Частотні можливості варизонних структур з ударною іонізацією на основі GaInAs

  • О. В. Боцула
  • К. Г. Приходько
  • О. Р. Шевченко
Ключові слова: ударна іонізація, молярна частка, широкозонний напівпровідник, напруженість електричного поля, час затримки

Анотація

Розглядаються кінетичні процеси в потрійній напівпровідниковій сполуці Ga z In 1-z As в умовах виникнення ініційованої електронами ударної іонізації. Аналіз роботи діодів проводився із використанням методу Монте-Карло з урахуванням залежності всіх параметрів напівпровідника від координати. Визначено параметри ударної іонізації в однорідних сполуках Ga z In 1-z As в залежності від вмісту Ga та неоднорідних структурах з різним законом його просторового розподілу та зроблено їх порівняльний аналіз. Показано, що проміжки часу затримки розвитку ударної іонізації відповідають частотам терагерцового діапазону, а ударну іонізацію у варизонних напівпровідниках можна використати для отримання генерації в цьому діапазоні.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

B. Bhushan (ed.), Encyclopedia of Nanotechnology, Springer. – Springer Dordrecht Heidelberg New York London Library of Congress Control Number: 2012940716. – 2012. – P. 253- 267.

Acharyya A and Banerjee JP Potentiality of Impact Devices as THz Source // IETE Journal of research. – 2013. – Vol. 59. – ISSUE 2 . p.118 – 127.

M. Levinshtein, J. Kostamovaara, S. Vainshtein Breakdown phenomena in semiconductoes and semiconductors devises Selected topics of electronic and system. – Vol. 36. – World ScientificPublishing. – Singapore. – 2005. – 208 P.

E.D. Prokhorov, O.V. Botsula, A.V. Dyadchenko, I.A. Gorbunov. “Monte Carlo sіmulation of diode with cathode static domain,” Proceedings 23rd Int. Crimean Conference “Microwave & Telecommunication Technology” (CriMiCo’2013), Sevastopol, Crimea, Ukraine, pp. 139-140, 2013.

O. V. Botsula, K. H. Pryhodko, V. A. Zozulia. “Impact ionization is short Al Z Ga 1-z N-based diodes// Telecommunications and Radio Engineering. –2017. – Vol. 76. – No. 1. – pp. 61-71.

K. H. Prykhodko, V. О. Zozulia, O. V. Botsula. Graded Band Gap InGaAs Diodes for Terahertz Applications // YSF–2017. – 2017 IEEE International Young Scientists Forum on Applied Physics and Engineering, Conference Proceedings. – pp. 291-294.

V. Balynas, A. Krotkus, A. Stalnionis, A.T. Gorelionok, N.M. Shmidt, and J.A. Tellefsen. Timeresolved, hot-electron conductivity measurement using an electro-optic sampling technique// Applied Physics A. –1990. –51(4). – pp. 357–360.

Опубліковано
2017-11-21
Цитовано
Як цитувати
Боцула, О. В., Приходько, К. Г., & Шевченко, О. Р. (2017). Частотні можливості варизонних структур з ударною іонізацією на основі GaInAs. Вісник Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна. Серія «Радіофізика та електроніка», (27), 85-89. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/radiophysics/article/view/11429