Вплив опору на електричні характеристики гетероструктур Al-легованого ZnO/p-Si

  • Фахріддін Т. Юсупов Ферганський політехнічний інститут, Фергана, Узбекистан https://orcid.org/0000-0001-8937-7944
  • Мехріддін Ф. Ахмаджонов Ферганський політехнічний інститут, Фергана, Узбекистан https://orcid.org/0000-0002-1623-0404
  • Дадахон Ш. Хідіров Ферганський політехнічний інститут, Фергана, Узбекистан https://orcid.org/0000-0003-1391-4250
  • Ділмухаммад Х. Толабоєв Ферганський політехнічний інститут, Фергана, Узбекистан https://orcid.org/0000-0001-6248-845X
  • Іхтіор М. Турсунов Ферганський політехнічний інститут, Фергана, Узбекистан https://orcid.org/0009-0009-0864-2204
Ключові слова: АЗО плівки, питомий опір, p-Si гетероперехід, ВАХ, C-V характеристики, аналіз Мотта-Шотткі, проміжні стани, спектри фотолюмінесценції (ФЛ), кисневі вакансії, термічне випаровування, уловлювання заряду

Анотація

Це дослідження вивчає вплив питомого опору плівок оксиду цинку з домішками алюмінію (AZO) на електричні характеристики AZO/p-Si гетеропереходів. Плівки AZO були осаджені методом термічного випаровування на підкладках з p-Si, причому температура осадження змінювалася для регулювання морфології плівок та їхнього питомого опору. Для оцінки роботи діода та динаміки станів на межі розділу були проведені комплексні вимірювання струмо-напругових (I-V) та ємнісно-напругових (C-V) характеристик. Результати показали, що зразки з вищим питомим опором, особливо ті, що були осаджені при кімнатній температурі (S1 та S2), демонструють поведінку, подібну до МОН-структур, що вказує на підвищену концентрацію станів на межі розділу та дефектів. Натомість зразки, осаджені при підвищених температурах (S3, S4 та S5), демонструють покращені характеристики діода з меншим питомим опором, підвищеною рухливістю носіїв заряду та кращою кристалічною якістю. Аналізи Мотта-Шотткі та ємнісно-частотні (C-f) вимірювання також виявили значну роль станів на межі розділу у визначенні електричного відгуку гетеропереходу, особливо на низьких частотах, де переважає захоплення заряду. Крім того, спектри фотолюмінесценції (PL) підтверджують наявність кисневих вакансій у плівках AZO, з сильним видимим випромінюванням, що спостерігається у зразках S1 та S2, яке пов'язане з глибокими дефектними станами. Ця робота підкреслює критичний вплив умов осадження на питомий опір та продуктивність плівок AZO у гетероструктурних оптоелектронних пристроях, надаючи цінну інформацію для оптимізації властивостей матеріалу з метою підвищення ефективності пристроїв.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

R.A. Antwi, I. Nkrumah, F.K. Ampong, M. Paal, R.Y. Tamakloe, R.K. Nkum, and F. Boakye, “Synthesis of Pure and Manganese Doped Zinc Oxide Nanoparticles by a Solution Growth Technique: Structural and Optical Investigation,” East European Journal of Physics, (4), 129-136 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-13

Z.X. Mirzajonov, K.A. Sulaymonov, T.I. Rakhmonov, F.T. Yusupov, D.SH. Khidirov, and J.S. Rakhimjonov, “Advancements in Zinc Oxide (ZnO) thin films for photonic and optoelectronic applications: a focus on doping and annealing processes,” E3S Web of Conferences, 549, 03013 (2024). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202454903013

R. Pietruszka, R. Schifano, T.A. Krajewski, B.S. Witkowski, K. Kopalko, L. Wachnicki, and E. Zielony, “Improved efficiency of n-ZnO/p-Si based photovoltaic cells by band offset engineering,” Solar Energy Materials and Solar Cells, 147, 164-170 (2016). https://doi.org/10.1016/j.solmat.2015.12.018.

N. Sultanov, Z. Mirzajonov, and F. Yusupov, “Technology of production and photoelectric characteristics of AlB 10 heterojunctions based on silicon,” E3S Web of Conferences, 458, 01013 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202345801013

N.A. Sultanov, Z.X. Mirzajonov, F.T. Yusupov, and T.I. Rakhmonov, “Nanocrystalline ZnO Films on Various Substrates: A Study on Their Structural, Optical, and Electrical Characteristics,” East European Journal of Physics, (2), 309-314 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-35

K.H. Kong, R. Kek, T.Y. Tou, and S.S. Yap, “Effects of the resistivity of AZO film on the IV and CV characteristics of AZO/p-Si heterojunction,” Microelectronic Engineering, 213, 24-30 (2019). https://doi.org/10.1016/j.mee.2019.04.011

S. Erat, A. Braun, S. Çetinkaya, S. Yıldırımcan, A.E. Kasapoglu, E. Gür, E. Harputlu, K. Ocakoglu, “Solution-Processable Growth and Characterization of Dandelion-like ZnO:B Microflower Structures,” Crystals, 12(1), 11 (2021). https://doi.org/10.3390/cryst12010011

M. Sharmin, and A.H. Bhuiyan, “Modifications in structure, surface morphology, optical and electrical properties of ZnO thin films with low boron doping,” Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 30(5), 4867-4879 (2019). https://doi.org/10.1007/S10854-019-00781-8

A. Roy, and M. Benhaliliba, “Investigation of ZnO/p-Si heterojunction solar cell: Showcasing experimental and simulation study,” Optik, 274, 170557 (2023). https://doi.org/10.1016/j.ijleo.2023.170557.

Mohammad-Reza Zamani-Meymian, Nima Naderi, Maryam Zareshahi, Improved n-ZnO nanorods/p-Si heterojunction solar cells with graphene incorporation, Ceramics International, 48(23), 34948-34956 (2022). https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2022.08.084

F.T. Yusupov, T.I. Rakhmonov, M.F. Akhmadjonov, M.M. Madrahimov, and S.S. Abdullayev, “Enhancing ZnO/Si Heterojunction Solar Cells: A Combined Experimental And Simulation Approach,” East European Journal of Physics, (3), 425-434 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-3-51

D. Das, and L. Karmakar, “Optimization of Si doping in ZnO thin films and fabrication of n-ZnO:Si/p-Si heterojunction solar cells,” Journal of Alloys and Compounds, 824, 153902 (2020). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.153902

S. Karakaya, “Effect of fluorine and boron co-doping on ZnO thin films: Structural, luminescence properties, and Hall effect measurements,” Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 29, 1628-1638 (2018). https://doi.org/10.1007/s10854-017-8352-x

N.M. Nemma, and Z.S. Sadeq, “Eco-Friendly Green Synthesis and Photocatalyst Activity of Ag-ZnO Nanocomposite,” East European Journal of Physics, (3), 271-278 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-24

M.A. Shafi, S. Bibi, M.M. Khan, H. Sikandar, F. Javed, H. Ullah, L. Khan, and B. Mari, “A Numerical Simulation for Efficiency Enhancement of CZTS Based Thin Film Solar Cell Using SCAPS-1D,” East European Journal of Physics, (2), 52-63 (2022). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2022-2-06

I. Kanmaz, “Simulation of CdS/p-Si/p+-Si and ZnO/CdS/p-Si/p+-Si heterojunction solar cells,” Results in Optics, 10, 100353 (2023). https://doi.org/10.1016/j.rio.2023.100353

S. Maqsood, Z. Ali, K. Ali, M. Ishaq, M. Sajid, A. Farhan, A. Rahdar, and S. Pandey, “Assessment of different optimized anti-reflection coatings for ZnO/Si heterojunction solar cells,” Ceramics International, 49(23), 37118-37126 (2023). https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2023.08.313

S. Maity, and P.P. Sahu, “Efficient Si-ZnO-ZnMgO heterojunction solar cell with alignment of grown hexagonal nanopillar,” Thin Solid Films, 674, 107-111 (2019). https://doi.org/10.1016/j.tsf.2019.02.007

Q. Yu, H. Zhao, and Y. Zhao, “The study of optical-electrical properties of ZnO(AZO)/Si heterojunction,” Current Applied Physics, 57, 111-118 (2024). https://doi.org/10.1016/j.cap.2023.11.008

Опубліковано
2025-03-03
Цитовано
Як цитувати
Юсупов, Ф. Т., Ахмаджонов, М. Ф., Хідіров, Д. Ш., Толабоєв, Д. Х., & Турсунов, І. М. (2025). Вплив опору на електричні характеристики гетероструктур Al-легованого ZnO/p-Si. Східно-європейський фізичний журнал, (1), 177-183. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2025-1-17
Розділ
Статті

Найбільш популярні статті цього автора (авторів)