Моделювання температурної залежності осциляцій Шубнікова-де Гааза у світлоіндукованих наноструктурних напівпровідниках

  • Улугбек І. Еркабоєв Наманганський інженерно-технологічний інститут, Наманган, Узбекистан https://orcid.org/0000-0002-6841-8214
  • Рустамжон Г. Рахімов Namangan Institute of Engineering and Technology https://orcid.org/0000-0003-0850-1398
  • Джасурбек І. Мірзаєв Наманганський інженерно-технологічний інститут, Наманган, Узбекистан https://orcid.org/0000-0002-3402-1059
  • Нозімжон А. Саїдов Наманганський інженерно-технологічний інститут, Наманган, Узбекистан https://orcid.org/0000-0001-9382-8779
  • Ulugbek M. Negmatov Наманганський інженерно-технологічний інститут, Наманган, Узбекистан https://orcid.org/0000-0002-0680-3328
Ключові слова: напівпровідник, гетероструктура, коливання, магнітоопір, квантова яма

Анотація

У даній роботі досліджено вплив світла на температурну залежність коливань поперечного магнітоопору. Отримано узагальнений математичний вираз, який обчислює температурну та світлову залежність квазірівнів Фермі дрібномасштабних напівпровідникових структур p-типу в квантуючому магнітному полі. Було знайдено нові аналітичні вирази, які представляють температурну залежність коливань поперечного диференціального магнітоопору в темних і освітлених ситуаціях, враховуючи вплив світла на коливання енергії Фермі дрібномасштабних напівпровідникових структур. Розроблено математичну модель, яка визначає світлову залежність похідної другого порядку осциляцій поперечного магнітоопору напівпровідників р-типу з квантовими ямами від індукції магнітного поля. Запропоновано нову теорію, яка пояснює причини значного зсуву коливань диференціального магнітоопору вздовж вертикальної осі, виміряної в експерименті для темних і світлих умов.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

N.T. Bagraev, E.S. Brilinskaya, E.Yu. Danilovskii, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, and V.V. Romanov, Semiconductors, 46(1), 87 (2012). https://doi.org/10.1134/S1063782612010022

V.V. Romanov, V.A. Kozhevnikov, C.T. Tracey, and N.T. Bagraev, Semiconductors, 53(12), 1629 (2019). https://doi.org/10.1134/S1063782619160231

N.T. Bagraev, V.Yu. Grigoryev, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, V.A. Mashkov, and V.V. Romanov, Semiconductors, 50(8), 1025 (2016). https://doi.org/10.1134/S1063782616080273

G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, and A.G. Gulyamov, J. Nano- Electron. Phys. 11(1), 01020 (2019). https://doi.org/10.21272/jnep.11(1).01020

U.I. Erkaboev, G. Gulyamov, J.I. Mirzaev, R.G. Rakhimov, and N.A. Sayidov, Nano, 16(9), 2150102 (2021). https://doi.org/10.1142/S1793292021501022

S.D. Liu, N. Tang, X.Q. Shen, J.X. Duan, F.C. Lu, X.L. Yang, F.J. Xu, X.Q. Wang, T. Ide, M. Shimizu, W.K. Ge, and B. Shen, J. Appl. Phys. 114(3), 033706 (2013). https://doi.org/10.1063/1.4813512

G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, J.I. Mirzaev, and N.A. Sayidov, Mod. Phys. Lett. B. 37(10), 2350015 (2023). https://doi.org/10.1142/S021798492350015X

G. Gulyamov, M.G. Dadamirzaev and S.R. Boidedaev, Semiconductors, 34, 260 (2000). https://doi.org/10.1134/1.1187967

M. Ahmetoglu(Afrailov), G. Kaynak, S. Shamirzaev, G. Gulyamov, A. Gulyamov, M.G. Dadamirzaev, S.R. Boydedayev, and N. Aprailov, Int. J. Mod. Phys. B. 23(15), 3279 (2009). https://doi.org/10.1142/S0217979209053084

G. Gulyamov, M.G. Dadamirzaev, and S.R. Boidedaev, Semiconductors, 34, 555 (2000). https://doi.org/10.1134/1.1188027

V.A. Kulbachinskii, N.A. Yuzeeva, G.B. Galiev, E.A. Klimov, I.S. Vasil'evskii, R.A. Khabibullin, and D.S. Ponomarev, Semicond. Sci. Technol. 27(3), 035021 (2012). https://doi.org/10.1088/0268-1242/27/3/035021

K. Požela, A. Šilėnas, J. Požela, V. Jucienė, G.B. Galiev, J.S. Vasil’evskii, and E.A. Klimov, Appl. Phys. A. 109(1), 233 (2012). https://doi.org/10.1007/s00339-012-7039-7

G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, and J.I. Mirzaev, J. Nano- Electron. Phys. 12(3), 03012 (2020). https://doi.org/10.21272/jnep.12(3).03012

U.I. Erkaboev, U.M. Negmatov, R.G. Rakhimov, J.I. Mirzaev, and N.A. Sayidov, Int. J. Appl. Sci. Eng. 19(2), 2021123 (2022). https://doi.org/10.6703/IJASE.202206_19(2).004

N.Q. Bau, and B.D. Hoi, Int. J. Mod. Phys. B. 28(03), 1450001 (2014). https://doi.org/10.1142/S0217979214500015

U. Erkaboev, R. Rakhimov, J. Mirzaev, N. Sayidov, U. Negmatov, and M. Abduxalimov, AIP Conf. Proc. 2789(1), 040055 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0145554

N.Q. Bau, N.V. Hieu, and N.V. Nhan, Superlattices Microstruct. 52(5), 921 (2012). https://doi.org/10.1016/j.spmi.2012.07.023

U. Erkaboev, R. Rakhimov, J. Mirzaev, N. Sayidov, U. Negmatov, and A. Mashrapov, AIP Conf. Proc. 2789(1), 040056 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0145556

N.Q. Bau, and B.D. Hoi, J. Korean Phys. Soc. 60(1), 59 (2012). https://doi.org/10.3938/jkps.60.59

U. Erkaboev, R. Rakhimov, J. Mirzaev, U. Negmatov, and N. Sayidov, Int. J. Mod. Phys. B. (2023). https://doi.org/10.1142/S0217979224501856

E.E. Vdovin, M. Ashdown, A. Patanè, L. Eaves, R.P. Campion, Yu.N. Khanin, M. Henini, and O. Makarovsky, Phys. Rev. B. 89(20), 205305 (2014). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.89.205305

U.I. Erkaboev, and R.G. Rakhimov, e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. (2023). https://doi.org/10.1380/ejssnt.2023-070

M.L. Peres, H.S. Monteiro, V.A. Chitta, S. de Castro, U.A. Mengui, P.H.O. Rappl, N.F. Oliveira, Jr, E. Abramof, and D.K. Maude, J. Appl. Phys. 115(9) (2014) 093704. https://doi.org/10.1063/1.4867627

U.I. Erkaboev, N.A. Sayidov, R.G. Rakhimov and U.M. Negmatov, Euroasian J. Eng. Sci. Technol. 3(1) 47 (2021). https://doi.org/10.37681/2181-1652-019-X-2021-1-8

U.I. Erkaboev, G. Gulyamov, J.I. Mirzaev, and R.G. Rakhimov, Int. J. Mod. Phys. B. 34(7), 2050052 (2020). https://doi.org/10.1142/S0217979220500526

G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, N.A. Sayidov and R.G. Rakhimov, J. Appl. Sci. Eng. 23(3), 453 (2020). https://doi.org/10.6180/jase.202009_23(3).0009

H. Phuphachong, B.A. Assaf, V.V. Volobuev, G. Bauer, G. Springholz, L.A. De Vaulchier, and Y. Guldner, Crystals, 7(1), (2017). https://doi.org/10.3390/cryst7010029

E.A. Morais, I.F. Costa, E. Abramof, D.A.W. Soares, P.H.O. Rappl, and M.L. Peres, Phys. E: Low-Dimens. Syst. Nanostructures. 127, 114575 (2021). https://doi.org/10.1016/j.physe.2020.114575

R. Rakhimov, and U. Erkaboev, Scientific and Technical Journal of Namangan Institute of Engineering and Technology, 2(11), 27 (2020). https://namdu.researchcommons.org/journal/vol2/iss11/5/

U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, and N.A. Sayidov, Mod. Phys. Lett. B. 35(17), 2150293 (2021). https://doi.org/10.1142/S0217984921502936

Z. Han, V. Singh, D. Kita, C. Monmeyran, P. Becla, P. Su, J. Li, X. Huang, L.C. Kimerling, J. Hu, K. Richardson, D.T.H. Tan, and A. Agarwal. Appl. Phys. Lett. 109(7), 071111 (2016). https://doi.org/10.1063/1.4961532

U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, and N.Y. Azimova, Glob. Sci. Rev. 12, 33 (2023). https://scienticreview.com/index.php/gsr/article/view/156

U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, J.I. Mirzaev, and N.A. Sayidov, Int. J. Eng. Innov. Technol. 9(5), 1557 (2021). http://doi.org/10.35940/ijitee.E2613.039520

F.S. Pena, M.L. Peres, M.J.P. Pirralho, D.A.W. Soares, C.I. Fornari, P.H.O. Rappl, and E. Abramof, Appl. Phys. Lett. 111(19), 192105 (2017). https://doi.org/10.1063/1.4990402

G. Gulyamov, M.G. Dadamirzaev, and M.O. Kosimova, Rom. J. Phys. 68, 603 (2023). https://rjp.nipne.ro/2023_68_1-2/RomJPhys.68.603.pdf

U.I. Erkaboev, and R.G. Rakhimov, East Eur. J. Phys. 3, 133 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-10

U.I. Erkaboev, and R.G. Rakhimov, e-Prime- Adv. Electr. Electron. Eng. Elect. Energ. 3, 100236 (2023). https://doi.org/10.1016/j.prime.2023.100236

U.I. Erkaboev, G. Gulyamov and R.G. Rakhimov, Ind. J. Phys. 96(8), 2359-2368 (2022). https://doi.org/10.1007/s12648-021-02180-4

U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, N.A. Sayidov, and J.I. Mirzaev, Ind. J. Phys. 97(4), 1061 (2023). https://doi.org/10.1007/s12648-022-02435-8

U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, J.I. Mirzaev, U.M. Negmatov, and N.A. Sayidov, Ind. J. Phys. 98(1), 189 (2024). https://doi.org/10.1007/s12648-023-02803-y

U.I. Erkaboev, N.A. Sayidov, U.M. Negmatov, J.I. Mirzaev, and R.G. Rakhimov, E3S Web Conf. 401, 01090 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340101090

U.I. Erkaboev, N.A. Sayidov, U.M. Negmatov, R.G. Rakhimov, and J.I. Mirzaev, E3S Web Conf. 401, 04042 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340104042

U.I. Erkaboev, R.G. Rakhimov, U.M. Negmatov, N.A. Sayidov, and J.I. Mirzaev, Rom. J. Phys. 68, 614 (2023). https://rjp.nipne.ro/2023_68_5-6/RomJPhys.68.614.pdf

M.Ya. Vinnichenko, I.S. Makhov, N.Yu. Kharin, S.V. Graf, V.Yu. Panevin, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, and D.A. Firsov, Semiconductors, 55(9), 710-716 (2021). https://doi.org/10.1134/S1063782621080212

Цитування

The Influence of a Strong Electromagnetic Field on Magnetoresistance Oscillations in Quantum-Scale Semiconductor Structures
NEGMATOV U.M., DADAMIRZAEV M.G. , SAYIDOV N.A. , TEMIROV Q.A. , ERKABOEV U.I. , MIRZAEV J.I. & RAKHIMOV R.G. (2025) Romanian Journal of Physics
Crossref


Erkaboev U. I., Rakhimov R. G., Tursunov B. A., Obidjanov M. O. & Rajabov J. I. (2025)
Crossref

Effect of chromium (Cr2+) additive on electrical and dielectric studies of cobalt doped cadmium–nickel perminvar ferrite
Alam Shamsun, Das H. N. & Sourav Salahuddin (2025) Indian Journal of Physics
Crossref

Modeling the Temperature Dependence of Magneto-Optical Absorption Coefficients in Nanostructured Semiconductors
ERKABOEV U.I., RAKHIMOV R.G. & SAYIDOV N.A. (2025) Romanian Journal of Physics
Crossref

Опубліковано
2024-03-05
Цитовано
Як цитувати
Еркабоєв, У. І., Рахімов, Р. Г., Мірзаєв, Д. І., Саїдов, Н. А., & Negmatov, U. M. (2024). Моделювання температурної залежності осциляцій Шубнікова-де Гааза у світлоіндукованих наноструктурних напівпровідниках. Східно-європейський фізичний журнал, (1), 485-492. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-53