface segregation of Ge1-xSnx films on Si (100) and Si (111),” Chinese Physics B, 26(12), 127306 (2017). https://doi.org/10.1088/1674-1056/26/12/127306
R.A. Puglisi, C. Vecchio, S. Lombardo, S. Lorenti, and M.C. Camalleri, “Charge transport in ultrathin silicon rich oxide/SiO2 multilayers under solar light illumination and in dark conditions,” Journal of Applied Physics, 108(2), 023701 (2010). https://doi.org/10.1063/1.3463381
I. Khidirov, editor, Neutron diffraction, (InTech, Rijeka, Croatia, 2012). http://www.intechopen.com/books/neutron-diffraction
G. Will, Powder Diffraction: The Riyetveld Method and the Two Stage Method of Determine and Refine Crystal Structures from Powder Diffraction Data, (Springer, New York, 2005).
Авторське право (c) 2024 Шаріфа Б. Утамурадова, Баходір Б. Бокієв, Ділором С. Пулатова
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
