Про властивості перехідного шару Si-SiO2 у багатошарових кремнієвих структурах
Анотація
Методом ємнісної спектроскопії досліджено вольт-ємнісні характеристики багатошарових структур з перехідним шаром Si‑SiO2 у зразках типу Al-SiO2-n-Si, виготовлених термічним окисленням напівпровідника. Показано, що неоднорідний розподіл щільності поверхневих станів є локалізованим електроактивним центром на самій межі розділу напівпровідник-діелектрик внаслідок надбар’єрної емісії заряду або термічної іонізації домішкових центрів.
Завантаження
Посилання
Sh. B. Utamuradova, Kh. S. Daliev, E. K. Kalandarov, and Sh. Kh. Daliev, “Features of the behavior of lanthanum and hafnium atoms in silicon,” Technical Physics Letters, 32(6), 469–470 (2006). https://doi.org/10.1134/S1063785006060034
Yu.S. Chistov, and V.F. Synorov, Physics of MOS structures, (State publishing house, Voronezh VSU, 1989).
Sh. Kh. Daliev, and F.A. Saparov, “Influence of the interface on the electrical characteristics of MIS structures,” The European science review, 1-2, 31-35 (2022). https://doi.org/10.29013/ESR-22-1.2-31-35
Sh.D. Kurmashev, I.M. Vikulin, and S.V. Lenkov, “Silicon MIS structures with oxides of rare earth elements as a dielectric,” Technology and design in electronic equipment, 6, 6-8 (2001). http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70884 (in Russian)
P. Borowicz, P. Latek, W. Rzodkiewicz, A. Łaszcz, A. Czerwinski, and J. Ratajczak, “Deep-ultraviolet Raman investigation of silicon oxide: thin film on silicon substrate versus bulk material,” Advances in Natural Sciences: Nanoscience and Nanotechnology. 3, 045003 (2012). https://iopscience.iop.org/article/10.1088/2043-6262/4/045003
L.S. Berman, E.I. Belyakova, L.S. Kostina, E.D. Kim, and S.C. Kim, “Analysis of charges and surface states at the interfaces between semiconductor - dielectric - semiconductor structures,” Physics and technology of semiconductors, 34(7), 814-817 (2000). https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/37188 (in Russian)
B.I. Boltaks, Diffusion in semiconductors, (State publishing house of physical and mathematical literature, Moscow, 1971).
Sh.B. Utamuradova, A.V. Stanchik, K.M. Fayzullaev, and B.A. Bakirov, “Raman scattering of light by silicon single crystals doped with chromium atoms,” Applied Physics, (2), 33–38 (2022). https://applphys.orion-ir.ru/appl-22/22-2/PF-22-2-33_RU.pdf (in Russian)
Sh.B. Utamuradova, Kh.S. Daliev, Sh.Kh. Daliev, and K.M. Fayzullaev, Applied Physics, 6, 90 (2019). https://applphys.orion-ir.ru/appl-19/19-6/PF-19-6-90.pdf (in Russian)
W. Kaiser, P.H. Keck, and C.F. Lange, “Infrared absorption and oxygen content in silicon and germanium,” Phys. Rev. 101, 1264-1268 (1956). https://journals.aps.org/pr/abstract/10.1103/PhysRev.101.1264
Sh.Kh. Daliev, F.A. Saparov, and F. Umarov, “Influence of thermal field treatments on the volt-farad characteristics of MDS structures,” Science and World, International scientific journal. 2, 10(98), 8-11 (2021). http://scienceph.ru/f/science_and_world_no_10_98_october_vol_ii.pdf (in Russian)
Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliyev, K.M. Fayzullayev, D.A. Rakhmanov, and J.Sh. Zarifbayev, “Raman Spectroscopy of Defects in Silicon Doped with Chromium Atoms,” New materials, compounds and applications, 7, 1, 37-43 (2023). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/NMCA/V7N1/Utamuradova_et_al.pdf
Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliev, D. A. Rakhmanov, A. S. Doroshkevich, V.A. Kinev, O.Yu. Ponamareva, M.N. Mirzayev, and R.Sh. Isayev, “Ir – Spectroscopy of n-Si Irradiated with Protons,” Advanced Physical research, 5(2), 73-80 (2023). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/APR/V5N2/Utamuradova_et_al.pdf
Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliev, A.V. Stanchik, and D.A. Rakhmanov, “Raman spectroscopy of silicon, doped with platinum and irradiated by protons,” E3S Web of conferences, 402, 14014(1-9) (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340214014
Sh.B. Utamuradova, A.V. Stanchik, and D.A. Rakhmanov, East Eur. J. Phys. 2, 201 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-2-21
Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, O.A. Bozorova, Sh.Kh. Daliev, “Joint effect of Ni and Gf impurity atoms on the silicon solar cell photosensitivity,” Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika), 41(1), 80–81 (2005). https://www.researchgate.net/publication/294234192_Joint_effect_of_Ni_and_Gf_impurity_atoms_on_the_silicon_solar_cell_photosensitivity
Sh.B. Utamuradova, and D.A. Rakhmanov, “Effect of Holmium Impurity on the Processes of Radiation Defect Formation in n-Si,” Annals of the University of Craiova, Physics, 32, 132–136 (2022). https://cis01.central.ucv.ro/pauc/vol/2022_32/15_PAUC_2022_132_136.pdf
Sh.B. Utamuradova, D.A. Rakhmanov, A.S. Doroshkevich, Z. Slavkova, and M.N. Ilyina, “Impedance spectroscopy of p Si, p-Si irradiated with protons,” Advanced Physical Research, 5(1), 5–11 (2023). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/APR/V5N1/Utamuradova_et_al.pdf
Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, O.A. Bozorova, and Sh.Kh. Daliev, “Joint influence of impurity atoms of nickel and hafnium on photosensitivity of silicon solar cells, Geliotekhnika, (1), 85–87 (2005).
S.I. Vlasov, and F.A. Saparov, “Effect of pressure on the electric properties of passivating coatings based on lead borosilicate glasses,” Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 47(4), 338-339 (2011). http://dx.doi.org/10.3103%2FS1068375511040156
Авторське право (c) 2023 Шахрукс Х. Далієв, Файзулла А. Сапаров
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
