Процес фазоутворення в тонких плівках CdSe
Анотація
У даній роботі методом хімічного осадження отримано тонкі плівки селеніду кадмію різної товщини та досліджено процеси фазоутворення в них. Отримано тонкі шари товщиною d = 150 – 500 нм. Структурні дослідження проводили методом рентгенівської дифракції. Аналізували спектри, отримані при кімнатній температурі. Встановлено наявність структурних особливостей сполуки CdSe в тонких шарах. Після товщини d = 400 нм починається процес фазоутворення. Визначено спостережувані атомні площини та індекси Міллера в процесі фазоутворення.Завантаження
Посилання
B.G. Tagiyev, O.B. Tagiyev, A.I. Mammadov, V.X. Quang, T.G. Naghiyev, S.H. Jabarov, M.S. Leonenya, et al., “Structural and luminescence properties of CaxBa1−xGa2S4: Eu2+ chalcogenide semiconductor solid solutions,” Physica B: Condensed Matter, 478, 58-62 (2015). https://doi.org/10.1016/j.physb.2015.08.061
G.М. Аgamirzayeva, G.G. Huseynov, Y.I. Aliyev, T.T. Abdullayeva, and R.F. Novruzov, “Crystal structure and magnetıc propertıes of the compound Cu3Fe0.5Se2,” Advanced Physical Research, 5(1), 19-25 (2023). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/APR/V5N1/Agamirzayeva_et_al.pdf
S.H. Jabarov, “First principles study of structural phase transition in Ag2S under high pressure,” Integrated Ferroelectrics, 230(1), 23-28 (2022). https://doi.org/10.1080/10584587.2022.2102794
A.S. Alekperov, A.O. Dashdemirov, A.E. Shumskaya, and S.H. Jabarov, “High-Temperature Exciton Photoconductivity of Ge1 xNdxS Crystals,” Crystallography Reports, 66, 1322-1327 (2021). https://doi.org/10.1134/S1063774521070026
N.A. Aliyeva, Y.I. Aliyev, and A.S. Abiyev, “Study of thermal properties of Cu4Se1.5Te0.5 and Cu4Te1.5Se0.5 compounds by differential thermal analysis,” Advanced Physical Research, 4(2), 94-99 (2022). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/APR/V4N2/Aliyeva_et_al.pdf
Kh.N. Ahmadova, and S.H. Jabarov, “Obtaining of Al nanosized thin layers and their structural properties,” Arabian Journal for Science and Engineering, 48, 8083-8088 (2023). https://doi.org/10.1007/s13369-022-07449-2
E.Sh. Alekperov, S.G. Jabarov, T.A. Darzieva, G.B. Ibragimov, A.M. Nazarov, and S.S. Farzaliev, “Effect of an electric field on the crystallization behavior of amorphous TlIn1-xSnxSe2 films,” Inorganic Materials, 59(1), 8-11 (2023). https://doi.org/10.1134/S0020168523010028
N.N. Mursakulov, N.N. Abdulzade, S.H. Jabarov, and Ch.E. Sabzalieva, “Investigation of CuIn1-xGaxSe2 thin films for solar cells obtained by the magnetron sputtering method from two magnetrons shifted to each other,” New Materials, Compounds and Applications, 6(2), 140-147 (2022). http://www.jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/NMCA/v6n2/Mursakulov_et_al.pdf
R.S. Madatov, A.S. Alekperov, and A.E. Nabiyev, “Influence of Sm impurity atoms on the switching effect in thin films of GeS,” Izvestiya of Saratov University. Physics, 16(4), 212-217 (2016).
A.O. Dashdemirov, “Thermal emission properties of Re-C thin film systems,” Advanced Physical Research, 2(2), 102-107 (2020). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/APR/V2N2/Dashdemirov.pdf
D.M. Freik, L.I. Nykyruy, T.O. Parashchuk, and B.P. Volochanska, “Thermodynamic properties of CDSE crystals using first principles calculations and experiment,” International Journal of Engineering and Innovative Technology (IJEIT), 4(2), 99 104 (2014). https://www.ijeit.com/Vol%204/Issue%202/IJEIT1412201408_19.pdf
Y.N. Xu, and W.Y. Ching, “Electronic, optical, and structural properties of some wurtzite crystals,” Physical Review B, 48, 4335-4351 (1993). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.48.4335
C. Li, F. Wang, and Y. Chen, “Characterization of sputtered CdSe thin films as the window layer for CdTe solar cells,” Materials Science in Semiconductor Processing, 83, 89-95 (2018). https://doi.org/10.1016/j.mssp.2018.04.022
C.D. Lokhande, E.-H. Lee, K.-D. Jung, and O.S. Joo, “Ammonia-free chemical bath method for deposition of microcrystalline cadmium selenide films,” Materials Chemistry and Physics, 91, 200-204 (2005). https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2004.11.014
S. Wageh, “Raman and photoluminescence study of CdSe nanoparticles capped with a bifunctional molecule,” Physica E: Low Dimensional Systems and Nanostructures, 39, 8-14 (2007). https://doi.org/10.1016/j.physe.2006.12.003
R.A. Potyrailo, and A.M. Leach, “Selective gas nanosensors with multisize CdSe nanocrystal/polymer composite films and dynamic pattern recognition,” Applied Physics Letters, 88, 134110 (2006). https://doi.org/10.1063/1.2190272
F. Li, W.-N. Li, S.-Y. Fu, and H.-M. Xiao, “Formulating CdSe quantum dots for white light-emitting diodes with high color rendering index,” Journal of Alloys and Compounds, 647, 837-843 (2015). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2015.05.232
X. Dai, Z. Zhang, Y. Jin, Y. Niu, H. Cao, X. Liang, L. Chen, et al., “Solution-processed, high-performance light-emitting diodes based on quantum dots,” Nature, 515, 96-99 (2014). https://doi.org/10.1038/nature13829
F.Y. Gan, and I. Shih, “Preparation of thin-film transistors with chemical bath deposited CdSe and CdS thin films,” IEEE Transactions on Electron Devices, 49(1), 15-18 (2002). https://doi.org/10.1109/16.974742
A. Kubacka, M. Fernández-García, and G. Colón, “Advanced nanoarchitectures for solar photocatalytic applications,” Chemical Reviews, 112, 1555-1614 (2012). https://doi.org/10.1021/cr100454n
A. Singh, A. Kunwar, and M.C. Rath, “L-cysteine capped CdSe quantum dots syntesized by photochemical route,” Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 18, 3419-3426 (2017). https://doi.org/10.1166/jnn.2018.14687
Авторське право (c) 2024 Л.Н. Ібрагімова, Н.М. Абдуллаєв, М.Є. Алієв, Г.А. Гарашова, Ю.І. Алієв
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
