Оптимізований пристрій ультразвукового спрей-піролізу для виробництва металоксидних плівок та їх морфологія
Анотація
У цій роботі ми розробили оптимізоване пристрій ультразвукового розпилювального піролізу для отримання плівок оксидів металів. Ключова перевага цього обладнання полягає в його економічній ефективності та здатності послідовно покривати великі поверхні без шкоди для цілісності напівпровідникових плівок, таким чином оптимізуючи процес виробництва напівпровідникових плівок. Отримані плівки демонструють такі властивості: товщина нанесеного шару становить приблизно 400 нм, тоді як діаметр нанокристалів ZnO1-xSx коливається від 50 до 200 нм, орієнтованих перпендикулярно до кристалографічної орієнтації (111). Під час виробництва нанострижнів середня висота оцінюється приблизно в 30-50 нм із зазначеною щільністю 2,9×10¹¹ см⁻².
Завантаження
Посилання
S. Nandi, S. Kumar, and A. Misra, “Zinc oxide heterostructures: advances in devices from self-powered photodetectors to self-charging supercapacitors,” Mater. Adv. 2, 6768-6799 (2021). https://doi.org/10.1039/D1MA00670C
V. Karpyna at. al., “Zinc oxide – analogue of GaN with new perspective possibilities,” Cryst. Res. Technol. 39(11), 980 992 (2004). https://doi.org/10.1002/crat.200310283
P. Ščajev, and D. Gogova, “Long-lived excitons in thermally annealed hydrothermal ZnO,” Heliyon, 10(4), e26049 (2024). https://doi.org/10.1016/j.heliyon.2024.e26049
I. Ayoub, et al., “Advances in ZnO: Manipulation of defects for enhancing their technological potentials,” Nanotechnology Reviews, 11(1), 575-619 (2022). https://doi.org/10.1515/ntrev-2022-0035
Sh.U. Yuldashev, R.A. Nusretov, I.V. Khvan, V.Sh. Yalishev, and T.W. Kang, “White light emission from ZnO/Zn0.9Mg0.1O heterostrustures grown on Si substrates,” Jаpаn. Appl. Phys. 47(17), 133-135 (2008). https://doi.org/10.1143/JJAP.47.133
S. Zaynabidinov, Sh. Yuldashev, A. Boboev, and N. Yunusaliyev, “X-ray diffraction and electron microscopic studies of the ZnO(S) metal oxide films obtained by the ultrasonic spray pyrolysis method,” Herald of the Bauman Moscow State Technical University, Series Natural Sciences, 1(112), 78-92 (2024). https://doi.org/10.18698/1812-3368-2024-1-78-92
J.M. Bian, X.M. Li, C.Y. Zhang, W.D. Yu, and X.D. Gao, “p-type ZnO films by monodoping of nitrogen and ZnO-based p–n homojunctions,” Appl. Phys. Lett, 85, 4070-4072 (2004). https://doi.org/10.1063/1.1808229
Y. Ryu, et al., “Synthesis of p-type ZnO films,” Journal of Crystal Growth, 216(1), 330-334 (200). http://dx.doi.org/10.1016/S0022-0248(00)00437-1
K. Salima, and W. Azzaoui, “Physical properties of spray pyrolysed ZnO thin films obtained from nitrate, acetate and chloride precursors: Comparative study for Solar Cell Applications,” Revista Mexicana de Fisica, 69, 031002 (2023). https://doi.org/10.31349/RevMexFis.69.031002
R. Kumar, M. Sekhar, Raghvendra, R. Laha, and S. Pandey, “Comparative studies of ZnO thin films grown by electron beam evaporation, pulsed laser and RF sputtering technique for optoelectronics applications,” Applied Physics, 126, 859 (2020). https://doi.org/10.1007/s00339-020-04046-8
S.Z. Zaynabidinov, A.Y. Boboev, and N.Y. Yunusaliyev, “Effect of γ-irradiation on structure and electrophysical properties of S-doped Zno films,” East European Journal of Physics, (2), 321-326 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-37.
E. Ahmed, M. Samy, and L. Saad “Highly Conductive N-type Aluminum Dopped Zinc Oxide for CZTS Kieserite Solar Cell,” Egypt. J. Chem. 67(4), 309-313 (2024). https://doi.org/10.21608/ejchem.2023.241700.8724
Авторське право (c) 2024 Сіражідін С. Зайнабідінов, Акрамжон Ю. Бобоєв, Нурітдін Ю. Юнусалієв, Джахонгір Н. Усмонов
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
