Вплив температури на вольт-амперні характеристики гетероструктур n-GaAs-p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x(GaAs1–δBiδ)y
Анотація
У цій статті досліджуються електрофізичні властивості гетероструктур n-GaAs-p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x(GaAs1–δBiδ)y за різних температур. Епітаксійні n-GaAs-p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x(GaAs1–δBiδ)y, вирощені на підкладках GaAs, показали p-тип провідності, їх питомий опір (5 Ом·см), концентрація носіїв заряду (ρ = 1,5·1016 см-³) та рухливість носіїв (μ = 300 см²/В·с) були визначені методом Холла. Експериментальні значення рухливості основних носіїв заряду дозволили нам визначити рухливість неосновних носіїв заряду, яка становила (μ = 1890 см²/В·с) за допомогою теоретичних розрахунків. У вольт-амперних (ВАХ) характеристиках гетероструктури n-GaAs-p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x(GaAs1–δBiδ)y виявлено квадратичну залежність J ~ V², і ця залежність не змінюється зі збільшенням температури при переході до областей з різким збільшенням струму. Аналіз цих областей вольт-амперної характеристики показав, що механізм протікання струму визначається прямим дрейфом носіїв заряду. Було запропоновано використовувати гетероструктури n-GaAs-p-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x(GaAs1–δBiδ)y в підсилювачах напруги, перетворювачах постійної напруги, а також в електронних та термоелектронних пристроях.
Завантаження
Посилання
T. Danilova, B. Zhurtanov, A. Imenkov and Y. Yakovlev, Semiconductors, 39, 1235 (2005). https://doi.org/10.1134/1.2128447
A. Krier, X.L. Huang and V.V. Sherstnev, in: Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics. Springer Series in Optical Sciences, edited by A. Krier, vol 118, (Springer, London 2006), pp. 359–394. https://doi.org/10.1007/1-84628-209-8_11
T. Li, P. Wang, H. Fu, et al., Physical Review Letters, 115(13), 136804 (2015). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.115.136804
S. Zainabidinov, A. Saidov, M. Kalanov and A. Boboev, Applied Solar Energy, 55, 291 (2019). https://doi.org/10.3103/S0003701X1905013X
A.S. Saidov, S.Z. Zainabidinov, M.U. Kalanov, A.Y. Boboev and B.R. Kutlimurotov, Applied Solar Energy, 51(3), 206 (2015). https://doi.org/10.3103/S0003701X15030111
S. Suprun, V. Sherstyakova and E. Fedosenko, Semiconductors, 43(11), 1526 (2009). https://doi.org/10.1134/S1063782609110220
A.Y. Boboev. East European Journal of Physics. 3, 216 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-3-31
S. Saidov, A.Yu. Leiderman, Sh.N. Usmonova and U.P. Asatova, Technical Physics Letters. 46(11), 1124 (2020). https://doi.org/10.1134/S1063785020110279
S. Zainabidinov, A.Y. Boboev and N.Y. Yunusaliyev, East Eur. J. Phys. (2), 321 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-37
S. Zainabidinov, A. Saidov, A. Boboev and D. Abdurahimov. Herald of the Bauman Moscow State Technical University, Series Natural Sciences. 100(1), 72 (2022). https://doi.org/10.18698/1812-3368-2022-1-72-87
C. Wang, R.C.I. MacKenzie, U. Würfel, D. Neher, T. Kirchartz, C. Deibel and M. Saladina, Advanced Energy Materials, 240, 5889 (2025). https://doi.org/10.1002/aenm.202405889
S. Kumar and R. Singh, IEEE Transactions on Electron Devices, 68(4), 1892 (2021). https://doi.org/10.1109/TED.2021.3062803
A.Y. Boboev, B.M. Ergashev, N.Y. Yunusaliyev, J.S. Madaminjonov, East Eur. J. Phys. (2), 431 (2025), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2025-2-53
Sh.A. Mirsagatov, A.Yu. Leiderman and O.K. Ataboev, Phys. Solid State, 55, 1635 (2013). https://doi.org/10.1134/S1063783413080192
Z. Chen and Y. Zhao, Physical Review B, 101(19), 195305 (2020). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.101.195305
S.Z. Zainabidinov and Kh.M. Madaminov, Bulletin of Bauman Moscow State Technical University, Natural Sciences Series, 4, 58 (2020).
J. Wang, et al., Microelectronics Reliability, 144, 114967 (2023). https://doi.org/10.1016/j.microrel.2023.114967
Y. Zhang, et al., Applied Physics Letters, 119, 052102 (2021). https://doi.org/10.1063/5.0059687
Авторське право (c) 2025 Акрамжон Ю. Бобоєв, Ікболжон М. Солієв, Нурітдін Ю. Юнусалієв, Муродилжон М. Хотамов
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
