Дослідження поверхні Si, легованого одночасно Ga та Sb
Анотація
Стаття присвячена дослідженню зразків кремнію, легованих атомами галію (Ga) і сурми (Sb). Зокрема, представлено елементний аналіз, SEM зображення та спектрометричний аналіз зразків за допомогою комбінаційного розсіювання. Елементний аналіз показав, що відносні концентрації Ga (0,4) майже дорівнюють концентраціям Sb (0,39), і обидва утворилися на поверхні Si. SEM-зображення показало, що в процесі дифузійного легування на поверхні кремнію утворюються острівці мікророзміру GaSb (діаметром від 1 до 15 мікрон) і щільністю ~106 см-2. Раманівський спектральний аналіз показав, що напівпровідник із молекулами GaSb самозбирається на поверхні Si.
Завантаження
Посилання
M. Niehle, J.-B. Rodriguez, L. Cerutti, E. Tournie, and A. Trampert, “On the origin of threading dislocations during epitaxial growth of III-Sb on Si(001): A comprehensive transmission electron tomography and microscopy study,” Acta Materialia, 143, 121-129 (2018). https://doi.org/10.1016/j.actamat.2017.09.055
M.A. Boshart, A.A. Bailes III, and L.E. Seiberling, “Site Exchange of Ge and Sb on Si(100) during Surfactant-Mediated Epitaxial Growth,” Physical review letters, 77(6), 1087-1090 (1996). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.77.1087
J. Liu, M. Tang, H. Deng, S. Shutts, L. Wang, P.M. Smowton, C. Jin, et al., “Theoretical analysis and modelling of degradation for III–V lasers on Si,” Journal of Physics D: Applied Physics, 55, 404006 (2022). https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac83d3
M.K. Bakhadyrkhanov, Z.T. Kenzhaev, S.V. Koveshnikov, A.A. Usmonov, and G.Kh. Mavlonov, “Formation of Complexes of Phosphorus and Boron Impurity Atoms in Silicon,” Inorganic Materials, 58(1). 3-9 (2022). https://doi.org/10.1134/S0020168522010034
H. Wagner, T. Ohrdes,, A. Dastgheib-Shirazi,, B. Puthen-Veettil,, D. Konig,, and P.P. Altermatt, “A numerical simulation study of gallium phosphide/silicon heterojunction passivated emitter and rear solar cells,” J. Appl. Phys. Jpn. 115(4), 044508 (2014). https://doi.org/10.1063/1.4863464
S.V. Ivanov, P.D. Altukhov, T.S. Argunova, A.A. Bakun, A.A. Budza, V.V. Chaldyshev, Yu.A. Kovalenko, et al., “Molecular beam epitaxy growth and characterization of thin (< 2 pm) GaSb layers on GaAs(l00) substrates,” Semlcond. Sci. Technol. 8, 347-356 (1993). https://doi.org/10.1088/0268-1242/8/3/008
H. Ito, and T. Ishibashi, “Gas source MBE growth of GaSb,” Japanese Journal of Applied Physics, 27(8), 1554-1555 (1988). https://doi.org/10.1143/JJAP.27.1554
Y.K. Su, K.J. Gan, J.S. Hwang, and S.L. Tyan, “Raman spectra of Si-implanted GaSb,” Journal of Applied Physics, 68, 5584 (1990). https://doi.org/10.1063/1.346994
P.K. Asthana, “High performance 20 nm GaSb/InAs junctionless tunnel field effect transistor for low power supply,” Journal of Semiconductors, 36(2), 024003 (2015). https://doi.org/10.1088/1674-4926/36/2/024003
Y. Goswami, P. Asthana, and B. Ghosh, “Nanoscale III–V on Si-based junctionless tunnel transistor for EHF band applications,” Journal of Semiconductors, 38(5) 054002 (2017). https://doi.org/10.1088/1674-4926/38/5/054002
X.-Y. Xu, J.-K. Jiang, W.-Q. Chen, S.-N. Cui, W.-G. Zhou, N. Li, F.-R. Chang, et al., “Wet etching and passivation of GaSb-based very long wavelength infrared detectors,” Chinese Physics B, 31(6) 068503 (2022). https://doi.org/10.1088/1674-1056/ac4cc1
H.J. Lee, S.Y. Ko, Y.H. Kim, and J. Nah, “Strain-induced the dark current characteristics in InAs/GaSb type-II superlattice for mid-wave detector,” Journal of Semiconductors, 41, 062302 (2020). https://doi.org/10.1088/1674-4926/41/6/062302
J. Liu, H. Zhu, H. Zhu, M. Li, Y. Huai, Z. Liu, and Y. Huang, “Long-wavelength InAs/GaSb superlattice double heterojunction infrared detectors using InPSb/InAs superlattice hole barrier,” Semiconductor Science and Technology, 37, 055016 (2022). https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac62f9
M.K. Bakhadyrkhanov, Kh.M. Iliev, K.S. Ayupov, B.A. Abdurakhmonov, P.Yu. Krivenko, and R.L. Kholmukhamedov, “Self-Organization of Nickel Atoms in Silicon,” Inorganic Materials, 47(9), 962-964 (2011). https://doi.org/10.1134/S0020168511090020
K. Ajito, J.P.H. Sukamto, L.A. Nagahara, K. Hashimoto, and A. Fujishima, “Strain imaging analysis of Si using Raman microscopy,” Journal of Vacuum Science & Technology A, 13, 1234-1238 (1995). https://doi.org/10.1116/1.579867
Y.K. Su, K.J. Gan, J.S. Hwang, and S.L. Tyan, “Raman spectra of Si-implanted GaSb,” Journal of Applied Physics, 68, 5584 5587 (1990). https://doi.org/10.1063/1.346994
Авторське право (c) 2023 X.M. Ілієв, С.Б. Ісамов, Б.О. Ісаков, У.X. Курбонова, С.А. Абдурахмонов
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
