Ефективний заряд домішкових атомів Mn та Ni в кремнії під впливом зовнішнього електричного поля
Анотація
У даній роботі досліджено дифузію домішкових атомів Mn та Ni до зразків p-Si та n-Si під дією зовнішнього електричного поля в інтервалі температур T~800÷1300°C. Результати досліджень показують, що при температурах вище 1000℃ ефективний заряд іона марганцю має негативне значення, а при температурах нижче 900℃ ефективний заряд має позитивне значення. В інтервалі температур T=800÷1250°C іони нікелю рухаються в протилежному напрямку до поточного напрямку електричного поля. Збільшення ефективного заряду з підвищенням температури пояснювали притяганням електронами нейтральних атомів нікелю.
Завантаження
Посилання
B.I. Boltaks and T.D. Dzhafarov, “The Effect of Applied Electric Field on Diffusion of Impurities in Gallium Arsenide”, Phys. Stat. Sol. 19, 705 (1967). https://doi.org/10.1002/pssb.19670190221
X.M. Iliyev, Z.B. Khudoynazarov, B.O. Isakov, M.X. Madjitov, and A.A. Ganiyev, “Electrodifusion of manganese atoms in silicon”, East European journal of physics, (2), 384-387 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-48
N.F. Zikrillayev, S.B. Isamov, B.O. Isakov, T. Wumaier, Li wen Liang, J.X. Zhan, and T. Xiayimulati, “New Technological Solution for the Tailoring of Multilayer Silicon-based Systems with Binary Nanoclusters Involving Elements of Groups III and V”, Journal of nano- and electronic physics, 15(6), 06024 (2023). https://doi.org/10.21272/jnep.15(6).06024
X.M. Iliyev, V.B. Odzhaev, S.B. Isamov, B.O. Isakov, B.K. Ismaylov, K.S. Ayupov, Sh.I. Hamrokulov, and S.O. Khasanbaeva, “X-ray diffraction and Raman spectroscopy analyses of GaSb-enriched Si surface formed by applying diffusion doping technique”, East European journal of physics, (3), 363-369 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-38
X.M. Iliyev, S.B. Isamov, B.O. Isakov, U.X. Qurbonova, and S.A. Abduraxmonov, “A surface study of Si doped simultaneously with Ga and Sb”, East European journal of physics, (3), 303-307 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-29
Kh.M. Iliev, N.F. Zikrillaev, K.S. Ayupov, B.O. Isakov, B.A. Abdurakhmanov, Z.N. Umarkhodjaeva, and L.I. Isamiddinova, “Effect of GaSb Compound on Silicon Bandgap Energy”, Journal of nano- and electronic physics, 16(2), 02004 (2024). https://doi.org/10.21272/jnep.16(2).02004
Kh.M. Iliev, S.V. Koveshnikov, B.O. Isakov, E.Zh. Kosbergenov, G.A. Kushiev, and Z.B. Khudoynazarov, “The Elemental Composition Investigation of Silicon Doped with Gallium and Antimony Atoms”, Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 60(4), 633–639 (2024). https://doi.org/10.3103/S106837552470025X
W. Yang, Y. Li, F. Meng, H. Yu, M. Wang, P. Wang, G. Luo, et al., “III–V compound materials and lasers on silicon,” Journal of Semiconductors, 40, 101305 (2019). http://doi.org/10.1088/1674-4926/40/10/101305
M. Levinshtein, S. Rumyantsev, and M. Shur, editors, Semiconductor parameters. Handbook series on semiconductor parameters, vol. 1, (World Scientific Publishing, 1996).
N.F. Zikrillaev, M.K. Khakkulov, B.O. Isakov, “The mechanism of the formation of binary compounds between Zn and S impurity atoms in Si crystal lattice”, East European journal of physics, (4), 177-181 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-20
J. Liu, and S. Yue, “Fabrication of ZnS layer on silicon nanopillars surface for photoresistor application,” Chemical Physics Letters, 801, 139716 (2022). https://doi.org/10.1016/j.cplett.2022.139716
J. Kang, J.-S. Park, P. Stradins, and S.-H. Wei, “Nonisovalent Si-III-V and Si-II-VI alloys: Covalent, ionic, and mixed phases,” Physical Review B, 96, 045203 (2017). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.045203
H.J. Xu, H.S. Jia, Z.T. Yao, and X.J. Lia, “Photoluminescence and I–V characteristics of ZnS grown on silicon nanoporous pillar array,” J. Mater. Res. 23(1), 121–126 (2008). https://doi.org/10.1557/JMR.2008.0005
M. Özkan, N. Ekem, S. Pat, M.Z. and Balbağ, “ZnS thin film deposition on Silicon and glass substrates by Thermionic vacuum Arc,” Materials Science in Semiconductor Processing, 15, 113–119 (2012). https://doi.org/10.1016/j.mssp.2011.07.004
N.F. Zikrillaev, O.B. Tursunov, and G.A. Kushiev, “Development and Creation of a New Class of Graded-Gap Structures Based on Silicon with the Participation of Zn and Se Atoms”, Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 59(5), 670–673 (2023). https://doi.org/10.3103/S1068375523050198
N.F. Zikrillaev, G.A. Kushiev, S.V. Koveshnikov, B.A. Abdurakhmanov, U.K. Qurbonova, and A.A. Sattorov, “Current status of silicon studies with GexSi1-x binary compounds and possibilities of their applications in electronics”, East European journal of physics, (3), 334-339 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-34
N.F. Zikrillaev, G.A. Kushiev, Sh.I. Hamrokulov, and Y.A. Abduganiev, “Optical Properties of GexSi1–x Binary Compounds in Silicon”, Journal of nano- and electronic physics, 15(3), 03024 (2023). https://doi.org/10.21272/jnep.15(3).03024
N.F. Zikrillaev, S.V. Koveshnikov, S.B. Isamov, B.A. Abdurahmonov, and G.A. Kushiev, “Spectral Dependence of the Photoconductivity of GеxSi1–x Type Graded-Gap Structures Obtained by Diffusion Technology”, Semiconductors, 56(1), 29 31 (2022). https://doi.org/10.1134/S1063782622020191
G.A. Kushiev, B.O. Isakov, and U.X. Mukhammadjonov, “The Prospects of Obtaining a New Material with a Hetero-Baric Structure GexSi1–x-Si Based on Silicon for Photo Energy Applications”, Journal of nano- and electronic physics, 16(3), 03003 (2024). https://doi.org/10.21272/jnep.16(3).03003
M.K. Bakhadirkhanov, Z.T. Kenzhaev, Kh.S. Turekeev, B.О. Isakov, and A.A. Usmonov, “Gettering properties of nickel in silicon photocells”, Technical Physics, 67(14), (2022). https://doi.org/10.21883/TP.2022.14.55221.99-21
N. Zikrillayev, Z. Kenzhaev, T. Ismailov, U. Kurbanova, B. Aliyev, “Effect of nickel doping on the spectral sensitivity of silicon solar cells”, E3S Web of Conferences, 434, 01036 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202343401036
Z.T. Kenzhaev, N.F. Zikrillaev, K.S. Ayupov, K.A. Ismailov, S.V. Koveshnikov, and T.B. Ismailov, “Enhancing the Efficiency of Silicon Solar Cells through Nickel Doping”, Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 59(6), 858–866 (2023). https://doi.org/10.3103/S1068375523060108
N.F. Zikrillaev, G.A. Kushiev, S.B. Isamov, B.A. Abdurakhmanov, O.B. Tursunov, “Photovoltaic Properties of Silicon Doped with Manganese and Germanium”, Journal of nano- and electronic physics, 15(1), 01021 (2023). https://doi.org/10.21272/jnep.15(1).01021
M.O. Tursunov, K.M. Iliev, and B.K. Ismaylov, “High-temperature analysis of silicon properties with manganese-oxygen binary complexes”, Physical Sciences and Technology, 11(1-2), 4 (2024). https://doi.org/10.26577/phst2024v11i1a1
N.F. Zikrillaev, Kh.M. Iliev, G.Kh. Mavlonov, S.B. Isamov and M.Kh. Madjitov, “Negative magnetoresistance in silicon doped with manganese”, E3S Web of Conferences, 401, 05094 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340105094
Авторське право (c) 2025 Бобір О. Ісаков, Халмурат М. Ілієв, Зафар Б. Худойназаров, Гійосіддін А. Кушієв
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
