Дослідження оптичних, електрофотографічних і голографічних параметрів конденсатів As-Se від передісторії вихідних об'ємних матеріалів

  • Шаріфа Б. Утамурадова Інститут фізики напівпровідників та мікроелектроніки Національного університету Узбекистану. Ташкент, Узбекистан https://orcid.org/0000-0002-1718-1122
  • Закіржан Т. Азаматов Інститут фізики напівпровідників та мікроелектроніки Національного університету Узбекистану. Ташкент, Узбекистан https://orcid.org/0000-0001-7074-9437
  • А.І. Попов Інститут фізики напівпровідників та мікроелектроніки Національного університету Узбекистану. Ташкент, Узбекистан
  • Міра Р. Бекчанова Інститут фізики напівпровідників та мікроелектроніки Національного університету Узбекистану. Ташкент, Узбекистан
  • Муроджон А. Юлдошев Міжнародний університет Туран, Наманган, Узбекистан https://orcid.org/0000-0002-9722-9439
  • Аброр Б. Бахромов Інститут фізики напівпровідників та мікроелектроніки Національного університету Узбекистану, Ташкент, Узбекистан https://orcid.org/0000-0001-8148-2467
Ключові слова: халькогенідне склоподібне скло, системи As-Se, зарядний потенціал, напівчас спаду потенціалу, дифракційна ефективність, оптичний коефіцієнт пропускання

Анотація

Наведено результати дослідження оптичних, електрофотографічних та голографічних параметрів конденсатів As-Se від передісторії вихідних об'ємних матеріалів. Встановлено, що електрофотографічні параметри свіжонапилених шарів As40Se60 істотно змінюються з Тобр, наведено залежності граничного потенціалу зарядки (U0) і часу спаду потенціалу (τ1/2) електрофотографічних шарів As40Se60 в темряві від температури обробки розплаву вихідного матеріалу. Залежність часу спаду потенціалу в темряві, як і властивості об'ємних зразків, має екстремум в області Тобр~500 °C. Кореляція між залежностями властивостей об'ємних зразків та електрофотографічними параметрами шарів від Тобр про те, що структурні особливості вихідного матеріалу при використаному режимі напилення впливають на структуру плівок.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

Sh.B. Utamuradova, Z.T. Azamatov, M.A. Yuldoshev, N.N. Bazarbayev, and A.B. Bakhromov, East Eur. J. Phys. (4), 147 (2023), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-15

Z.T. Azamatov, M.A. Yuldoshev, N.N. Bazarbayev, and A.B. Bakhromov, Physics AUC, 33, 139 (2023). https://cis01.central.ucv.ro/pauc/vol/2023_33/13_PAUC_2023_139_145.pdf

V.A. Barachevsky, Opt. Spectrosc. 124, 373–407 (2018), http://dx.doi.org/10.1134/S0030400X18030062

Z.T. Azamatov, V.E. Gaponov, A.A. Jeenbekov, and A.B. Bakhromov, Russian Microelectronics, 52, Suppl 1, S263 (2023). https://doi.org/10.1134/S106373972360019X

Sh.B. Utamuradova, Z.T. Azamatov, V.E. Gaponov, N.N. Bazarbaev, and A.B. Bakhromov, Applied Physics, (4), 115 (2023). https://applphys.orion-ir.ru/appl-23/23-4/PF-23-4-115_RU.pdf

M. Iovu, S. Sergeev, O. Iaseniuc, Optoelectron. Adv. Mat. 12(7-8), 377 (2018).

O. Iaseniuc, I. Cojocaru, A. Prisacar, A. Nastas, and M. Iovu, Journal of Optics and Spectroscopy, 121(1), 1128 (2016). https://doi.org/10.1134/S0030400X16070237

Z.T. Azamatov, Sh.B. Utamuradova, M.A. Yuldoshev, and N.N. Bazarbaev, East Eur. J. Phys. (2), 187 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-2-19

E. Achimova, A. Stronski , V. Abaskin, A. Meshalkin, A. Paiuk, A. Prisacar, P. Oleksenko, G. Triduh, Optical Materials 47, 566 (2015); https://doi.org/10.1016/j.optmat.2015.06.044

G.E. Snopatin, V.S. Shiryaev, V.G. Plotnichenko, E.M. Dianov, and M.F. Churbanov, Inorg. Mater. 45, 1439 (2009). https://doi.org/10.1134/S0020168509130019

M.F. Churbanov, and V.G. Plotnichenko, Semiconductors and Semimetals, 80, 209 (2004). https://doi.org/10.1016/S0080-8784(04)80029-2

H. Takebe, T. Hirakawa, T. Ichiki, and K. Morinaga, J. Ceram. Soc. Jpn. 111(8), 572 (2003). https://doi.org/10.2109/jcersj.111.572

K. Tanaka, and K. Shimakawa, Amorphous Chalcogenide Semiconductors and Related Materials, (Springer, New York, 2011).

J. Qin, Y. Chen, R. Wang, X. Shen, and T. Xu, Journal of Non-Crystalline Solids, 532(15), 119888 (2020). https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2020.119888

L. Pan, B. Song, N. Mao, C. Xiao, C. Lin, P. Zhang, X. Shen, and S. Dai, Optics Communications 496, 127123 (2021). https://doi.org/10.1016/j.optcom.2021.127123

Опубліковано
2024-09-02
Цитовано
Як цитувати
Утамурадова, Ш. Б., Азаматов, З. Т., Попов, А., Бекчанова, М. Р., Юлдошев, М. А., & Бахромов, А. Б. (2024). Дослідження оптичних, електрофотографічних і голографічних параметрів конденсатів As-Se від передісторії вихідних об’ємних матеріалів. Східно-європейський фізичний журнал, (3), 278-281. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-3-27

Найбільш популярні статті цього автора (авторів)