Дослідження оптичних, електрофотографічних і голографічних параметрів конденсатів As-Se від передісторії вихідних об'ємних матеріалів
Анотація
Наведено результати дослідження оптичних, електрофотографічних та голографічних параметрів конденсатів As-Se від передісторії вихідних об'ємних матеріалів. Встановлено, що електрофотографічні параметри свіжонапилених шарів As40Se60 істотно змінюються з Тобр, наведено залежності граничного потенціалу зарядки (U0) і часу спаду потенціалу (τ1/2) електрофотографічних шарів As40Se60 в темряві від температури обробки розплаву вихідного матеріалу. Залежність часу спаду потенціалу в темряві, як і властивості об'ємних зразків, має екстремум в області Тобр~500 °C. Кореляція між залежностями властивостей об'ємних зразків та електрофотографічними параметрами шарів від Тобр про те, що структурні особливості вихідного матеріалу при використаному режимі напилення впливають на структуру плівок.
Завантаження
Посилання
Sh.B. Utamuradova, Z.T. Azamatov, M.A. Yuldoshev, N.N. Bazarbayev, and A.B. Bakhromov, East Eur. J. Phys. (4), 147 (2023), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-15
Z.T. Azamatov, M.A. Yuldoshev, N.N. Bazarbayev, and A.B. Bakhromov, Physics AUC, 33, 139 (2023). https://cis01.central.ucv.ro/pauc/vol/2023_33/13_PAUC_2023_139_145.pdf
V.A. Barachevsky, Opt. Spectrosc. 124, 373–407 (2018), http://dx.doi.org/10.1134/S0030400X18030062
Z.T. Azamatov, V.E. Gaponov, A.A. Jeenbekov, and A.B. Bakhromov, Russian Microelectronics, 52, Suppl 1, S263 (2023). https://doi.org/10.1134/S106373972360019X
Sh.B. Utamuradova, Z.T. Azamatov, V.E. Gaponov, N.N. Bazarbaev, and A.B. Bakhromov, Applied Physics, (4), 115 (2023). https://applphys.orion-ir.ru/appl-23/23-4/PF-23-4-115_RU.pdf
M. Iovu, S. Sergeev, O. Iaseniuc, Optoelectron. Adv. Mat. 12(7-8), 377 (2018).
O. Iaseniuc, I. Cojocaru, A. Prisacar, A. Nastas, and M. Iovu, Journal of Optics and Spectroscopy, 121(1), 1128 (2016). https://doi.org/10.1134/S0030400X16070237
Z.T. Azamatov, Sh.B. Utamuradova, M.A. Yuldoshev, and N.N. Bazarbaev, East Eur. J. Phys. (2), 187 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-2-19
E. Achimova, A. Stronski , V. Abaskin, A. Meshalkin, A. Paiuk, A. Prisacar, P. Oleksenko, G. Triduh, Optical Materials 47, 566 (2015); https://doi.org/10.1016/j.optmat.2015.06.044
G.E. Snopatin, V.S. Shiryaev, V.G. Plotnichenko, E.M. Dianov, and M.F. Churbanov, Inorg. Mater. 45, 1439 (2009). https://doi.org/10.1134/S0020168509130019
M.F. Churbanov, and V.G. Plotnichenko, Semiconductors and Semimetals, 80, 209 (2004). https://doi.org/10.1016/S0080-8784(04)80029-2
H. Takebe, T. Hirakawa, T. Ichiki, and K. Morinaga, J. Ceram. Soc. Jpn. 111(8), 572 (2003). https://doi.org/10.2109/jcersj.111.572
K. Tanaka, and K. Shimakawa, Amorphous Chalcogenide Semiconductors and Related Materials, (Springer, New York, 2011).
J. Qin, Y. Chen, R. Wang, X. Shen, and T. Xu, Journal of Non-Crystalline Solids, 532(15), 119888 (2020). https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2020.119888
L. Pan, B. Song, N. Mao, C. Xiao, C. Lin, P. Zhang, X. Shen, and S. Dai, Optics Communications 496, 127123 (2021). https://doi.org/10.1016/j.optcom.2021.127123
Цитування
Investigation of Morphological and Optical Properties of LiNbO3 and LiNbO3:Fe 0.03 wt.% Crystals
Yuldoshev Murodjon A., Azamatov Zakirjan T., Bakhromov Abror B. & Bekchanova Mira R. (2024) East European Journal of Physics
Crossref
Investigation of temporal characteristics of photosensitive heterostructures based on gallium arsenide and silicon
Giyasova F. A. & Yuldoshev M. A. (2025) Chalcogenide Letters
Crossref
Investigation of the Processes Involved in the Formation of Pyroxene Materials during Solar Melting in a Large Solar Furnace
Paizullakhanov Muhammad S., Giyasova Feruza A., Bakhronov Khayot N., Yuldoshev Murodjon A., Mamadaliev Alisher A., Giyasov Farkhod A., Akbarova Feruza T., Ismatov Bakhtiyor & Bekchanova Mira R. (2026) Journal of Ovonic Research
Crossref
Investigation of the functional capability of modified silicon-based photodiodes structure
Utamuradova Sh. B., Giyasova F. A., Paizullakhanov M. S., Gerasimenko S. Yu., Yuldoshev M. A., Boydedayev S. R. & Bekchanova M. R. (2025) Chalcogenide Letters
Crossref
Study of the Formation of Radiation Defects in Irradiated Silicon Samples, Doped with Chromium Atoms
Nabiyev Sh.I., Bozorov Kh.N., Nasritdinov A., Ikramov R.G., Yuldoshev M.A., Sattarov N.A., Edilboyev U., Adilkhan S.M., Tursinbaev S.A., Otarbaev A.E. & Kasimov S.M. (2026) East European Journal of Physics
Crossref
Авторське право (c) 2024 Шаріфа Б. Утамурадова, Закіржан Т. Азаматов, А.І. Попов, Міра Р. Бекчанова, Муроджон А. Юлдошев, Аброр Б. Бахромов
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
