Статичні характеристики діодів з гетеропереходом GaAs-AlGaAs для генерації НВЧ – шуму
Ключові слова:
ударна іонізація, статичний катодний домен, вольтамперні характеристики, гетероперехід, пробивні напруги
Анотація
Розглядаються діоди, в яких за певних умов утворюється катодний статичний домен. В таких діодах виникає ударна іонізація, лавинно-прольотний ефект і шумова генерація в широкому діапазоні частот.Аналіз роботи діода проводився з використанням методу Монте-Карло. Враховано можливість виникнення ударної іонізації та наявність носіїв обох знаків Отримані розподіли концентрації носіїв та електричного поля в діодах. Показано, що введення гетеропереходу в більшій мірі впливає на положення максимуму напруженості електричного поля, ніж на його величину. Вольтамперні характеристкики діодів, що розглядалися, демонструють однакову якісну поведінку: сублінійне зростання струму з тенденцією до насичення до певних напруг та суперлінійне зростання струму, що пов’язане з ударною іонізацією в домені сильного поля.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
1. Прохоров Э.Д., Скоробогатова С.Н., Золотарев Е.С., Генерация СВЧ шума диодом с катодным статическим доменом//Радиотехника и электроника. – 1976. – Вып.21. – № 8. – С. 1732-1739.
2. Прохоров Э.Д., Боцула О.В., Соколов С.Б. Влияние параметров прикатодной области диода с катодным статическим доменом на порог генерации СВЧ шума// Радиофизика и электроника. – 2010. – Вып. 15. – № 1. – С. 91-95.
3. Золотарев Е.С., Прохоров Э.Д., Модели диодов с катодным статическим доменом//Радиотехника и электроника. – 1990. – Вып. 35. – № 10. – С. 2221- 2223.
4. Прохоров Э.Д., Скоробогатова С.Н., Шумовой спектр диода с катодным статическим доменом// Радиотехника и электроник. – 1985. – Вып. 31. – № 7. – С.1447- 1449.
5. А. с. № 1591775 Диод для генерации СВЧ шума / Прохоров Э. Д., Золотарев Е. С. (СССР). – от. 26. 07. 1989.
6. Прохоров Э. Д., Боцула О. В., Горбунов И. А. Моделирование диода с катодным статическим доменом методом Монте-Карло // Вестник ХНУ, Радиофизика и электроника. – 2013. – № 10. – Вып. 22-23. – C. 112- 115.
7. Cook R. K., Frey J., Diffusion effects “Ballistic Transport”// IEEE Trans. Electron Devices. – 1981. – ED-28(8). – P. 951-953.
8. Vurgaftman I., Meyer J. R., Ram-Mohan L. R. Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys // Jornal of applied physics. – 2001. – Vol. 89. – No 11. – P. 5815 – 5875.
9. Jacoboni C., Reggiani L. The Monte Carlo method for the solution of charge transport in semiconductors with applications to covalent materials // Rev. Modern Physics. – 1983. – V. 55. – N. 3. – 1983. – P. 675 -705.
10. Canali С., Pavan Р. Lugli P., Malik R., Manfredi M., Neviani A., Vendrame L., Zanoni E., Zandler G. Experimental and Monte Carlo Analysis of Impact-Ionization in AlGaAs/GaAs HBT’s // IEEE Transaction on electron devices. – 1996. – Vol. 43. – No 11. P. 1769 – 1777.
2. Прохоров Э.Д., Боцула О.В., Соколов С.Б. Влияние параметров прикатодной области диода с катодным статическим доменом на порог генерации СВЧ шума// Радиофизика и электроника. – 2010. – Вып. 15. – № 1. – С. 91-95.
3. Золотарев Е.С., Прохоров Э.Д., Модели диодов с катодным статическим доменом//Радиотехника и электроника. – 1990. – Вып. 35. – № 10. – С. 2221- 2223.
4. Прохоров Э.Д., Скоробогатова С.Н., Шумовой спектр диода с катодным статическим доменом// Радиотехника и электроник. – 1985. – Вып. 31. – № 7. – С.1447- 1449.
5. А. с. № 1591775 Диод для генерации СВЧ шума / Прохоров Э. Д., Золотарев Е. С. (СССР). – от. 26. 07. 1989.
6. Прохоров Э. Д., Боцула О. В., Горбунов И. А. Моделирование диода с катодным статическим доменом методом Монте-Карло // Вестник ХНУ, Радиофизика и электроника. – 2013. – № 10. – Вып. 22-23. – C. 112- 115.
7. Cook R. K., Frey J., Diffusion effects “Ballistic Transport”// IEEE Trans. Electron Devices. – 1981. – ED-28(8). – P. 951-953.
8. Vurgaftman I., Meyer J. R., Ram-Mohan L. R. Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys // Jornal of applied physics. – 2001. – Vol. 89. – No 11. – P. 5815 – 5875.
9. Jacoboni C., Reggiani L. The Monte Carlo method for the solution of charge transport in semiconductors with applications to covalent materials // Rev. Modern Physics. – 1983. – V. 55. – N. 3. – 1983. – P. 675 -705.
10. Canali С., Pavan Р. Lugli P., Malik R., Manfredi M., Neviani A., Vendrame L., Zanoni E., Zandler G. Experimental and Monte Carlo Analysis of Impact-Ionization in AlGaAs/GaAs HBT’s // IEEE Transaction on electron devices. – 1996. – Vol. 43. – No 11. P. 1769 – 1777.
Цитовано
Як цитувати
Боцула, О. В. (1). Статичні характеристики діодів з гетеропереходом GaAs-AlGaAs для генерації НВЧ – шуму. Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Радіофізика та електроніка», (24), 91–94. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/radiophysics/article/view/6391
Розділ
Оригінальна стаття
