Вплив ступеня компенсації та концентрації домішкових електроактивних атомів селену на параметри автоколивань струму в кремнії
Анотація
Одним із вирішальних явищ є автоколивання струму в елементарних і бінарних (AIIIBV, AIIBVI) напівпровідникових матеріалах, які дозволяють створювати твердотільні осцилятори з широким діапазоном частот від 10-3 до 10-6 Гц. У даній роботі наведено результати дослідження впливу ступеня компенсації (К) і концентрації електроактивних домішкових атомів селену на умови збудження та параметри (амплітуду, частоту) автоколивального струму, пов’язані з температурою. і електрична нестабільність у кремнії. У дослідженнях використовувався кремній, легований атомами селену Si<Se> однакових геометричних розмірів. Ступінь компенсації вихідних атомів бору домішковими атомами селену в зразках знаходиться в межах K = 2NB/NSe = 0,94-1,1. Встановлено, що умови збудження, амплітуда та частота струму автоколивань суттєво змінюються залежно від ступеня компенсації атомів селену атомами бору у вихідному кремнії. Отримані експериментальні результати показали, що автоколивальний струм у кремнії, легованому домішковими атомами селену, характеризується простотою керування зі стабільними параметрами (амплітуда та частота), що дає змогу на основі цього унікального фізичного явища розробляти та створювати коливальні контури в інформаційних технологіях.
Завантаження
Посилання
L.L. Golik, V.E. Pakseev, Yu.I. Balkareǐ, M.I. Elinson, Yu.A. Rzhanov, and V.K. Yakushin, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18(3), 502 (1984). https://www.mathnet.ru/eng/phts/v18/i3/p502 (in Russian).
B.A. Akimov, V.A. Bogoyavlenskii, L.I. Ryabova, V.N. Vasil’kov, and E.I. Slyn’ko, Semiconductors, 33(1), 6 (1999), https://doi.org/10.1134/1.1187637
K. Germanova, Appl. Phys. 2, 321 (1973). https://doi.org/10.1007/BF00896937
A.Sh. Abdinov, Ya.G. Akperov, V.K. Mamedov, and El’.Yu. Salaev, Sov. Phys. Semicon. 14(4), 440 (1980). (in Russian).
L.L. Golik, V.E. Pakseev, M.I. Elinson, V.K. Yakushin, and V.S. Loskutov, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21(10), 1832 (1987). https://www.mathnet.ru/eng/phts/v21/i10/p1832 (in Russian).
K.A. Ismailov, Kh.M. Iliev, M.O. Tursunov, and B.K. Ismaylov, Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 24(3), 255 (2021). https://doi.org/10.15407/spqeo24.03.255
G.A. Kartsivadze, Sh.M. Mirianashvili, and D.I. Nanobashvili, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17(7), 1304 (1983), https://www.mathnet.ru/eng/phts2406. (in Russian).
I.M. Vikulin, L.F. Vikulina, and V.E. Gorbachev, Magnetosensitive semiconductor sensors, (Odesa, 2016), p. 125. (in Russian).
Z. Chen, W. Ba, J. Zhang, X. Cong, M.K. Bakhadyrkhanov, and N.F. Zikrillaev, Chinese Journal of Semiconductors, 27(9), 1582 (2006). http://www.jos.ac.cn/article/id/3e45ea73-b447-4d41-bf01-2b166472d621 (in Chinese)
M.K. Bakhadyrkhanov, Kh. Azimkhuzhaev, N.F. Zikrillaev, A.B. Sabdullaev, and É. Arzikulov, Semiconductors, 34(2), 171 (2000). https://doi.org/10.1134/1.1187929
.I. Balkerei, L.L. Golik, and M.I. Elinson, Autowave media Radioelectronic Communication, (Moscow, Znanie, 1985). p. 64. (In Russian)
L.L. Golik, M.M. Gutman, V.E. Pakseev, M.K. Bakhadyrkhanov, N.F. Zikrillaev, and A.A. Tursunov, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21(8), 1400 (1987). https://www.mathnet.ru/rus/phts817. (in Russian)
K.V. Shalimova, Physics of Semiconductors, (Energoatomizdat, Moscow, 1989). (in Russian)
V.I. Fistulin, Introduction to Semiconductor Physics, (Vysshaya Shkola, Moscow, 1984). (in Russian)
M.K. Bakhadyrkhanov, S.B. Isamov, N.F. Zikrillaev, and M.O. Tursunov, Semiconductors, 55(6), 542 (2021). https://doi.org/10.1134/S1063782621060038
M.K. Bakhadyrkhanov, S.B. Isamov, N.F. Zikrillaev, Inorganic Materials. 50(4), 325 (2014), https://doi.org/10.1134/S0020168514040025
C. Zhaoyang, B. Weizhen, Z. Jian, M.K. Bakhadyrkhanov, and N.F. Zikrillaev, Pan Tao Tl Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 27 (9), 1582 (2006). http://www.jos.ac.cn//fileBDTXB/oldPDF/20060913.pdf
P.G. Kasherininov, A.V. Kichaev, and A.A. Tomasov, Semiconductors, 29(11), 1092 (1995), https://doi.org/10.48550/arXiv.0704.2703
M.K. Bakhadyrkhanov, U.Kh. Kurbanova, and N.F. Zikrillaev, Semiconductors, 33, 20 (1999), https://doi.org/10.1134/1.1187640
T.S. Kamilov, L.L. Aksenova, B.Z. Sharipov, and I.V. Ernst, Semiconductors, 49(10), 1281 (2015), https://doi.org/10.1134/S1063782615100097
M.K. Bakhadyrkhanov, N.F. Zikrillaev, and E.U. Arzikulov, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17(12), 1 (1991). (in Russian).
N.F. Zikrillaev, M.M. Shoabdurakhimova, K.S. Ayupov, S.B. Isamov, and K.I. Vakhobov, Pribory, 8(266), 45 (2022). (in Russian). ID: 49457547.
M.K. Bakhadirkhanov, S.B. Isamov, N.F. Zikrillaev, Kh.M. Iliev, G.Kh. Mavlonov, S.V. Koveshnikov, and Sh.N. Ibodullaev, Surface Engineering and Appl. Electrochem. 56(6), 734 (2020). https://doi.org/10.3103/S1068375520060046
A.A. Taskin, E.G. Tishkovskii, Semiconductors, 32(11), 1162 (1998), https://doi.org/10.1134/1.1187582
M.K. Bakhadyrhanov, Sh. I. Askarov, and N. Norkulov, Phys. Stat. Solid. (a), 142, 339 (1994), https://doi.org/10.1002/pssa.2211420206
M. Bakhadyrkhanov, B. Boltaks, G. Kulikov, Sov. Phys. Solid State, 14(6), 1671 (1972).
M.S. Yunusov, A. Akhmadaliev, B.L. Oksengendler, and K.A. Begmatov, Phys. Stat. Solid. (a), 149, K 29 (1995), https://doi.org/10.1002/pssa.2211490234
Yu.A. Astrov, V.A. Shuman, L. Portsel, and A.N. Lodygin, Semiconductors, 48(3), 428 (2014), https://doi.org/10.1134/S1063782614030038
M.K. Bakhadyrkhanov, S.B. Isamov, and N.F. Zikrillaev, Russian Microelectronics, 41(6), 354(2012), https://doi.org/10.1134/S1063739712030043
A.A. Taskin, and E.G. Tishkovsky, Phys. and Technic. of Semicon. 32(11), 1306 (1998). https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/34471 (in Russian)
V.N. Lozovskiy, G.S. Konstantikova, and S.V. Lozovskiy, Nanotechnology in electronics (Moscow, 2008), (in Russian)
V. Meshkalov, A. Lyubchenko, and M. Sheikman, Nonequilibrium processes in semiconductors (Kiev, 1981), (in Russian)
Авторське право (c) 2023 Нурулла Ф. Зікріллаєв, Кутуп С. Аюпов, Манзура М. Шоабдурахімова, Феруза Е. Уракова, Йолдошалі А. Абдуганієв, Абдуджалол А. Сатторов, Латофат С. Карієва
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
