Моделювання температурної залежності осциляцій Шубнікова-де Гааза у світлоіндукованих наноструктурних напівпровідниках

  • Улугбек І. Еркабоєв Наманганський інженерно-технологічний інститут, Наманган, Узбекистан https://orcid.org/0000-0002-6841-8214
  • Рустамжон Г. Рахімов Namangan Institute of Engineering and Technology https://orcid.org/0000-0003-0850-1398
  • Джасурбек І. Мірзаєв Наманганський інженерно-технологічний інститут, Наманган, Узбекистан https://orcid.org/0000-0002-3402-1059
  • Нозімжон А. Саїдов Наманганський інженерно-технологічний інститут, Наманган, Узбекистан https://orcid.org/0000-0001-9382-8779
  • Ulugbek M. Negmatov Наманганський інженерно-технологічний інститут, Наманган, Узбекистан https://orcid.org/0000-0002-0680-3328
DOI: https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-53
Ключові слова: напівпровідник, гетероструктура, коливання, магнітоопір, квантова яма

Анотація

У даній роботі досліджено вплив світла на температурну залежність коливань поперечного магнітоопору. Отримано узагальнений математичний вираз, який обчислює температурну та світлову залежність квазірівнів Фермі дрібномасштабних напівпровідникових структур p-типу в квантуючому магнітному полі. Було знайдено нові аналітичні вирази, які представляють температурну залежність коливань поперечного диференціального магнітоопору в темних і освітлених ситуаціях, враховуючи вплив світла на коливання енергії Фермі дрібномасштабних напівпровідникових структур. Розроблено математичну модель, яка визначає світлову залежність похідної другого порядку осциляцій поперечного магнітоопору напівпровідників р-типу з квантовими ямами від індукції магнітного поля. Запропоновано нову теорію, яка пояснює причини значного зсуву коливань диференціального магнітоопору вздовж вертикальної осі, виміряної в експерименті для темних і світлих умов.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

N.T. Bagraev, E.S. Brilinskaya, E.Yu. Danilovskii, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, and V.V. Romanov, Semiconductors, 46(1), 87 (2012). https://doi.org/10.1134/S1063782612010022

V.V. Romanov, V.A. Kozhevnikov, C.T. Tracey, and N.T. Bagraev, Semiconductors, 53(12), 1629 (2019). https://doi.org/10.1134/S1063782619160231

N.T. Bagraev, V.Yu. Grigoryev, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, V.A. Mashkov, and V.V. Romanov, Semiconductors, 50(8), 1025 (2016). https://doi.org/10.1134/S1063782616080273

G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, and A.G. Gulyamov, J. Nano- Electron. Phys. 11(1), 01020 (2019). https://doi.org/10.21272/jnep.11(1).01020

U.I. Erkaboev, G. Gulyamov, J.I. Mirzaev, R.G. Rakhimov, and N.A. Sayidov, Nano, 16(9), 2150102 (2021). https://doi.org/10.1142/S1793292021501022

S.D. Liu, N. Tang, X.Q. Shen, J.X. Duan, F.C. Lu, X.L. Yang, F.J. Xu, X.Q. Wang, T. Ide, M. Shimizu, W.K. Ge, and B. Shen, J. Appl. Phys. 114(3), 033706 (2013). https://doi.org/10.1063/1.4813512

G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, J.I. Mirzaev, and N.A. Sayidov, Mod. Phys. Lett. B. 37(10), 2350015 (2023). https://doi.org/10.1142/S021798492350015X

G. Gulyamov, M.G. Dadamirzaev and S.R. Boidedaev, Semiconductors, 34, 260 (2000). https://doi.org/10.1134/1.1187967

M. Ahmetoglu(Afrailov), G. Kaynak, S. Shamirzaev, G. Gulyamov, A. Gulyamov, M.G. Dadamirzaev, S.R. Boydedayev, and N. Aprailov, Int. J. Mod. Phys. B. 23(15), 3279 (2009). https://doi.org/10.1142/S0217979209053084

G. Gulyamov, M.G. Dadamirzaev, and S.R. Boidedaev, Semiconductors, 34, 555 (2000). https://doi.org/10.1134/1.1188027

V.A. Kulbachinskii, N.A. Yuzeeva, G.B. Galiev, E.A. Klimov, I.S. Vasil'evskii, R.A. Khabibullin, and D.S. Ponomarev, Semicond. Sci. Technol. 27(3), 035021 (2012). https://doi.org/10.1088/0268-1242/27/3/035021

K. Požela, A. Šilėnas, J. Požela, V. Jucienė, G.B. Galiev, J.S. Vasil’evskii, and E.A. Klimov, Appl. Phys. A. 109(1), 233 (2012). https://doi.org/10.1007/s00339-012-7039-7

G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, and J.I. Mirzaev, J. Nano- Electron. Phys. 12(3), 03012 (2020). https://doi.org/10.21272/jnep.12(3).03012

U.I. Erkaboev, U.M. Negmatov, R.G. Rakhimov, J.I. Mirzaev, and N.A. Sayidov, Int. J. Appl. Sci. Eng. 19(2), 2021123 (2022). https://doi.org/10.6703/IJASE.202206_19(2).004

N.Q. Bau, and B.D. Hoi, Int. J. Mod. Phys. B. 28(03), 1450001 (2014). https://doi.org/10.1142/S0217979214500015

U. Erkaboev, R. Rakhimov, J. Mirzaev, N. Sayidov, U. Negmatov, and M. Abduxalimov, AIP Conf. Proc. 2789(1), 040055 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0145554

N.Q. Bau, N.V. Hieu, and N.V. Nhan, Superlattices Microstruct. 52(5), 921 (2012). https://doi.org/10.1016/j.spmi.2012.07.023

U. Erkaboev, R. Rakhimov, J. Mirzaev, N. Sayidov, U. Negmatov, and A. Mashrapov, AIP Conf. Proc. 2789(1), 040056 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0145556

N.Q. Bau, and B.D. Hoi, J. Korean Phys. Soc. 60(1), 59 (2012). https://doi.org/10.3938/jkps.60.59

U. Erkaboev, R. Rakhimov, J. Mirzaev, U. Negmatov, and N. Sayidov, Int. J. Mod. Phys. B. (2023). https://doi.org/10.1142/S0217979224501856

E.E. Vdovin, M. Ashdown, A. Patanè, L. Eaves, R.P. Campion, Yu.N. Khanin, M. Henini, and O. Makarovsky, Phys. Rev. B. 89(20), 205305 (2014). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.89.205305

U.I. Erkaboev, and R.G. Rakhimov, e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. (2023). https://doi.org/10.1380/ejssnt.2023-070

M.L. Peres, H.S. Monteiro, V.A. Chitta, S. de Castro, U.A. Mengui, P.H.O. Rappl, N.F. Oliveira, Jr, E. Abramof, and D.K. Maude, J. Appl. Phys. 115(9) (2014) 093704. https://doi.org/10.1063/1.4867627

U.I. Erkaboev, N.A. Sayidov, R.G. Rakhimov and U.M. Negmatov, Euroasian J. Eng. Sci. Technol. 3(1) 47 (2021). https://doi.org/10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-8

U.I. Erkaboev, G. Gulyamov, J.I. Mirzaev, and R.G. Rakhimov, Int. J. Mod. Phys. B. 34(7), 2050052 (2020). https://doi.org/10.1142/S0217979220500526

G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, N.A. Sayidov and R.G. Rakhimov, J. Appl. Sci. Eng. 23(3), 453 (2020). https://doi.org/10.6180/jase.202009_23(3).0009

H. Phuphachong, B.A. Assaf, V.V. Volobuev, G. Bauer, G. Springholz, L.A. De Vaulchier, and Y. Guldner, Crystals, 7(1), (2017). https://doi.org/10.3390/cryst7010029

E.A. Morais, I.F. Costa, E. Abramof, D.A.W. Soares, P.H.O. Rappl, and M.L. Peres, Phys. E: Low-Dimens. Syst. Nanostructures. 127, 114575 (2021). https://doi.org/10.1016/j.physe.2020.114575

R. Rakhimov, and U. Erkaboev, Scientific and Technical Journal of Namangan Institute of Engineering and Technology, 2(11), 27 (2020). https://namdu.researchcommons.org/journal/vol2/iss11/5/

U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, and N.A. Sayidov, Mod. Phys. Lett. B. 35(17), 2150293 (2021). https://doi.org/10.1142/S0217984921502936

Z. Han, V. Singh, D. Kita, C. Monmeyran, P. Becla, P. Su, J. Li, X. Huang, L.C. Kimerling, J. Hu, K. Richardson, D.T.H. Tan, and A. Agarwal. Appl. Phys. Lett. 109(7), 071111 (2016). https://doi.org/10.1063/1.4961532

U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, and N.Y. Azimova, Glob. Sci. Rev. 12, 33 (2023). https://scienticreview.com/index.php/gsr/article/view/156

U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, J.I. Mirzaev, and N.A. Sayidov, Int. J. Eng. Innov. Technol. 9(5), 1557 (2021). http://doi.org/10.35940/ijitee.E2613.039520

F.S. Pena, M.L. Peres, M.J.P. Pirralho, D.A.W. Soares, C.I. Fornari, P.H.O. Rappl, and E. Abramof, Appl. Phys. Lett. 111(19), 192105 (2017). https://doi.org/10.1063/1.4990402

G. Gulyamov, M.G. Dadamirzaev, and M.O. Kosimova, Rom. J. Phys. 68, 603 (2023). https://rjp.nipne.ro/2023_68_1-2/RomJPhys.68.603.pdf

U.I. Erkaboev, and R.G. Rakhimov, East Eur. J. Phys. 3, 133 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-10

U.I. Erkaboev, and R.G. Rakhimov, e-Prime- Adv. Electr. Electron. Eng. Elect. Energ. 3, 100236 (2023). https://doi.org/10.1016/j.prime.2023.100236

U.I. Erkaboev, G. Gulyamov and R.G. Rakhimov, Ind. J. Phys. 96(8), 2359-2368 (2022). https://doi.org/10.1007/s12648-021-02180-4

U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, N.A. Sayidov, and J.I. Mirzaev, Ind. J. Phys. 97(4), 1061 (2023). https://doi.org/10.1007/s12648-022-02435-8

U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, J.I. Mirzaev, U.M. Negmatov, and N.A. Sayidov, Ind. J. Phys. 98(1), 189 (2024). https://doi.org/10.1007/s12648-023-02803-y

U.I. Erkaboev, N.A. Sayidov, U.M. Negmatov, J.I. Mirzaev, and R.G. Rakhimov, E3S Web Conf. 401, 01090 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340101090

U.I. Erkaboev, N.A. Sayidov, U.M. Negmatov, R.G. Rakhimov, and J.I. Mirzaev, E3S Web Conf. 401, 04042 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340104042

U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, U.M. Negmatov, N.A. Sayidov, and J.I. Mirzaev, Rom. J. Phys. 68, 614 (2023). https://rjp.nipne.ro/2023_68_5-6/RomJPhys.68.614.pdf

M.Ya. Vinnichenko, I.S. Makhov, N.Yu. Kharin, S.V. Graf, V.Yu. Panevin, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, and D.A. Firsov, Semiconductors, 55(9), 710-716 (2021). https://doi.org/10.1134/S1063782621080212

Опубліковано
2024-03-05
Цитовано
Як цитувати
Еркабоєв, У. І., Рахімов, Р. Г., Мірзаєв, Д. І., Саїдов, Н. А., & Negmatov, U. M. (2024). Моделювання температурної залежності осциляцій Шубнікова-де Гааза у світлоіндукованих наноструктурних напівпровідниках. Східно-європейський фізичний журнал, (1), 485-492. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-53
Номер
№ 1 (2024): Східно-європейський фізичний журнал
Розділ
Статті

Авторське право (c) 2024 Улугбек І. Еркабоєв, Рустамжон Г. Рахімов, Джасурбек І. Мірзаєв, Нозімжон А. Саїдов, Улугбек М. Негматов

Ліцезія Creative Commons

Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

    • Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    • Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    • Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).