Вплив структурних та електрофізичних параметрів РТД на коефіцієнт ДБКС

М. М. Ибадуллин Харьковский национальный университет радиоэлектроники

Ключові слова: квантово - розмірна структура, енергія електронів, потенційна яма, активна область, допоміжний бар'єр

Анотація

У роботі наводиться короткий ознайомчий огляд впливу структурних та електрофізичних параметрів РТД на коефіцієнт ДБКС. Дослідження проводилось при зміні наступних параметрів: зовнішньої напруги прикладеної до структури, висоти допоміжних бар’єрів, а також довжини активної області РТД. Однією з цілей данного дослідження був порівняльний аналіз структур із різними формами потенціальної ями, а саме прямокутної та параболічної, це зумовлено інтересом до компліментарності реалізації структури, та основною тематикою статті

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

Абрамов И.И., Гончаренко И.А. Комбинированная модель резонасно – туннельного диода //Физика и техника полупроводников. – 2005. – Том 39, Вып. 9. – C. 1138-1145.

Yoder P.D., Grupen M. Demonstration of intrinsic tristability in doublebarrier resonant tunneling diodes with the Wigner transport equation // IEEE Trans. Electron Dev. – 2010. – Vol. 57. – P. 3265–3274.

Anantram M.P., Lundstrom M.S. Modeling of Nanoscale Devices // Proceedings of the IEEE. – 2008. – Vol. 96. – P. 1511–1550.

Vurgaftman I., Meyer J.R. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys // Appl. Phys. – 2001. – Vol. 89, 11. – P. 5815–5862.

Фистуль В.И. Туннельные диоды. – М.:Наука, 1962. Том LXXVII, Вып. 1. – 52 с.