Теорія лінійно-кругового дихроїзму в одноатомних шарах дихалькогенідів перехідних металів з урахуванням ефекту Рабі
Анотація
Ми розробили теорію розмірного квантування для наноструктур, як одновимірних, так і нульвимірних, побудованих з одноатомних шарів дихалькогенідів перехідних металів (ДПМ). Ця теорія дозволила нам отримати вирази для енергетичних спектрів носіїв заряду як у парних, так і в непарних станах (щодо інверсії координат), оскільки ці стани відбуваються в межах квантово обмежених ліній і точок моноатомних шарів ДПМ, залежно від їхніх геометричних розмірів. . Наш чисельний аналіз забезпечує детальне дослідження квантово-обмежених енергетичних станів електронів у цих наноструктурах, пропонуючи розуміння їхнього потенційного застосування в передових наноелектронних пристроях. Ця робота не тільки покращує наше розуміння енергетичних характеристик моноатомних шарів ДПМ, але й робить внесок у ширшу сферу матеріалознавства, досліджуючи вплив розмірного квантування на електронні властивості.
Завантаження
Посилання
V.V. Mitin, V.A. Kochelap, and M.A. Stroscio, Introduction to Nanoelectronics Science, Nanotechnology, Engineering, and Applications, (Cambridge University Press, New York, 2008).
V.V. Mitin, V.A. Kochelap, and M.A. Stroscio, Introduction to Optical and Optoelectronic Properties of Nanostructures, (Cambridge University Press, 2019), pp. 414.
V.E. Gasumyants, S.N. Lykov, D.A. Pshenai-Severin, S.A. Rykov, and D.A. Firsov, Dimensional quantization. Part 1. Energy spectrum of nanostructures, (Publishing House of the Polytechnic University, St. Petersburg, 2008). (in Russian).
M. Baldo, Introduction to Nanoelectronics, (MIT Open Course Ware Publication, Cambridge, MA, 2011).
Sarma, Sankar Das, “Spintronics: A new class of device based on the quantum of electron spin, rather than on charge, may yield the next generation of microelectronics,” American Scientist, 89, 516-523 (2001).
S.A. Wolf, D.D. Awschalom, R.A. Buhrman, J.M. Daughton, S. Von Molnár, M.L. Roukes, A.Y. Chtchelkanova, et al., “Spintronics: a spin-based electronics vision for the future,” Science, 294(5546), 1488-1495 (2001). https://doi.org/10.1126/science.1065389
S.D. Bader, and S.P. Parkin, “Spintronics,” Annual Review of Condensed Matter Physics, 1, 71-88 (2010). https://doi.org/10.1146/annurev-conmatphys-070909-104123
W. Han, R.K. Kawakami, and M. Gmitra, “Graphene spintronics,” Nature Nanotechnology, 9(10), 794-807 (2014). https://doi.org/10.1038/nnano.2014.214
V.E. Gasumyants, S.N. Lykov, D.A. Pshenai-Severin, and D.A. Firsov, Dimensional quantization. Part 2. Optical and kinetic properties of semiconductor nanostructures, (Publishing House of the Polytechnic University, St. Petersburg, 2010). (in Russian).
V.R. Rasulov, R.Ya. Rasulov, B.B. Akhmedov, I.A. Muminov, and K.K. Urinova, “Dimensional quantization in InSb and GaAs in three-zone model,” Journal of Physics: Conference Series, 2697(1), 012005 (2024). https://doi.org/10.1088/1742-6596/2697/1/012005
V.R. Rasulov, R.Ya. Rasulov, I.M. Eshboltayev, M. Kuchkarov, and K.K. Urinova, “To the theory of dimensional quantization in crystals in the Kane approximation,” Journal of Physics: Conference Series, 2697(1), 012003 (2024). https://doi.org/10.1088/1742-6596/2697/1/012003
J. Knoch, Nanoelectronics: From Device Physics and Fabrication Technology to Advanced Transistor Concepts, 2nd edition, (De Gruyter, 2024).
R.Y. Rasulov, V.R. Rasulov, and I. Eshboltaev, “Linear-Circular Dichroism of Four-Photon Absorption of Light in Semiconductors with a Complex Valence Band,” Russian Physics Journal, 58(12), 1681–1686 (2016). https://doi.org/10.1007/s11182-016-0702-2
V.R. Rasulov, R.Ya. Rasulov, I.M. Eshboltaev, and R.R. Sultonov, “Size Quantization in n-GaP,” Semiconductors, 54(4), 429 432 (2020). https://doi.org/10.1134/S1063782620040132
V.R. Rasulov, “To the theory of electron passage in a semiconductor structure consisting of alternating asymmetric rectangular potential wells and barriers,” Russian Physics Journal, 59(10), 1699-1702 (2017). https://doi.org/10.1007/s11182-017-0963-4.
R.Ya. Rasulov, V.R. Rasulov, N.Z. Mamadalieva, and R.R. Sultanov, “Subbarrier and overbarrier electron transfer through multilayer semiconductor structures,” Russian Physics Journal, 63(4), 537-546 (2020). https://doi.org/10.1007/s11182-020-02067-7
M.M. Glazov, and E.L. Ivchenko, “Valley Orientation of Electrons and Excitons in Atomically Thin Transition Metal Dichalcogenide Monolayers (Brief Review),” Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 113(1), 7–17 (2021). https://doi.org/10.1134/S0021364021010033
R. Y. Rasulov, V.R. Rasulov, K.K. Urinova, M.A. Mamatova, and B.B. Akhmedov, “Single and Multiphoton Optical Transitions in Atomically Thin Layers of Transition Metal Dichalcogenides,” East European Journal of Physics, (1), 393-397. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-40
G.L. Bir, and G.E. Pikus, Symmetry and Strain-induced Effects in Semiconductors, (Wiley, New York, 1972). https://www.scirp.org/reference/ReferencesPapers?ReferenceID=13474
Ivchenko, E.L., Rasulov, R.Ya. Symmetry and real band structure of semiconductors. (Fan, Tashkent, 1989), pp. 126. https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=125752.
E.L. Ivchenko, and G.E. Pikus, in: Superlattices and Other Heterostructures: Symmetry and Optical Phenomena, 2nd ed. (Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 1997), pp. 38-70. https://doi.org/10.1007/978-3-642-97589-9
Авторське право (c) 2024 Рустам Я. Расулов, Воксоб Р. Расулов, Мардон К. Насіров, Махлійо А. Маматова, Ісломжон А. Мумінов
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
