Варизонні InGaP-InPAs діоди Ганна

И. П. Стороженко Национальный фармацевтический университет, ул. Пушкинская, 53, Харьков, 610027, Украина
Ю. В. Аркуша Харьковский национальный университет имени В. Н. Каразина, пл. Свободы, 4, Харьков, 61022, Украина

Ключові слова: діод Ганна, міждолинний перенос електронів, варізонний напівпровідник, вихідна потужність, домен, ефективність генерації, температурна модель, терагерцова електроніка, InGaPAs

Анотація

В статті представлені результати числових експериментів по ефективної генерації електромагнітних коливань
в діапазоні від 18 до 80 ГГц за допомогою варізонних In x Ga 1–x P-InP y As 1-y діодів Ганна. Наводяться залежності
ефективності генерації і вихідної потужності від частоти для різних розподілів GaP і InAs в в In x Ga 1–x P-InP y As 1-y -
діоді. Представлено аналіз отриманих результатів в порівнянні з аналогічними Al x Ga 1–x As/GaAs/Ga 1–y In y As-
діодами. Максимальна потужність In x Ga 1–x P-InP y As 1–y -діода становить 11,3 кВтсм –2 на частоті 40 ГГц з
ефективністю 10,2% при х = 0,6 та y = 0,6. Для порівняння InP-InP 0,4 As 0,6 -діод має потужність 9 кВтсм –2 на
частоті 48 ГГц з ефективністю 5%, In 0,5 Ga 0,5 P-InP-діод – 7,6 кВтсм –2 на частоті 43 ГГц з ефективністю 9 % та
InP-діод – 1,9 кВтсм –2 на частоті 69 ГГц з ефективністю 1,3 %.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

Стороженко І. П., Майборода І. М, Бабенко В. П., Кайдаш М. В. Огляд досягнень в терагерцових комунікаційних системах // Збірник наукових праць Національної академії Національної гвардії України. – 2016, № 1. – С. 45 – 48.

Khalid A. Li C., Papageogiou V. et al. In 0.53 Ga 0.47 As planar Gunn diodes operating at a fundamental frequency of 164 GHz // IEEE Electron Device Letters, –2013. – 34, № 1. – P. 39 – 41.

Maricar M. I. Experimentally estimated dead space for GaAs and InP based planar Gunn diodes. / M. I. Maricar, A. Khalid et al // Semiconductor Science and Technology. – 2015. – 30, № 1. 012001.

Couch N. R. The use of linearly graded composition AlGaAs injectors for intervalley transfer in GaAs: theory and experiment / N.R.Couch, P.H.Beton J.Kelly, M.M.Kerr // Solid State Electron. – 1988. – 31, – № 3 – 4. – Chapter 6. – Р. 613 – 616.

Forster A. Hot electron injector Gunn diode for advanced driver assistance systems / A. Forster , M. I. Lepsa, D. Freundt, J. Stock S. Montanari // Applied Physics A: Materials Science & Processing. – 2007. – 87. – P. 545-558.

Storozhenko I. P. Frequency Characteristics of diodes with intervalley electron transfer that based on variband In x(z) Ga 1-x(z) As with various cathode contacts // Journal of Communications Technology and Electronics. - 2007. - V. 52, №. 10. - P. 1253 – 1259.

Стороженко И.П., Аркуша Ю.В., Прохоров Э.Д. Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с Al x Ga 1-x As и GaP x As 1-x катодами // Радиофизика и электроника. - 2007. – Т. 12, № 3. –С. 579 – 583.

Стороженко И. П., Ярошенко А. Н., Аркуша Ю. В. Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN // Радиофизика и электроника. – 2014. – Т. 5 (19), № 2 . – С. 77 – 81.

Harry M. A., Kelly M. J., Dunn G. M. et al. Carr The free-space oscillation of heterojunctions GaAs/AlGaAs Gunn diodes as a design guide // Semicond. Sci. Techol. – 1999. – Vol. 14. – P. 19-20.

Sponer H. Couch N. R. Advances in hot electron injector Gunn diodes // GEC Journal of Reseach. – 1989. – Vol. 7, № 1. – P. 34–35.

Стороженко И.П. Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaP x(z) As 1-x(z) // Радиофизика и электроника. – 2007. – Т. 12, № 1. – С. 243 – 249.