Дослідження силіцидоутворення в монокристалічному кремнії великого діаметра
Анотація
Для дослідження утворення силіцидів використовували бездислокаційні злитки монокристалічного кремнію діаметром 65÷110 мм, вирощені методом Чохральського. При дослідженні таких зразків кремнію методом електронної мікроскопії, малокутового розсіювання випромінювання СО2-лазера виявлено три типи дефектів: завихрені дефекти, домішкові мікровключення та домішкові хмари. Показано, що в приповерхневому шарі легованого кремнію утворюються силіцидні включення розміром 8-20 мкм, які лінійно зменшуються вглиб кристала. Визначено електричні параметри напівпровідникового силіциду хрому: питомий опір 1800 мкОм·см, коефіцієнт термоЕРС 180 мкВ/к, стала Холла 1,2·10‑2 см3/Кл, концентрація дірок 6·1019 см-3, рухливість носіїв заряду 18,6 см2/В. ·s, ширина забороненої зони (0,29±0,02) еВ.
Завантаження
Посилання
L. Wang, J. Liu, Y. Li, G. Wei, Q. Li, Z. Fan, H. Liu, et al., “Dislocations in Crystalline Silicon Solar Cells,” Advanced Energy and Sustainability Research, 5(2), 2300240 (2024). https://doi.org/10.1002/aesr.202300240
K.P. Abdurakhmanov, Sh.B. Utamuradova, Kh.S. Daliev, S.G. Tadjy-Aglaeva, and R.M. Érgashev, “Defect-formation processes in silicon doped with manganese and germanium,” Semiconductors, 32(6), 606–607 (1998). https://link.springer.com/article/10.1134/1.1187448
Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, O.A. Bozorova, Sh.Kh. Daliev, “Joint effect of Ni and Gf impurity atoms on the silicon solar cell photosensitivity,” Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika), 41(1), 80–81 (2005). https://www.researchgate.net/publication/294234192_Joint_effect_of_Ni_and_Gf_impurity_atoms_on_the_silicon_solar_cell_photosensitivity
K.P. Abdurakhmanov, Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, and N.Kh. Ochilova, “On defect formation in silicon with impurities of manganese and zinc,” Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika), 34(2), 73–75 (1998).
A.A. Lebedev, “Deep level centers in silicon carbide: A review,” Semiconductors, 33(2), 107-130 (1999). https://link.springer.com/article/10.1134/1.1187657
Sh.B. Utamuradova, Kh.J. Matchonov, J.J. Khamdamov, and Kh.Y. Utemuratova, “X-ray diffraction study of the phase state of silicon single crystals doped with manganese,” New Materials, Compounds and Applications, 7(2), 93-99 (2023). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/NMCA/v7n2/Utamuradova_et_al.pdf
Kh.S. Daliev, Z.E. Bahronkulov, and J.J. Hamdamov, “Investigation of the Magnetic Properties of Silicon Doped with Rare-Earth Elements,” East Eur. J. Phys. (4), 167-171 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-18
Z.T. Azamatov, Sh.B. Utamuradova, M.A. Yuldoshev, and N.N. Bazarbaev, East Eur. J. Phys. (2), 187-190 (2023), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-2-19
S.B. Utamuradova, Z.T. Azamatov, M.A. Yuldoshev, N.N. Bazarbayev, and A.B. Bakhromov, “Investigations of Nonlinear Optical Properties of Lithium Niobate Crystals,” East Eur. J. Phys. (4), 147 (2023), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-15
N.A. Turgunov, E.Kh. Berkinov, and R.M. Turmanova, “The effect of thermal annealing on the electrophysical properties of samples n-Si,” East European Journal of Physics, (3), 287–290 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-26
Sh.B. Utamuradova, Z.T. Azamatov, and M.A. Yuldoshev, “Optical Properties of ZnO–LiNbO3 and ZnO–LiNbO3:Fe Structures,” Russian Microelectronics, 52(Suppl. 1), S99–S103 (2023). https://doi.org/10.1134/S106373972360022X
Z.T. Azamatov, M.A. Yuldoshev, N.N. Bazarbayev, and A.B. Bakhromov, “Investigation of Optical Characteristics of Photochromic Materials,” Physics AUC, 33, 139-145 (2023). https://cis01.central.ucv.ro/pauc/vol/2023_33/13_PAUC_2023_139_145.pdf
E.V. Astrova, V.B. Voronkov, V.A. Kozlov and A.A. Lebedev, “Process induced deep-level defects in high purity silicon,” Semiconductor Science and Technology, 13(5), 488(1998). https://doi.org/10.1088/0268-1242/13/5/008
K.S. Daliev, S.B. Utamuradova, I.K. Khamidzhonov, I.K. Mirzairova, and Z. Akimova, “Thermally induced deep centers in silicon doped with europium or lanthanum,” Inorganic Materials, 37(5), 436–438 (2001). https://link.springer.com/article/10.1023/A:1017556212569
S.B. Utamuradova, S.Kh. Daliev, S.A. Muzafarova, and K.M. Fayzullaev, “Effect of the diffusion of copper atoms in polycrystalline CdTe films doped with Pb atoms,” East European Journal of Physics, (3), 385–390 (2023). http://dx.doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-41
M. Schulz, “Determination of deep trap levels in silicon using ion-implantation and CV-measurements,” Appl. Phys. (4), 225 236 (1974). https://link.springer.com/article/10.1007/BF00884233
Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, J.J. Khamdamov, and Z.E. Bahronkulov, “Electrophysical properties of silicon doped with lutetium,” Advanced Physical Research, 6(1), 42-49 (2024). http://dx.doi.org/10.62476/apr61.49
M.Sh. Isaev, T.U. Atamirzaev, M.N. Mamatkulov, U.T. Asatov, and M.A. Tulametov, “Study of the mobility and electrical conductivity of chromium silicide,” East European Journal of Physics, (4), 189–192 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-22
A.Kh. Kasymov, and M.Sh. Isaev, “Thermoelectric properties of manganese silicide for thermoelectric converters of solar energy,” Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika), 33(1), 54–58(1997).
K.S. Daliev, S.B. Utamuradova, J.J. Khamdamov, and M.B. Bekmuratov, “Structural properties of silicon doped rare earth elements ytterbium,” East European Journal of Physics, (1), 375–379 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1
N.A. Turgunov, E.Kh. Berkinov, R.M. Turmanova, “Accumalations of impurity Ni atoms and their effect on the electrophysical properties of Si,” E3S Web of Conferences, 402, 14018 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340214018
C. Argentin, M.J. Berg, M. Mazur, R. Ceolato, and J. Yon, “Assessing the limits of Rayleigh–Debye–Gans theory: Phasor analysis of a biosphere,” Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer, 264, 107550 (2021). https://doi.org/10.1016/j.jqsrt.2021.107550
M. Kozicki, “Formation and oxidation of implanted cobalt silicides on polycrystalline-silicon,” in: Electrical Engineering. 1988 Proceedings - Fifth International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference, (Santa Clara, CA, USA), pp.198-204.
D.G. Truhlar, and A. Kohen, “Convex Arrhenius plots and their interpretation,” PNAS, 98(3), 848-851 (2001). https://doi.org/10.1073/pnas.98.3.848
A.P. Botha, S. Kritzinger, and R. Pretorius, “Self-diffusion of silicon in thin films of cobalt, nickel, palladium and platinum silicides,” Thin Solid Films, 141(1), 41-51 (1986). https://doi.org/10.1016/0040-6090(86)90317-2
Авторське право (c) 2024 Абдугафур Т. Мамадалімов, Махмудходжа Ш. Ісаєв, Мухаммадсодік Н. Маматкулов, Сардор Р. Кодиров, Джамшиджон Т. Абдураззоков
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
