Визначення залежності осциляції поперечної електропровідності та магнітоопору від температури в гетероструктурах на основі квантових ям
Анотація
У даній роботі досліджено вплив густини двовимірного стану на осциляції поперечної електропровідності в гетероструктурах з прямокутними квантовими ямами. Отримано новий аналітичний вираз для розрахунку температурної залежності осциляцій поперечної електропровідності та магнітоопору квантової ями. Вперше розроблено механізм осциляції поперечної електропровідності та магнітоопору квантової ями від похідної першого порядку магнітного поля (диференціала) при низьких температурах і слабких магнітних полях. Досліджено осциляції електропровідності та магнітоопору вузькосмугової квантової ями з непараболічним законом дисперсії. Із запропонованою теорією досліджено результати експериментів з вузькосмугою квантовою ямою (InxGa1-xSb).
Завантаження
Посилання
N.A. Yuzeeva, G.B. Galiev, E.A. Klimova, L.N. Oveshnikov, R.A. Lunin, and V.A. Kulbachinskii, Phys. Procedia, 72, 425 (2015). https://doi.org/10.1016/j.phpro.2015.09.087
V. Tarquini, T. Knighton, Zh. Wu, J. Huang, L. Pfeiffer, and K. West, Appl. Phys. Lett. 104, 092102 (2014). https://doi.org/10.1063/1.4867086
I.B. Berkutov, V.V. Andrievskii, Yu.F. Komnik, Yu.A. Kolesnichenko, R.J.H. Morris, and D.R. Leadley, Low Temp. Phys. 38, 1145 (2012). https://doi.org/10.1063/1.4770520
Y. Abdullah, and S. Kashif, J. Phys. Condens. Matter, 27, 435007, (2015). https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/43/435007
A. Bogan, A.T. Hatke, S.A. Studenikin, A. Sachrajda, M.A. Zudov, L.N. Pfeiffer, and K.W. West, J. Phys. Conf. Ser. 456, 012004 (2013). https://doi.org/10.1088/1742-6596/456/1/012004
B.T. Abdulazizov, Eurasian J. Phys. Funct. Mater. 6, 32 (2022). https://doi.org/10.32523/ejpfm.2022060103
F. Sarcan, A. Erol, M. Gunes, M.Ç. Arikan, J. Puustinen, and M. Guina, Nanoscale Res. Lett. 9, 141 (2014). https://doi.org/10.1186/1556-276X-9-141
G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, J.I. Mirzaev, and N.A. Sayidov, Mod Phys Lett B. 37, 2350015 (2023). https://doi.org/10.1142/S021798492350015X
B.T. Abdulazizov, G. Gulyamov, P.J. Baymatov, Sh.T. Inoyatov, M.S. Tokhirjonov, and Kh.N. Juraev, SPIN. 12, 2250002 (2022). https://doi.org/10.1142/S2010324722500023
F. Nutku, O. Donmez, F. Kuruoglu, S. Mutlu, A. Erol, S. Yildirim, and M.C. Arikan, J. Phys. D: Appl. Phys. 48, 305108 (2015). https://doi.org/10.1088/0022-3727/48/30/305108
P.J. Baymatov, A.G. Gulyamov, B.T. Abdulazizov, Kh.Yu. Mavlyanov, and M.S. Tokhirjonov, Int. J. Mod. Phys. B, 35, 2150070 (2021). https://doi.org/10.1142/S0217979221500703
G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, and J.I. Mirzaev, J. Nano- Electron. Phys. 12, 03012 (2020). https://doi.org/10.1142/S0217979220500526
U.I. Erkaboev, G. Gulyamov, J.I. Mirzaev, and R.G. Rakhimov, Int. J. Mod. Phys. B, 34, 2050052 (2020). https://doi.org/10.1142/S0217979220500526
G. Gulyamov, B.T. Abdulazizov, and P.J. Baymatov, J. Nanomater. 2021, 5542559 (2021). https://doi.org/10.1155/2021/5542559
G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, N.A. Sayidov, and R.G. Rakhimov, J. Appl. Sci. Eng. 23, 453 (2020). https://doi.org/10.6180/jase.202009_23(3).0009
Ch.T. Tai, P.Y. Chiu, Ch.Y. Liu, H.Sh. Kao, C.Th. Harris, T.M. Lu, Ch.T. Hsieh, Sh.W. Chang, and J.Y. Li, Adv. Mater. 33, 2007862 (2021). https://doi.org/10.1002/adma.202007862
F.S. Pena, S. Wiedmann, E. Abramof, D.A.W. Soares, P.H.O. Rappl, S. Castro, and M.L. Peres, Phys. Rev. B, 103, 205305 (2021.) https://doi.org/10.1103/PhysRevB.103.205305
U.I. Erkaboev, G. Gulyamov, J.I. Mirzaev, R.G. Rakhimov, and N.A. Sayidov, Nano, 16, 2150102 (2021). https://doi.org/10.1142/S0217984921502936
U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, and N.A. Sayidov, Mod. Phys. Lett. B, 35, 2150293 (2021). https://doi.org/10.1142/S0217984921502936
P.J. Baymatov, A.G. Gulyamov, and B.T. Abdulazizov, Adv. Condens. Matter Phys. 2019, 8317278 (2019). https://doi.org/10.1155/2019/8317278
N.Q. Bau, and B.D. Hoi, Int. J. Mod. Phys. B, 28, 1450001 (2014). https://doi.org/10.1142/S0217979214500015
U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, N.A. Sayidov, and J.I. Mirzaev, Indian J. Phys. 97, 1601 (2023). https://doi.org/10.1007/s12648-022-02435-8
U.I. Erkaboev, U.M. Negmatov, R.G. Rakhimov, J.I. Mirzaev, and N.A. Sayidov, Int. J. Appl. Sci. Eng. 19, 2021123(2022). https://doi.org/10.6703/IJASE.202206_19(2).004
I.B. Berkutov, V.V. Andrievskii, Yu.F. Komnik, and O.A. Mironov, Low Temp. Phys. 36(12), 1076 (2010). https://doi.org/10.1063/1.3536348
A.Ya. Shik, L.G. Bakueva, S.F. Musikhin, and S.A. Rykov, Physics of low-dimensional system, (Press “Science”, Saint Petersburg, 2001).
U.I. Erkaboev, G. Gulyamov, and R.G. Rakhimov, Indian J. Phys. 96, 2359 (2022). https://doi.org/10.1007/s12648-021-02180-4
W. Zawadzki, A. Raymond, and M. Kubisa, Phys. Status Solidi B, 251(2), 247 (2013). https://doi.org/10.1002/pssb.201349251
A.I. Anselm, Phys.-Uspekhi. 85(1), 183 (1965). https://doi.org/0.3367/UFNr.0085.196501f.0183
G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, and P.J. Baymatov, Adv. Condens. Matter Phys. 2016, 5434717 (2016). https://doi.org/10.1155/2016/5434717
P.J. Baymatov, and B.T. Abdulazizov, Ukr. J. Phys. 62(1), 46 (2017). https://doi.org/10.15407/ujpe62.01.0046
V.N. Brudnyi, N.G. Kolin, and A.I. Potapov, Semiconductors, 37(4), 390 (2003). https://doi.org/10.1134/1.1568456
R. Magno, E.R. Glaser, B.P. Tinkham, J.G. Champlain, J.B. Boos, M.G. Ancona, and P.M. Campbell, J. Vac. Sci. Technol. B: Nanotechnol. Microelectron. 24(3), 1622 (2006). https://doi.org/10.1116/1.2201448
Цитування
The influence of light on transverse magnetoresistance oscillations in low-dimensional semiconductor structures
Erkaboev U. I., Gulyamov G., Dadamirzaev M., Rakhimov R. G., Mirzaev J. I., Sayidov N. A. & Negmatov U. M. (2025) Indian Journal of Physics
Crossref
Modeling the Temperature Dependence of Shubnikov-De Haas Oscillations in Light-Induced Nanostructured Semiconductors
Erkaboev Ulugbek I., Rakhimov Rustamjon G., Mirzaev Jasurbek I., Sayidov Nozimjon A. & Negmatov Ulugbek M. (2024) East European Journal of Physics
Crossref
Influence of Temperature and Light on Magnetoresistance and Electrical Conductivity Oscillations in Quantum Well Heterostructured Semiconductors
U.I. ERKABOEV, R.G. RAKHIMOV , J.I. MIRZAEV , N.A SAYIDOV & U.M. NEGMATOV (2024) Romanian Journal of Physics
Crossref
Effect of temperature and magnetic field on the density of surface states in semiconductor heterostructures
Erkaboev U.I., Sharibaev N.Yu., Dadamirzaev M.G. & Rakhimov R.G. (2024) e-Prime - Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy
Crossref
Characterization of induced quasi-two-dimensional transport in n-type InxGa1−xAs1 − yBiy bulk layer
Aydin Mustafa, Yilmaz Selen Nur, Bork James, Zide Joshua, Erol Ayse & Donmez Omer (2024) Applied Physics A
Crossref
Erkaboev U. I., Rakhimov R. G., Mirzamahmudov A. B., Sayidov N. A. & Negmatov U. M. (2025)
Crossref
Modeling influence of temperature and magnetic field on the density of surface states in semiconductor structures
Erkaboev U. I., Sharibaev N. Yu., Dadamirzaev M. G. & Rakhimov R. G. (2025) Indian Journal of Physics
Crossref
Electron energy relaxation mechanism in n-type InxGa1-xAs1-yBiy alloys under electric and magnetic fields
Aydin Mustafa, Yilmaz Selen Nur, Erol Ayse, Bork James, Zide Joshua & Donmez Omer (2024) Physica Scripta
Crossref
Semiclassical path integral implementation on the study of the temperature-dependent resonant tunneling in an AlGaAs/GaAs double-barrier heterostructure
Douvropoulos Theodosios Geo (2026) Physica Scripta
Crossref
Modeling the temperature and magnetic field dependence of the band gap in narrow-gap quantum well semiconductors
Erkaboev U.I., Rakhimov R.G., Mirzaev J.I., Sayidov N.A., Dadamirzaev M.G. & Temirov Q.A. (2026) Nano-Structures & Nano-Objects
Crossref
Авторське право (c) 2023 Улугбек І. Еркабоєв, Рустамжон Г. Рахімов
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
