Element of non-volatile memory based on quantum dots
Abstract
This paper proposes a perspective flash memory element which is used as a storage cell array of self-assembled quantum dots as an intermediate layer in the structure of a field effect transistor with modulated doping. Described the physical basis of information storage in the proposed memory cell. A schematic structure of the element and its operation of recording, reading and erasing of information storage studied based on GaAs / AlGaAs MODFET transistor structure. The structure of the layer of quantum dots is proposed to grow on the basis of the principle of self-consistent growth of Stransky-Krastanov. The rewriting cycle in a memory cell based on a quantum dot is performed by changing the gate voltage, as well as in traditional flash memory.
Downloads
References
L. Geppert, “The new indelible memories—it’s a three-wayrace in the multibillion-dollar memory sweepstakes,” IEEE Spectrum, vol. 40, no. 3, pp. 48–54, 2003.
Демиховский, В.Я., Вугальтер Г.А. Физика квантовых низкоразмерных структур - М.: Логос, 2000. - 57 с.
Астахов, М.В. Перспективные материалы - М.В. Астахов, А.В. Белый, Н.Е. Капуткина. - Витебск: УО "ВГТУ Витебск", 2009. - 76 с.
Оура К., Лифшиц В. Г., Саранин А. А. и др. Введение в физику поверхности - Под ред. В. И. Сергиенко. - М.: Наука, 2006. - 490 с.
Эсаки, Л. Молекулярно-лучевая эпитаксия и развитие технологии полупроводниковых сверхрешеток и структур с квантовыми ямами В кн: Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры.: Пер. с англ. - Под ред. Л. Ченга, К Плога, Л. Эсаки. - М.: Мир, 1989.
T. Muller, F. F. Schrey, G. Strasser, and K. Unterrainer, Ultrafast intraband spectroscopy of electron capture and relaxation in InAs/GaAs quantum dots, Appl. Phys. Lett. 83(17), 2003.
M. Geller, A. Marent, E. Stock, D. Bimberg, V. I. Zubkov, I. S. Shulgunova, and A. V. Solomonov, Hole capture into self-organized InGaAs quantum dots, Appl. Phys. Lett. 89(23), 2006.
Слабый К.Г. Распределение зарядов в структуре элемента энергонезависимой памяти на основе квантовой точки - 19-й международный молодежный форум «Радиоэлектроника и молодежь в ХХI веке»: Сб. материалов форума.- Харьков: ХНУРЭ, 2015.
Астахов, М.В., Белый А.В., Капуткина Н.Е. - Перспективные материалы - Витебск: УО "ВГТУ Витебск", 2009.
Слабый К.Г. Ячейка флеш-памяти на основе квантовой точки - VIII международная научная конференция «Функциональная база наноэлектроники»: Сб. научных трудов. – Харьков: ХНУРЭ, 2015.
