Технологія кремнієвого p-i-n меза-фотодіода

  • Микола С. Кукурудзяк АТ «Центральне конструкторське бюро Ритм», Чернівці, Україна; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, Україна https://orcid.org/0000-0002-0059-1387
  • Володимир М. Ліпка АТ «Центральне конструкторське бюро Ритм», Чернівці, Україна; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, Україна https://orcid.org/0009-0001-4419-3356
  • В’ячеслав В. Рюхтін АТ «Центральне конструкторське бюро Ритм», Чернівці, Україна
DOI: https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-3-47
Ключові слова: кремній, фотодіод, чутливість, точковий дефект, дислокація, темновий струм

Анотація

У статті запропоновано технологію кремнієвих p-i-n меза-фотодіодів, яка дозволяє виключити одну високотемпературну операцію з технологічного маршруту. Зниження кількості термічних операцій дозволяє знизити міру деградації електро-фізичних характеристик кремнію в процесі термообробок, що також сприяє зиженню густини поверхневих станів на межі розділу Si-SiO2. Запропоновано проводи травлення меза-профілю методом хіміко-динамічного полірування з використанням золотого маскуючого покриття. Отримані фотодіоди є дешевшими, ніж серійні зрази виготовлені за дифузійно-планарною технологією та володіють вищою чутливістю.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

M.K. Bakhadyrkhanov, S.B. Isamov, Z.T. Kenzhaev, D. Melebaev, K.F. Zikrillayev, and G.A. Ikhtiyarova, Applied Solar Energy, 56, 13 (2020). https://doi.org/10.3103/S0003701X2001003X

Z. Wei, J. Yu, M. Zuo, and P. Nie, Journal of Applied Physics, 135(11), 115701 (2024). https://doi.org/10.1063/5.0187696

Z. Wei, J. Yu, L. Gao, M. Zuo, and P. Nie, Appl. Phys. 130(4), 58 (2024). https://doi.org/10.1007/s00340-024-08201-4

A. Müller, M. Ghosh, R. Sonnenschein, and P. Woditsch, Materials Science and Engineering: B, 134(2-3), 257 (2006). https://doi.org/10.1016/j.mseb.2006.06.054

C. Ballif, F.J. Haug, M. Boccard, P.J. Verlinden, and G. Hahn, Nature Reviews Materials, 7(8), 597 (2022). https://doi.org/10.1038/s41578-022-00423-2

T. Tansel, and O. Aydin, J. Phys. D: Appl. Phys. 57, 295103 (2024). https://doi.org/10.1088/1361-6463/ad3b08

M.S. Kukurudziak, and E.V. Maistruk, East Eur. J. Phys. 1, 386 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-39

K.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, A. Khaitbaev, J.J. Khamdamov, Sh.B. Norkulov, and M.B. Bekmuratov, East Eur. J. Phys. 2, 283 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-30

Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, A.I. Khaitbaeva J.J. Khamdamov, J.Sh. Zarifbaev, and B.Sh. Alikulov, East Eur. J. Phys. 2, 288 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-31

G.P. Gaidar, Journal of Physical Research, 22(4), 4601 (2018). https://doi.org/10.30970/jps.22.4601. (in Ukrainian).

W.S. Yoo, T. Fukada, I. Yokoyama, K. Kang, and N. Takahashi, Japanese journal of applied physics, 41(7R), 4442 (2002). https://doi.org/10.1143/JJAP.41.4442

M.S. Kukurudziak, Physics and Chemistry of Solid State, 23(4), 756 (2022). https://doi.org/10.15330/pcss.23.4.756-763

К.V. Ravi, Imperfections and impurities in semiconductor silicon, (Wiley, New York, 1981).

M.S. Kukurudziak, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 25(4), 385 (2022). https://doi.org/10.15407/spqeo25.04.385

A.V. Fedorenko, Technology and design in electronic equipment, 17(3–4), 17 (2020). https://doi.org/10.15222/ TKEA2020.3-4.17.(in Ukrainian)

M.S. Kukurudziak, and E.V. Maistruk, Semicond. Sci. Technol. 38, 085007 (2023). https://doi.org/10.1088/1361-6641/acdf14

Passport data AZ4533 Electronic resource, www.microchemicals.com/products/photoresists/az_4533.html

M. Kukurudziak, Radioelectronic and Computer Systems, 105(1), 92-100 (2023). https://doi.org/10.32620/reks.2023.1.07

B.L. Oksengendler, S.Kh. Suleymanov, Z.I. Karimov, N.N. Turaeva, A.S. Doroshkevich, and J. Mezentseva, J. Phys.: Conf. Ser. 2697, 012061 (2024). https://doi.org/10.1088/1742-6596/2697/1/012061

B. Ruch, M. Jech, G. Pobegen, and T. Grasser, IEEE Transactions on Electron Devices, 68(4), 2092-2097 (2021). https://doi.org/10.1109/TED.2021.3049760

M.S. Kukurudziak, East Eur. J. Phys. 2, 289 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-2-33

H. Mizobata, Y. Wada, and M. Nozaki, Applied Physics Express, 13(8), 081001 (2020). https://doi.org/10.35848/1882-0786/aba320

Опубліковано
2024-09-02
Цитовано
Як цитувати
Кукурудзяк, М. С., Ліпка, В. М., & Рюхтін, В. В. (2024). Технологія кремнієвого p-i-n меза-фотодіода. Східно-європейський фізичний журнал, (3), 385-389. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-3-47
Номер
№ 3 (2024): Східно-європейський фізичний журнал
Розділ
Статті

Авторське право (c) 2024 Микола С. Кукурудзяк, Володимир М. Ліпка, В’ячеслав В. Рюхтін

Ліцезія Creative Commons

Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

    • Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    • Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    • Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).