Дослідження термоелектричних властивостей силіцидів хрому
Анотація
Досліджено температурні залежності термоелектрорушійної сили моно- та дисиліцидів хрому в інтервалі температур ‑200℃ ÷ +600℃. Для дисиліциду хрому залежність коефіцієнта термоЕРС (α) від температури (T) має три ділянки. Для моносиліциду хрому характерне плавне зростання термоЕРС з підвищенням температури до 200℃, а потім її постійність. Виявлено, що силіциди, багаті атомами хрому, мають менші значення термоЕРС, ніж силіциди, багаті кремнієм. Максимальні значення термоЕРС 110 мкВ/К та 190 мкВ/К спостерігаються для моно- та дисиліцидів хрому відповідно. Виявлено, що для силіцидів хрому залежність безрозмірного параметра Q = Z∙T від температури має лінійний характер. Показано можливість прогнозування технології синтезу напівпровідникового матеріалу з оптимальними термоелектричними властивостями на основі залежності термоЕРС від електропровідності та параметра Q від температури.
Завантаження
Посилання
S.B. Utamuradova, K.S. Daliev, S.Kh. Daliev, and U.K. Erugliev, “Capacitive spectroscopy of deep levels in silicon with samarium impurity,” East European Journal of Physics, (4), 303–306 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-39
Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, O.A. Bozorova, and Sh.Kh. Daliev, “Joint influence of impurity atoms of nickel and hafnium on photosensitivity of silicon solar cells,” Geliotekhnika, 1, 85–87 (2005). https://www.researchgate.net/publication/294234192_Joint_effect_of_Ni_and_Gf_impurity_atoms_on_the_silicon_solar_cell_photosensitivity
K.P. Abdurakhmanov, Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, and N.Kh. Ochilova, “On defect formation in silicon with impurities of manganese and zinc,” Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika), 34(2), 73–75 (1998).
M.Sh. Isaev, T.U. Atamirzaev, M.N. Mamatkulov, U.T. Asatov, and M.A. Tulametov, “Study of the mobility and electrical conductivity of chromium silicide,” East European Journal of Physics, (4), 189–192 (2023). http://dx.doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-22
N.A. Turgunov, E.Kh. Berkinov, R.M. Turmanova, “Accumalations of impurity Ni atoms and their effect on the electrophysical properties of Si,” E3S Web of Conferences, 402, 14018 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340214018
Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, O.A. Bozorova, and Sh.Kh. Daliev, “Joint effect of Ni and Gf impurity atoms on the silicon solar cell photosensitivity,” Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika), 41(1), 80–81 (2005). https://www.researchgate.net/publication/294234192_Joint_effect_of_Ni_and_Gf_impurity_atoms_on_the_silicon_solar_cell_photosensitivity
K.P. Abdurakhmanov, Sh.B. Utamuradova, Kh.S. Daliev, S.G. Tadjy-Aglaeva, and R.M. Érgashev, “Defect-formation processes in silicon doped with manganese and germanium,” Semiconductors, 32(6), 606–607 (1998). https://doi.org/10.1134/1.1187448
M.Sh. Isaev, A.G. Gaibov, and A.A. Eshkulov, “Investigation of parameters of Schottky diodes based on chromium silicides,” Journal of Physics: Conference Series, 1679(2), 022029 (2020). https://doi.org/10.1088/1742-6596/1679/2/022029
K.S. Daliev, S.B. Utamuradova, I.K. Khamidzhonov, I.K. Mirzairova, Z. Akimova, “Thermally induced deep centers in silicon doped with europium or lanthanum,” Inorganic Materials, 37(5), 436–438 (2001). https://doi.org/10.1023/A:1017556212569
S.B. Utamuradova, S.Kh. Daliev, S.A. Muzafarova, K.M. Fayzullaev, “Effect of the diffusion of copper atoms in polycrystalline CdTe films doped with Pb atoms,” East European Journal of Physics, (3), 385–390 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-4
M.Sh. Isaev, I.T. Bozarov, and A.I. Tursunov, “Investigation of thermally stimulated conductivity of cobalt silicide,” E3S Web of Conferences, 402, 14019 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340214019
Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliev, E.M. Naurzalieva, X.Yu. Utemuratova. Investigation of defect formation in silicon doped with silver and gadolinium impurities by raman scattering spectroscopy. East European journal of physics, (3), 430-433 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-47
S.B. Utamuradova, Z.T. Azamatov, M.A. Yuldoshev, N.N. Bazarbayev, A.B. Bakhromov, “Investigations of Nonlinear Optical Properties of Lithium Niobate Crystals,” East Eur. J. Phys. (4), 147-152 (2023), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-15
Sh.B. Utamuradova, Z.T. Azamatov, M.A. Yuldoshev, “Optical Properties of ZnO–LiNbO3 and ZnO–LiNbO3:Fe Structures,” Russian Microelectronics. 52(Suppl. 1), S99-S103 (2023). https://doi.org/10.1134/S106373972360022X
Z.T. Azamatov, M.A. Yuldoshev, N.N. Bazarbayev, and A.B. Bakhromov, “Investigation of Optical Characteristics of Photochromic Materials,” Physics AUC, 33, 139-145 (2023). https://cis01.central.ucv.ro/pauc/vol/2023_33/13_PAUC_2023_139_145.pdf
N.A. Turgunov, E.Kh. Berkinov, and R.M. Turmanova, “The effect of thermal annealing on the electrophysical properties of samples n-Si,” East European Journal of Physics, (3), 287–290 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-26
Sh.B. Utamuradova, Kh.J. Matchonov, J.J. Khamdamov, and Kh.Y. Utemuratova, “X-ray diffraction study of the phase state of silicon single crystals doped with manganese,” New Materials, Compounds and Applications, 7(2), 93-99 (2023). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/NMCA/v7n2/Utamuradova_et_al.pdf
K.S. Daliev, S.B. Utamuradova, J.J. Khamdamov, and M.B. Bekmuratov, “Structural properties of silicon doped rare earth elements ytterbium,” East European Journal of Physics, (1), 375–379 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-37
K.S. Daliev, Z.E. Bahronkulov, and J.J. Hamdamov, “Investigation of the magnetic properties of silicon doped with rare-earth elements,” East European Journal of Physics, (4), 167–171 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-18
M. Isaev, A. Gaibov, A. Eshkulov, and P. Saidachmetov, “Formation of nanosized films of chromium silicides on silicon surface,” Lecture Notes in Networks and Systems, 247, 1031–1041 (2022). https://doi.org/10.1007/978-3-030-80946-1_93
S.R. Boidedaev, G. Gulyamov, M.O. Qosimova, and M.G. Dadamirzayev, “Influence of deformation and light on the diffusion capacity and differential resistance of the p-n junction of a strong electromagnetic field,” AIP Conference Proceedings, 2700, 050013 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0124926
K. Youngsang, L. Andrej, M. Edgar, and R. Pramod, “Temperature dependence of thermopower in molecular junctions,” Appl. Phys. Lett. 109, 033102 (2016). https://doi.org/10.1063/1.4958999
M.K. Karimov, F.O. Kuryozov, S.R. Sadullaev, M.U. Otabaev, and S.B. Bobojonova, “Investigation of defect InP(001) surface by low energy ion scаttering spectroscopy,” Mater. Sci. Forum, 1049, 192-197 (2022). https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.1049.192
U.O. Kutliev, M.U. Otabaev, and M.K. Karimov, “Investigation Ne ions scattering from the stepped InP(001)<ī10> surface,” Journal of Physics: Conference Series, 2388(1), 012092 (2022). https://doi.org/10.1088/1742-6596/2388/1/012092
Авторське право (c) 2024 Абдугафур Т. Мамадалімов, Махмудходжа Ш. Ісаєв, Ісмоіл Т. Бозаров, Алішер Е. Раджабов, Сожида К. Вахабова
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
