Варизонні InGaP-InPAs діоди Ганна

  • И. П. Стороженко Национальный фармацевтический университет, ул. Пушкинская, 53, Харьков, 610027, Украина
  • Ю. В. Аркуша Харьковский национальный университет имени В. Н. Каразина, пл. Свободы, 4, Харьков, 61022, Украина
Ключові слова: діод Ганна, міждолинний перенос електронів, варізонний напівпровідник, вихідна потужність, домен, ефективність генерації, температурна модель, терагерцова електроніка, InGaPAs

Анотація

В статті представлені результати числових експериментів по ефективної генерації електромагнітних коливань
в діапазоні від 18 до 80 ГГц за допомогою варізонних In x Ga 1–x P-InP y As 1-y діодів Ганна. Наводяться залежності
ефективності генерації і вихідної потужності від частоти для різних розподілів GaP і InAs в в In x Ga 1–x P-InP y As 1-y -
діоді. Представлено аналіз отриманих результатів в порівнянні з аналогічними Al x Ga 1–x As/GaAs/Ga 1–y In y As-
діодами. Максимальна потужність In x Ga 1–x P-InP y As 1–y -діода становить 11,3 кВтсм –2 на частоті 40 ГГц з
ефективністю 10,2% при х = 0,6 та y = 0,6. Для порівняння InP-InP 0,4 As 0,6 -діод має потужність 9 кВтсм –2 на
частоті 48 ГГц з ефективністю 5%, In 0,5 Ga 0,5 P-InP-діод – 7,6 кВтсм –2 на частоті 43 ГГц з ефективністю 9 % та
InP-діод – 1,9 кВтсм –2 на частоті 69 ГГц з ефективністю 1,3 %.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

Стороженко І. П., Майборода І. М, Бабенко В. П., Кайдаш М. В. Огляд досягнень в терагерцових комунікаційних системах // Збірник наукових праць Національної академії Національної гвардії України. – 2016, № 1. – С. 45 – 48.

Khalid A. Li C., Papageogiou V. et al. In 0.53 Ga 0.47 As planar Gunn diodes operating at a fundamental frequency of 164 GHz // IEEE Electron Device Letters, –2013. – 34, № 1. – P. 39 – 41.

Maricar M. I. Experimentally estimated dead space for GaAs and InP based planar Gunn diodes. / M. I. Maricar, A. Khalid et al // Semiconductor Science and Technology. – 2015. – 30, № 1. 012001.

Couch N. R. The use of linearly graded composition AlGaAs injectors for intervalley transfer in GaAs: theory and experiment / N.R.Couch, P.H.Beton J.Kelly, M.M.Kerr // Solid State Electron. – 1988. – 31, – № 3 – 4. – Chapter 6. – Р. 613 – 616.

Forster A. Hot electron injector Gunn diode for advanced driver assistance systems / A. Forster , M. I. Lepsa, D. Freundt, J. Stock S. Montanari // Applied Physics A: Materials Science & Processing. – 2007. – 87. – P. 545-558.

Storozhenko I. P. Frequency Characteristics of diodes with intervalley electron transfer that based on variband In x(z) Ga 1-x(z) As with various cathode contacts // Journal of Communications Technology and Electronics. - 2007. - V. 52, №. 10. - P. 1253 – 1259.

Стороженко И.П., Аркуша Ю.В., Прохоров Э.Д. Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с Al x Ga 1-x As и GaP x As 1-x катодами // Радиофизика и электроника. - 2007. – Т. 12, № 3. –С. 579 – 583.

Стороженко И. П., Ярошенко А. Н., Аркуша Ю. В. Диоды Ганна на основе варизонных InBN и GaBN // Радиофизика и электроника. – 2014. – Т. 5 (19), № 2 . – С. 77 – 81.

Harry M. A., Kelly M. J., Dunn G. M. et al. Carr The free-space oscillation of heterojunctions GaAs/AlGaAs Gunn diodes as a design guide // Semicond. Sci. Techol. – 1999. – Vol. 14. – P. 19-20.

Sponer H. Couch N. R. Advances in hot electron injector Gunn diodes // GEC Journal of Reseach. – 1989. – Vol. 7, № 1. – P. 34–35.

Стороженко И.П. Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaP x(z) As 1-x(z) // Радиофизика и электроника. – 2007. – Т. 12, № 1. – С. 243 – 249.

Опубліковано
2018-05-30
Цитовано
Як цитувати
Стороженко, И. П., & Аркуша, Ю. В. (2018). Варизонні InGaP-InPAs діоди Ганна. Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Радіофізика та електроніка», (28), 70-75. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/radiophysics/article/view/13402