Вольтамперні характеристики діодів з катодним статичним доменом з вари зонним шаром та гетеропереходом
Ключові слова:
ударна іонізація, статичний катодний домен, вольтамперні характеристики, гетероперехід, варизонний шар
Анотація
Розглядаються короткі діоди, в яких формуються катодні статичні домени та виникає ударна іонізація. Особливістю діодів, що розглядаються є наявність гетеропереходу на катодному контакті та області, що являє собою варизонний напівпровідник. Аналіз роботи діодів проводився з використанням методу Монте-Карло. Досліджено вплив профілю легування на вольтамперні характеристики діодів. Отримано розподіли концентрації носіїв та електричного поля, визначено залежність параметрів катодного статичного домену від структури діода та напруги зміщення. Показано, що визначальний плив на параметри домена та вольтамперні характеристики має ширина збідненої області на катоді. Продемонстровано роль ударної іонізації, як механізму релаксації енергії електронів
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
A. El Fatimy, N. Dyakonova, Y. Meziani, T. Otsuji, W. Knap, S. Vandenbrouk, K. Madjour, D. The´ron, C. Gaquiere, M.A. Poisson, S. Delage, P. Prystawko, C. Skierbiszewski.: AlGaN/GaN high electron mobility transistors as a voltage-tunable room temperature terahertz sources // J. Appl. Phys. 107, 024504 (2010)
B. Bhushan (ed.), Encyclopedia of Nanotechnology, Springer. – Springer Dordrecht Heidelberg New York London Library of Congress Control Number: 2012940716. – 2012. – P. 253- 267.
M. Levinshtein, J. Kostamovaara, S. Vainshtein Breakdown phenomena in semiconductors and semiconductors devises Selected topics of electronic and system. – Vol. 36. – World ScientificPublishing. – Singapore. – 2005. – 208 P.
O. V. Botsula, E.D. Prokhorov, D.S. Svergun , K.G. Prykhodko. Influence of impact ionization on oscillation efficiency of short GaN – based diodes // Материалы 24 Межд. Крымской конф.-“СВЧ техника и телекоммуникационные технологии”, Севастополь, КрыМиКо-2014. – Т.1. – С.143-144.
В. И. Ильин Квазиэлектрические поля в полупроводниках и полупроводниковых структурах//Соросовский образовательный журнал. – Т. 7, № 11. – 2001. – С. 109-115.
О. В. Боцула, К. Г. Приходько Диод с катодным статическим на основе гетероструктуры // Радиофизика и электроника – 2015. – Т. 6(20), № 3. – С. 66–71.
B. Bhushan (ed.), Encyclopedia of Nanotechnology, Springer. – Springer Dordrecht Heidelberg New York London Library of Congress Control Number: 2012940716. – 2012. – P. 253- 267.
M. Levinshtein, J. Kostamovaara, S. Vainshtein Breakdown phenomena in semiconductors and semiconductors devises Selected topics of electronic and system. – Vol. 36. – World ScientificPublishing. – Singapore. – 2005. – 208 P.
O. V. Botsula, E.D. Prokhorov, D.S. Svergun , K.G. Prykhodko. Influence of impact ionization on oscillation efficiency of short GaN – based diodes // Материалы 24 Межд. Крымской конф.-“СВЧ техника и телекоммуникационные технологии”, Севастополь, КрыМиКо-2014. – Т.1. – С.143-144.
В. И. Ильин Квазиэлектрические поля в полупроводниках и полупроводниковых структурах//Соросовский образовательный журнал. – Т. 7, № 11. – 2001. – С. 109-115.
О. В. Боцула, К. Г. Приходько Диод с катодным статическим на основе гетероструктуры // Радиофизика и электроника – 2015. – Т. 6(20), № 3. – С. 66–71.
Опубліковано
2017-10-03
Цитовано
Як цитувати
Боцула, О. В., & Приходько, К. Г. (2017). Вольтамперні характеристики діодів з катодним статичним доменом з вари зонним шаром та гетеропереходом. Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Радіофізика та електроніка», (25), 66-69. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/radiophysics/article/view/9381
Розділ
Оригінальна стаття
