Static characteristics of heterojunction GaAs-AlGaAs diodes for microwave noise

  • О. В. Боцула Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна, 4, пл. Свободи, Харків,61077, Україна, Тел.(0572) 7051262
Keywords: impact ionization, static cathode domain, current voltage characteristics, heterojunction, breakdown voltage

Abstract

Diode where in a cathode the static domain has been formed under certain conditions is considered. An impact ionization, avalanche transit effects and noise generation are arisen іn the such diodes in wide frequency range. The analysis of the diode operation was performed using Monte Carlo technique. The possibility of impact ionization and present of as electron as hole are take into consideration. An insertion of heterojunction influence on maximal electric field position more then its magnitude have been shown. A current – voltage characteristics of considered diodes show the same features. They contain region of sublinear current increasing to be have tendency toward saturation up to certain voltage and superliner growth of current associated with the impact ionization in the domain of a strong field.

Downloads

Download data is not yet available.

References

1. Прохоров Э.Д., Скоробогатова С.Н., Золотарев Е.С., Генерация СВЧ шума диодом с катодным статическим доменом//Радиотехника и электроника. – 1976. – Вып.21. – № 8. – С. 1732-1739.

2. Прохоров Э.Д., Боцула О.В., Соколов С.Б. Влияние параметров прикатодной области диода с катодным статическим доменом на порог генерации СВЧ шума// Радиофизика и электроника. – 2010. – Вып. 15. – № 1. – С. 91-95.

3. Золотарев Е.С., Прохоров Э.Д., Модели диодов с катодным статическим доменом//Радиотехника и электроника. – 1990. – Вып. 35. – № 10. – С. 2221- 2223.

4. Прохоров Э.Д., Скоробогатова С.Н., Шумовой спектр диода с катодным статическим доменом// Радиотехника и электроник. – 1985. – Вып. 31. – № 7. – С.1447- 1449.

5. А. с. № 1591775 Диод для генерации СВЧ шума / Прохоров Э. Д., Золотарев Е. С. (СССР). – от. 26. 07. 1989.

6. Прохоров Э. Д., Боцула О. В., Горбунов И. А. Моделирование диода с катодным статическим доменом методом Монте-Карло // Вестник ХНУ, Радиофизика и электроника. – 2013. – № 10. – Вып. 22-23. – C. 112- 115.

7. Cook R. K., Frey J., Diffusion effects “Ballistic Transport”// IEEE Trans. Electron Devices. – 1981. – ED-28(8). – P. 951-953.

8. Vurgaftman I., Meyer J. R., Ram-Mohan L. R. Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys // Jornal of applied physics. – 2001. – Vol. 89. – No 11. – P. 5815 – 5875.

9. Jacoboni C., Reggiani L. The Monte Carlo method for the solution of charge transport in semiconductors with applications to covalent materials // Rev. Modern Physics. – 1983. – V. 55. – N. 3. – 1983. – P. 675 -705.

10. Canali С., Pavan Р. Lugli P., Malik R., Manfredi M., Neviani A., Vendrame L., Zanoni E., Zandler G. Experimental and Monte Carlo Analysis of Impact-Ionization in AlGaAs/GaAs HBT’s // IEEE Transaction on electron devices. – 1996. – Vol. 43. – No 11. P. 1769 – 1777.
Cited
How to Cite
Боцула, О. В. (1). Static characteristics of heterojunction GaAs-AlGaAs diodes for microwave noise. Visnyk of V.N. Karazin Kharkiv National University, Series “Radio Physics and Electronics”, (24), 91–94. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/radiophysics/article/view/6391