Аналіз кінетичних властивостей та тунельно-зв’язаних станів в асиметричних багатошарових напівпровідникових структурах
Анотація
Це дослідження досліджує кінетичні властивості як симетричних, так і асиметричних багатошарових і нанорозмірних напівпровідникових структур. Ми розробляємо теоретичну базу з використанням різних моделей і математичних методів для вирішення рівняння матриці Шредінгера для системи електронів, враховуючи умову Бастарда, яка враховує різницю в ефективних масах носіїв струму в суміжних шарах. Ми аналізуємо тунельно-зв’язані електронні стани в квантових ямах, розділених вузьким тунельно-прозорим потенційним бар’єром. Наші висновки дають змогу зрозуміти електронні властивості напівпровідникових структур, які мають вирішальне значення для застосування в мікро- чи наноелектроніці та інших областях фізики твердого тіла.
Завантаження
Посилання
M. Baldo, Introduction to Nanoelectronics, (MIT Open Course Ware, 2011).
V.V. Mitin, A. Kochelap, and M.A. Stroscio, Introduction to Nanoelectronics: Science, Nanotechnology, Engineering, and Applications, (Cambridge University Press, 2007). https://doi.org/10.1017/CBO9780511809095
E.P. O’Reilly, and M. Seifikar, “Theory of Electronic Transport in Nanostructures,” in Semiconductor Modeling Techniques, edited by N. Balkan, and M. Xavier, Springer Series in Materials Science, Vol. 159 (Springer, Berlin, Heidelberg, 2012), pp. 41 69. https://doi.org/10.1007/978-3-642-27512-8_3
D. Szczęśniak, Ph.D. Thesis, “Theoretical and Numerical Modelling of Electronic Transport in Nanostructures,”, Université du Maine, 2013. https://www.researchgate.net/publication/278643031
E.L. Ivchenko, and G.E. Pikus, Superlattices and Other Heterostructures: Symmetry and Optical Phenomena, 2nd ed. Springer Series in Solid-State Sciences (Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, 1997).
R. Ya. Rasulov, V.R. Rasulov, N.Z. Mamadalieva et al., “Subbarrier and Overbarrier Electron Transfer through Multilayer Semiconductor Structures,” Russ. Phys. J. 63, 537–546 (2020). https://doi.org/10.1007/s11182-020-02067-7
V.R. Rasulov, R.Ya. Rasulov, M.A. Mamatova, and F. Qosimov, “Semiclassical Theory of Electronic States in Multilayer Semiconductors” Part 1, in” IV International Conference on Applied Physics, Information Technologies and Engineering (APITECH-IV 2022), Journal of Physics: Conference Series, 2388, Bukhara, Uzbekistan, (IOP Publishing Ltd, 2022.
V.R. Rasulov, R.Ya. Rasulov, M.A. Mamatova, and F. Qosimov, “Semiclassical Theory of Electronic States in Multilayer Semiconductors.” Part 2, in: IV International Conference on Applied Physics, Information Technologies and Engineering (APITECH-IV 2022), Journal of Physics: Conference Series, Vol. 2388, Bukhara, Uzbekistan, (IOP Publishing Ltd, 2022).
G.H. Shin, C. Park, K.J. Lee, H.J. Jin, and S.-Y. Choi, “Ultrasensitive Phototransistor Based on WSe2–MoS2 van der Waals Heterojunction,” Nano Lett. 20, 5741–5746 (2020). https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.0c01460
T. Wang, F. Zheng, G. Tang, J. Cao, P. You, J. Zhao, and F. Yan, “Two Dimensional WSe2 Flakes for Synergistic Modulation of Grain Growth and Charge Transfer in Tin-Based Perovskite Solar Cells,” Adv. Sci. 8(11), 2004315 (2021). https://doi.org/10.1002/advs.202004315
E.L. Ivchenko, Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures, (Alpha Science International Ltd., Harrow, UK, 2005).
M.M. Glazov, Electron and Nuclear Spin Dynamics in Semiconductor Nanostructures, Series on Semiconductor Science and Technology, (OUP Oxford, 2018), https://doi.org/10.13140/RG.2.2.18718.56640
Авторське право (c) 2024 Рустам Я. Расулов, Вокхоб Р. Расулов, Камолахон К. Урінова, Ісламбек А. Мумінов, Баходір Б. Ахмедов
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
