Моделювання спектра густини станів під час деформації в легованому кремнії p‑Si<B, Mn>
Анотація
Представлено деформаційну (деформаційну) модель спектра густини локалізованих станів Nss(E,X) в p‑Si⟨B,Mn⟩ під одноосьовим тиском X. Показано, що зміщення рівнів пасток можна описати енергією деформації Ed = κX, механічним аналогом kT. При фіксованій температурі T = 77 K збільшення X призводить до зміщення та перебудови спектра: термодонорні (TD) рівні рухаються до зони провідності, тоді як рівні марганцю (Mn) зміщуються до валентної зони, що узгоджується з протилежними тенденціями, що спостерігаються в ρ(X) та μ(X).
Завантаження
Посилання
O.O. Mamatkarimov, O. Khimmatkulov, and I.G. Tursunov, “Tensostimulated Effect in a Doped and Heat-Treated Silicon at an Oriented Deformation,” Phys. Solid State, 63, 738–741 (2021). https://doi.org/10.1134/S1063783421050127
N. Zikrillaev, Kh. Iliev, G. Mavlonov, S. Isamov, and M. Madjitov, “Negative magnetoresistance in silicon doped with manganese,” E3S Web of Conferences, 401, (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340105094
G. Gulyamov, N.U. Sharibaev, “Determination of the density of surface states at the semiconductor-insulator interface in a metal-insulator-semiconductor structure,” Semiconductors, 45, 174–178 (2011). https://doi.org/10.1134/S1063782611020084
N.Yu. Sharibaev, PhD Dissertation, Namangan State Technical University (2023).
K. Torigoe, and T. Ono, “Formation of thermal donor enhanced by oxygen precipitation in silicon crystal,” AIP Advances, 10, 045019 (2020). https://doi.org/10.1063/1.5140206
D. Zhang, X. Chen, Y. Jin, X. Cao, D. Zhu, Y. Wang, G. Ding, et al., “Raman study on vapor-phase equilibrated Er:LiNbO3 and Er:Ti:LiNbO3 crystals,” Appl. Phys. A, 72, 95–102 (2001). https://doi.org/10.1007/s003390000595
A. Peaker, J. Evans-Freeman, L. Dobaczewski, V. Markevich, O. Andersen, L. Rubaldo, et al., “High Resolution Laplace Deep Level Transient Spectroscopy A New Tool To Study Implant Damage In Silicon,” (2002). https://www.researchgate.net/publication/2834687_High_Resolution_Laplace_Deep_Level_Transient_Spectroscopy_A_New_Tool_To_Study_Implant_Damage_In_Silicon
Y. Tokuyama, M. Suezawa, N. Fukata, T. Taishi, and K. Hoshikawa, “Occupation site change of self-interstitials and group-III acceptors in Si crystals: Dopant dependence of the Watkins replacement efficiency,” Phys. Rev. B, 69, 125217 (2004). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.69.125217
H. Yin, A. Kumar, J.M. LeBeau, and R. Jaramillo, “Defect-level switching for highly nonlinear and hysteretic electronic devices,” Phys. Rev. Applied, 15, 014014 (2021). https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.15.014014
S. Tyaginov, V. Sverdlov, I. Starkov, W. Gös, and T. Grasser, “Impact of O–Si–O bond angle fluctuations on the Si–O bond-breakage rate,” Microelectronics Reliability, 49, 1260–1264 (2009). https://doi.org/10.1016/j.microrel.2009.06.018
J. Rozen, S. Dhar, M.E. Zvanut, and J.R. Williams, “Density of interface states, electron traps, and hole traps as a function of the nitrogen density in SiO₂ on SiC,” J. Appl. Phys. 105, 124506 (2009). https://doi.org/10.1063/1.3131845
A.A. Barlian; W.-T. Park; J.R. Mallon; A.J. Rastegar; and B.L. Pruitt, “Review: Semiconductor Piezoresistance for Microsystems,” Proceedings of the IEEE, 97(3), 513–552 (2009). https://doi.org/10.1109/JPROC.2009.2013612
Авторське право (c) 2026 М.А. Рахманов, І.Г. Турсунов, О.О. Маматкарімов, Н.Ю. Шарібаєв, С.С. Шаріпбаєв
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
