Дослідження фотопровідності тонких плівок селеніду кадмію, отриманих хімічним осадженням
Анотація
У даній роботі досліджено спектр фотопровідності (ФП) тонких плівок CdSe. У ході досліджень на скляних підкладках були відібрані тонкі плівки кадмію та селену товщиною h = 200 нм та h = 400 нм. Товщину зразків, отриманих хімічним осадженням, визначали гравіметричним методом. Оскільки кристал CdSe є світлочутливим напівпровідниковим матеріалом, досліджували фотопровідність тонких плівок. Проаналізовано спектри, отримані під час досліджень, проведених на довжині хвилі λ = 600-1100 нм. Встановлено, що спектр є хаотичним, оскільки в шарах h = 200 нм фаза сформована не повністю. У шарах h = 400 нм зафіксовано максимум з центром на довжині хвилі λ = 710 нм.
Завантаження
Посилання
Y.I. Aliyev, N.A. Ismayilova, R.F. Novruzov, A.O. Dashdamirov, H.J. Huseynov, S.H. Jabarov, and A.A. Ayubov, “Electron structure and density of states’ calculations of Ag2S and Ag2Se crystals from first-principle,” Modern Physics Letters B, 33(21), 1950242 (2019). https://doi.org/10.1142/S0217984919502427
S.H. Jabarov, S.I. Ibrahimova, F.V. Hajiyeva, E.M. Huseynov, and Y.I. Aliyev, “Structural, vibrational, and dielectric properties of CuInZnSe3 chalcogenide compound,” Arabian Journal for Science and Engineering, 47(6), 7817-7823 (2022). https://doi.org/10.1007/s13369-022-06745-1
N.A. Ismayilova, and S.H. Jabarov, “First-principles study of the electronic structure and DOS spectrum of TlGaSe2,” Optoelectronics and Advanced Materials-Rapid Communications, 11, 353-356 (2017). https://oam-rc.inoe.ro/articles/first-principles-study-of-the-electronic-structure-and-dos-spectrum-of-tlgase2/fulltext
B.G. Tagiyev, O.B. Tagiyev, A.I. Mammadov, V.X. Quang, T.G. Naghiyev, S.H. Jabarov, M.S. Leonenya, et al., “Structural and luminescence properties of CaxBa1−xGa2S4: Eu2+ chalcogenide semiconductor solid solutions,” Physica B: Condensed Matter, 478, 58-62 (2015). https://doi.org/10.1016/j.physb.2015.08.061
G.М. Аgamirzayeva, G.G. Huseynov, Y.I. Aliyev, T.T. Abdullayeva, and R.F. Novruzov, “Crystal structure and magnetıc propertıes of the compound Cu3Fe0.5Se2,” Advanced Physical Research, 5(1), 19-25 (2023). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/APR/V5N1/Agamirzayeva_et_al.pdf
N.N. Mursakulov, N.N. Abdulzade, S.H. Jabarov, and Ch.E. Sabzalieva, “Investıgatıon of CuIn1-xGaxSe2 thın fılms for solar cells obtaıned by the magnetron sputterıng method from two magnetrons shıfted to each other, New Materials,” Compounds and Applications, 6(2), 140-147 (2022). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/NMCA/v6n2/Mursakulov_et_al.pdf
R.S. Madatov, A.S. Alekperov, F.N. Nurmammadova, N.A. Ismayilova, and S.H. Jabarov, “Preparation of N-Si-P-GaSe heterojunctions based on an amorphous GaSe layer without impurities and study of their electrical properties,” East European Journal of Physics, (1), 322-326 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-29
Y.I. Aliyev, Y.G. Asadov, R.D. Aliyeva, T.G. Naghiyev, and S.H. Jabarov, “Influence of partial substitution of Cu atoms by Zn and Cd atoms on polymorphic transformation in the Cu1.75Te crystal,” Modern Physics Letters B, 33(11), 1850128 (2019). https://doi.org/10.1142/S0217984919501288
A.S. Alekperov, S.H. Jabarov, M.N. Mirzayev, E.B. Asgerov, N.A. Ismayilova, Y.I. Aliyev, T.T. Thabethe, et al., “Effect of gamma irradiation on microstructure of the layered Ge0.995Nd0.005S,” Modern Physics Letters B, 33(09), 1950104 (2019). https://doi.org/10.1142/S0217984919501045
D.M. Freik, L.I. Nykyruy, T.O. Parashchuk, and B.P. Volochanska, “Thermodynamic properties of CdSe crystals using first principles calculations and experiment,” International Journal of Engineering and Innovative Technology (IJEIT), 4(2), 99 104, (2014). https://www.ijeit.com/Vol%204/Issue%202/IJEIT1412201408_19.pdf
Y.N. Xu, and W.Y. Ching, “Electronic, optical, and structural properties of some wurtzite crystals,” Physical Review B, 48, 4335-4351 (1993). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.48.4335
Kh.N. Ahmadova, and S.H. Jabarov, “Obtaining of Al nanosized thin Layers and their structural properties,” Arabian Journal for Science and Engineering, 48, 8083-8088 (2023). https://doi.org/10.1007/s13369-022-07449-2
A.S. Alekperov, S.H. Jabarov, T.A. Darzieva, G.B. Ibragimov, A.M. Nazarov, and S.S. Farzaliev, “Effect of an electric field on the crystallization behavior of amorphous TlIn1-xSnxSe2 films,” Inorganic Materials, 59(1), 8-11 (2023). https://doi.org/10.1134/S0020168523010028
L.N. Ibrahimova, N.M. Abdullayev, M.E. Aliyev, G.A. Garashova, and Y.I. Aliyev, “Phase formation process in CdSe thin films,” East European Journal of Physics, (1), 493-496 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-54
H.N. Rosly, C. Doroody, M.N. Harif, I.S. Mohamad, M. Isah, and N. Amin, “Optoelectrical properties of treated CdSe thin films with variations in indium chloride concentration,” Materials, 16, 4108 (2023). https://doi.org/10.3390/ma16114108
R.P. Dutta, and N. Neog, “An investigation of CdSe thin film for photovoltaic properties under different annealing temperature,” Materials Today: Proceedings, 42(2), 893-896 (2021). https://doi.org/10.1016/j.matpr.2020.11.739
A.A. Abduvaitov, G.T. Imanova, Kh.Kh. Boltaev, B.E. Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, and G. Abdurakhmanov, “Analysis of the change in the composition of the CdTe surface upon implantation of О2+ ions and subsequent annealing,” Advanced Physical Research, 6(1), 36-41 (2024). https://doi.org/10.62476/apr61.41
R. Asaba, K. Wakita, A. Kitano, Y.G. Shim, N. Mamedov, A. Bayramov, E. Huseynov, and I. Hasanov, “Structure and optical properties of CdS:O thin films,” Physica Status Solidi C, 10(7-8), 1098-1101 (2013). https://doi.org/10.1016/j.jaubas.2011.10.001
A. Kitano, Y.G. Shim, K. Wakita, Kh. Khalilova, N. Mamedov, A. Bayramov, E. Huseynov, and I. Hasanov, “Optical characterization of non‐annealed CdS: O films for window layers in solar cells,” Physica Status Solidi C, 10(7‐8), 1107 1110 (2013). https://doi.org/10.1002/pssc.201200834
A. Singh, A. Kunwar, and M.C. Rath, “L-cysteine capped CdSe quantum dots syntesized by photochemical route,” Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 17, 1-8 (2017). https://doi.org/10.1166/jnn.2018.14687
L.S. Palatnik, Fundamentals of film semiconductor materials science, (Energy, Moscow, 1973). (in Russain)
Авторське право (c) 2024 Л.Н. Ібрагімова, Н.М. Абдуллаєв, Н.А. Гардашбейова, А.С. Алекперов, С.Р. Азімова, Ю.І. Алієв
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
