Характеристики шумових діодів з варізонним катодом з урахуванням ефектів саморозігрівання

  • В. О. Зозуля Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна https://orcid.org/0000-0002-7371-5424
  • К.Г. Приходько Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна https://orcid.org/0000-0001-7627-1171
Ключові слова: GaN, меза-структура, напруженість електричного поля, статичний домен, варізонний шар, ударна іонізація, самонагрівання

Анотація

Актуальність. Існує ряд обмежень щодо отримання генерації електромагнітних коливань на високих частотах та функціонального застосування твердотілих електронних пристроїв. Фізичні обмеження, або інерційність ключових процесів, які визначають його роботу, часто є перешкодою для досягнення відповідної робочої частоти, або потрібного функціоналу. Використання варізонних матеріалів та їх вдале поєднання із структурою приладу, на зразок біполярних гетеротранзисторів, або діодів на основі міждолинного переносу електронів, часто може забезпечити отримання відповідних характеристик. Використання варізонних матеріалів дає змогу покращити частотні характеристики приладів, що є актуальним для створення зокрема активних елементів призначених для генерації складних шумових сигналів.

Метою роботи є розробка та визначення характеристик активного елементу на основі GaN з варізонною меза-структурою на основі InGaN.

Методи і методологія. Для моделювання роботи діода та отримання його характеристик використано багаточастинковий метод Монте-Карло, що містив процедуру визначення розподілу температури та враховував теплові властивості контактних областей (катоду, аноду і підкладки).

Результати. Запропоновано активний елемент на основі GaN для застосування в широкому діапазоні частот. Структура діода являє собою провідний канал з катодною мезо-структурою на основі варізонного шару InGaN та двома омічними контактами до катода та анода. Отримано характеристики діода при постійному струмі. Розглянуто умови для отримання необхідного розподілу електричного поля в катоді діода.

Висновки. Характеристики активного елемента на основі GaN з варізонною InGaN меза-структурою на катоді було отримано моделюванням методом Монте-Карло. Показано, що в такій структурі можна отримати стабілізацію електричного поля, ударну іонізацію та використати її для генерації шумового сигналу в широкій смузі частот.  

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Біографії авторів

В. О. Зозуля , Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна

61022, м. Харків, м. Свободи,4

К.Г. Приходько, Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна

61022, м. Харків, м. Свободи,4

Посилання

Shur M. S. GaAs Devices and Circuits. Springer London, Limited, 2013. https://doi.org/10.1007/978-1-4899-1989-2

Kaydash MV. Properties of AlInN Graded-Gap Gunn Diodes. Telecommun Eng. 2014; 73(10):899-908. https://doi.org/10.1615/telecomradeng.v73.i10.40

Storozhenko I, Sanin S. Advanced Micron Sized Gunn Diode Based on Graded-Gap GaPAs – GaInAs. J Nano Electron Phys. 2022; 14(1):01027-1. https://doi.org/10.21272/jnep.14(1).01027

Storozhenko I, Sanin S. Terahertz Oscillations in InN Gunn Diodes with an Active Region Length of 1 mm and With A Graded GaInN Layer. PHYS ASTRON. 2022; 27(4):289-98. https://doi.org/10.15407/rpra27.04.289

Botsula OV, Zozulia VO. Generation of THz Oscillations by Diodes with Resonant Tunneling Boundaries. J Nano Electron Phys. 2020; 12(6):06037-1. https://doi.org/10.21272/jnep.12(6).06037

Botsula OV, Prykhodko KH, Zozulia VO. Diodes with Lateral n+-n -Border. 2019 IEEE 2nd Ukraine Conference on Electrical and Computer Engineering (UKRCON); 2-6 лип. 2019; Lviv, Ukraine.: IEEE; 2019. https://doi.org/10.1109/UKRCON.2019.8879884

Botsula OV, Prykhodko KH. Graded Band InGaN- Based Diode for Noise Generation in Terahertz Range. 2020 IEEE Ukrainian Microwave Week (UkrMW); 21-25 верес. 2020; Kharkiv, Ukraine.: IEEE; 2020. https://doi.org/10.1109/UkrMW49653.2020.9252763

Adachi S. Properties of semiconductor alloys: Group-IV, III-V and II-VI semiconductors. Chichester, West Sussex, U.K: Wiley; 2009. https://doi.org/10.1002/9780470744383

Morkoç H. Handbook of nitride semiconductors and devices. Weinheim: Wiley-VCH; 2008. https://doi.org/10.1002/9783527628438

Siddiqua P, Hadi WA, Shur MS, O’Leary SK. A 2015 perspective on the nature of the steady-state and transient electron transport within the wurtzite phases of gallium nitride, aluminum nitride, indium nitride, and zinc oxide: a critical and retrospective review. J Mater Sci. 23 трав. 2015;26(7):4475-512. https://doi.org/10.1007/s10854-015-3055-7

Zozulia VO, Khodachok YS, Botsula OV, Prykhodko KH. Self–Heating Effect in Planar GaN Diode with 2D- h-BN - Layer. J Nano Electron Phys. 2024; 16(6):06034-1. https://doi.org/10.21272/jnep.16(6).06034

Jacoboni C, Reggiani L. The Monte Carlo method for the solution of charge transport in semiconductors with applications to covalent materials. Rev Mod Phys. 1 лип. 1983; 55(3):645-705. https://doi.org/10.1103/RevModPhys.55.645

Joppich W, Mijalković S. Multigrid methods for process simulation. Microelectron J. Берез. 1995; 26(2-3):xxvii—xxviii. https://doi.org/10.1016/0026-2692(95)90020-9

Prykhodko K, Zozulia V, Botsula O, Gorovyi I, Khodachok Y. Impact of Temperature on Graded Gap InGaN-based Diode Characteristics. 2024 IEEE 17th International Conference on Advanced Trends in Radioelectronics, Telecommunications and Computer Engineering (TCSET); 8-12 жовт. 2024; Lviv, Ukraine. IEEE; 2024. с. 1-4. https://doi.org/10.1109/TCSET64720.2024.10755943

Sarua A, Ji H, Hilton KP, Wallis DJ, Uren MJ, Martin T, Kuball M. Thermal Boundary Resistance Between GaN and Substrate in AlGaN/GaN Electronic Devices. IEEE Trans Devices. 2007; 54(12):3152-8. https://doi.org/10.1109/TED.2007.908874

Donovan BF, Szwejkowski CJ, Duda JC, Cheaito R, Gaskins JT, Peter Yang CY, Constantin C, Jones RE, Hopkins PE. Thermal boundary conductance across metal-gallium nitride interfaces from 80 to 450 K. Appl Phys Lett. 17 листоп. 2014;105(20):203502. https://doi.org/10.1063/1.4902233

Опубліковано
2025-12-30
Цитовано
Як цитувати
Зозуля , В. О., & Приходько, К. (2025). Характеристики шумових діодів з варізонним катодом з урахуванням ефектів саморозігрівання. Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Радіофізика та електроніка», (43), 62-67. https://doi.org/10.26565/2311-0872-2025-43-06