Вплив температури на характеристики шумових діодів з гетерокатодом
Анотація
Актуальність. Створення компактних джерел шуму в широкому діапазоні частот, що здатні підтримувати незмінні в часі та від зовнішніх умов характеристики і формувати еталонні сигнали для вимірювання шумових характеристик підсилювачів та приймачів, є актуальною задачею в галузі телекомунікації та безпеки. Зразком приладів, які здатні задовольнити вимоги до джерел шуму, є діоди з катодним статичним доменом (ДКСД). Важливим фактором, який впливає на характеристики напівпровідникових приладів, є температура та ефект саморозігрівання.
Метою роботи є дослідження впливу температури та саморозігрівання на характеристики ДКСД на основі нітридних сполук, що містять варізонний шар на катоді.
Методи і методологія. Для отримання характеристик діода проводиться числове моделювання процесів переносу заряду в двовимірних напівпровідникових структурах з використанням багаточастинкового методу Монте-Карло. Враховуються всі суттєві механізми розсіяння носіїв заряду. У роботі обчислюються залежності густини струму, що протікає в діоді від величини постійної напруги на ньому, в умовах різної температури, в тому числі з урахуванням генерації тепла в ньому при протіканні електричного струму.
Результати. Отримано залежності густини струму від прикладеної напруги живлення для різних конструкцій ДКСД з варізонним AlGaN - катодом за умов сталої температури різної величини та з урахуванням ефектів саморозігрівання. Показано, що підвищення температури призводить до зменшення густини струму, що протікає через діод, а ефекти саморозігрівання можуть суттєво обмежити діапазон робочих напруг діода.
Висновки. Продемонстровано вплив температури на роботу діодів на основі AlGaN з варізонним гетерокатодом. Підвищення температури призводить до обмеження робочих напруг діода і в умовах виникнення ударної іонізації може привести до руйнування діода.
Завантаження
Посилання
Crandall JP, O JH, Gajwani P, et al. Measurement of Brown Adipose Tissue Activity Using Microwave Radiometry and F-FDG PET/CT. Journal of Nuclear Medicine. 2018 Aug; 59(8): 1243–1248.
Song HJ, Tadao Nagatsuma. Handbook of Terahertz Technologies. CRC Press; 2015.
Isogawa T, Kumashiro T, Song HJ, Ajito K, Kukutsu N, Iwatsuki K, et al. Tomographic Imaging Using Photonically Generated Low-Coherence Terahertz Noise Sources. IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology. 2012 Sep;2(5):485–92.
Chan WL, Deibel J, Mittleman DM. Imaging with terahertz radiation. Reports on Progress in Physics. 2007 Jul 12;70(8):1325–79.
Price DC, Greenhill LJ, Fialkov A, et al. Design and characterization of the Large-aperture Experiment to Detect the Dark Age (LEDA) radiometer systems. Monthly Notices of the Royal Astronomical Society. 2018 May; 478(3): 4193–4213.
Kramer HJ. Observation of the Earth and Its Environment: Survey of Missions and Sensors. Springer-Verlag; 2002.
Parashare CR, Kangaslahti PP, Brown ST, et al. Noise sources for internal calibration of millimeter-wave radiometers. 13th Specialist Meeting On Microwave Radiometry and Remote Sensing of the Environment (Microrad). 2014 Mar.
Ehsan N, Piepmeier J, Solly M, Macmurphy S, Lucey J, Wollack E. A robust waveguide millimeter-wave noise source. 2015 European Microwave Conference (EuMC). 2015 Sep 7.
Dunleavy L, Smith M, Lardizabal S, Fejzuli A, Roeder R. Design and characterization of fet based cold/hot noise sources. IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest. 1997 Jun 8.
Kantanen M, Weissbrodt E, Varis J, et al. Active cold load MMICs for Ka-, V-, and W-bands. IET Microwaves, Antennas & Propagation. 2015 Jun, 9(8): 742–47.
Prokhorov ED, Botsula OV, Dyadchenko AV, Gorbunov IA. Monte Carlo sіmulation of diode with cathode static domain. 2013 23rd Int. Crimean Conference “Microwave & Telecommunication Technology” (CriMiCo). 2013 Sep 8.
Storozhenko IP. Static domain in a transferred-electron device based on graded-gap AlGaAs. Telecommunications and Radio Engineering. 2016; 75(12): 1101–11.
Botsula O, Prykhodko K, Zozulia V. Modeling of Planar 2D/3D Semiconductor Heterostructures Based on MoS2/GaN Junction. 2022 IEEE Ukrainian Microwave Week (UkrMW). 2022 Nov 14.
Fan A, Tarau C, Bonner R, Palacios T, Kaviany M. 2-D simulation of hot electron-phonon interactions in a submicron gallium nitride device using hydrodynamic transport approach. ASME 2012 Summer Heat Transfer Conference (HT2012). 2012 Jul 8.
Wang HY, Xu H, Huang TT, Deng CS. Thermodynamics of wurtzite GaN from first-principle calculation. The European Physical Journal B. 2008 Mar, 62: 39–43.
Venkatachalam A, James W, Graham S. Electro-Thermal- Mechanical Modeling of GaN-based HFETs and MOSHFETs. Semiconductor Science and Technology. 2011 Jun, 26(8): 085027-2.
Vitanov S, Palankovski V, Maroldt SR. Quay High-temperature modeling of AlGaN/GaN HEMTs. Solid-State Electronics. 2010 Oct, 54(10): 1105–12.
Adachi S. Properties of semiconductor alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors. John Wiley & Sons; 2009.
Quay R. Gallium Nitride Electronics. Springer; 2008.