Морфологія поверхневого шару зразків Si<Cr>
Анотація
У роботі досліджено електричні та фотоелектричні властивості приповерхневого та поверхневого шарів кремнію, легованого дифузією атомів хрому. Виявлено формування аномальної концентрації носіїв заряду в цих областях, а також аномально низьку рухливість. Питома електропровідність приповерхневого шару товщиною 1÷5 мкм виявилася рівною (1,6÷9,9)·103·Ом‑1·см-1. Методом світлового зонду визначали неоднорідність досліджуваного кристала.
Завантаження
Посилання
Kh.S. Daliev, and А.А. Lebedev, Properties of doped semiconductor materials, (Мoscow, Nauka, 1990). (in Russian)
Sh.B. Utamuradova, Kh.S. Daliev, Sh.Kh. Daliev, abd K.M. Fayzullaev, Applied Physics, (6), 90–95 (2019). (In Russian)
F.Y. Wang, Impurity Doping Processes in Silicon, (North Holland Publishing, North Holland, 2013).
A.A. Lebedev, “Deep level centers in silicon carbide: A review,” Semiconductors, 33(2), 107-130 (1999). https://doi.org/10.1134/1.1187657
K.P. Abdurakhmanov, Sh.B. Utamuradova, Kh.S. Daliev, S.G. Tadjy-Aglaeva, and R.M. Érgashev, “Defect-formation processes in silicon doped with manganese and germanium,” Semiconductors, 32(6), 606–607 (1998). https://doi.org/10.1134/1.1187448
U.O. Kutliev, M.K. Karimov, F.O. Kuryozov, and K.U. Otabaeva, Journal of Physics: Conference Series, 1889(2), 022063 (2021). https://doi.org/10.15330/pcss.22.4.742-745
M.K. Karimov, U.O. Kutliev, S.B. Bobojonova, and K.U. Otabaeva. Physics and Chemistry of Solid State, 22(4), 742–745 (2021). https://doi.org/10.1088/1742-6596/1889/2/022063
Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, O.A. Bozorova, and Sh.Kh. Daliev, “Joint effect of Ni and Gf impurity atoms on the silicon solar cell photosensitivity,” Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika), 41(1), 80–81 (2005). https://www.researchgate.net/publication/294234192_Joint_effect_of_Ni_and_Gf_impurity_atoms_on_the_silicon_solar_cell_photosensitivity
K.S. Daliev, S.B. Utamuradova, J.J. Khamdamov, and M.B. Bekmuratov, “Structural properties of silicon doped rare earth elements ytterbium,” East Eur. J. Phys. (1), 375–379 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-37
S.B. Utamuradova, S.Kh. Daliev, E.M. Naurzalieva, and X.Yu. Utemuratova, “Investigation of defect formation in silicon doped with silver and gadolinium impurities by raman scattering spectroscopy,” East European Journal of Physics, (3), 430 433 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-47
Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, O.A. Bozorova, and Sh.Kh. Daliev, “Joint influence of impurity atoms of nickel and hafnium on photosensitivity of silicon solar cells,” Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika), 1, 85–87 (2005). https://www.researchgate.net/publication/294234192_Joint_effect_of_Ni_and_Gf_impurity_atoms_on_-the_silicon_solar_cell_photosensitivity
M.Sh. Isaev, I.T. Bozarov, and A.I. Tursunov, “Investigation of thermally stimulated conductivity of cobalt silicide,” E3S Web of Conferences, 402, 14019 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340214019
M.Sh. Isaev, T.U. Atamirzaev, M.N. Mamatkulov, U.T. Asatov, and M.A. Tulametov, “Study of the mobility and electrical conductivity of chromium silicide,” East European Journal of Physics, (4), 189–192 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-22
Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliyev, J.J. Khamdamov, Kh.J. Matchonov, and Kh.Y. Utemuratova, “Research of the Impact of Silicon Doping with Holmium on its Structure and Properties Using Raman Scattering Spectroscopy Methods,” East Eur. J. Phys. (2), 274 (2024), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-28.
A.A. Rakhmankulov. E3S Web Conf. 411, 01022 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202341101022
A.T. Mamadalimov, M.Sh. Isaev, T.U. Atamirzaev, S.N. Ernazarov, and M.K. Karimov, “CVC Structure of PtSi - Si-M in a Wide Range of Temperatures,” East Eur. J. Phys. (2), 358–361 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-43
A.T. Mamadalimov, M.Sh. Isaev, I.T. Bozarov, A.E. Rajabov, and S.K. Vakhabova, “Study of the Thermoelectric Properties of Chrome Silicides,” East Eur. J. Phys. (2), 362–365 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-44
A.A. Snarsky, A.K. Sarychev, I.V. Bezsudnov, and A.N. Lagarkov, “Thermoelectric figure of merit of bulk nanostructured composites with distributed parameters,” Semiconductors, 46(5), 677-683 (2012). http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/7707 (in Russian)
Semiconductor and Semiconductor Devices Workshop, edited by K.V. Shalimova, (Vyschsz shkola, Moscow, 1968). (in Russian).
Авторське право (c) 2024 М.Ш. Ісаєв, А.І. Худайбердієва, М.Н. Маматкулов, У.Т. Асатов, С.Р. Кодиров
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
