Розрахунок повного струму, що генерується в тунельному діоді під дією мікрохвильового та магнітного полів
Анотація
У цій роботі була виведена формула для розрахунку повного струму, який утворюється в тунельному діоді під дією мікрохвильового та магнітного полів. Крім того, теоретично подано та порівняно з експериментальними даними залежність повного струму тунельного діода від повної потужності, індукованої НВЧ полем. Для повного струму в тунельному діоді без урахування надлишкового струму отримано вольт-амперну характеристику для випадків з і без впливу НВЧ поля.
Завантаження
Посилання
K.P. Abdurakhmanov, Sh.B. Utamuradova, Kh.S. Daliev, S.G. Tadjy-Aglaeva, and R.M. Ergashev, Semiconductors, 32(6), 606 (1998). https://doi.org/10.1134/1.1187448
Sh.B. Utamuradova, A.V. Stanchik, D.A. Rakhmanov, A.S.Doroshkevich, and K.M.Fayzullaev, New Materials, Compounds and Applications, 6(3), 214 (2022). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/NMCA/V6N3/Utamuradova_et_al.pdf
Sh.B. Utamuradova, Kh.S. Daliev, Sh.Kh. Daliev, and K.M. Fayzullaev, Applied Physics, 6, 90 (2019). https://applphys.orion-ir.ru/appl-19/19-6/PF-19-6-90.pdf
S.A.Muzafarova, Sh.B.Utamuradova, A.М.Abdugafurov, K.M.Fayzullaev, E.M.Naurzalieva and D.A. Rakhmanov, Applied Physics, 4, 81 (2021). https://applphys.orion-ir.ru/appl-21/21-4/PF-21-4-81.pdf
Sh.B.Utamuradova, A.V.Stanchik, K.M.Fayzullaev, B.A.Bakirov, Applied Physics, 2, 33 (2022). https://applphys.orion-ir.ru/appl-22/22-2/PF-22-2-33_EN.pdf
P.R. Berger, Comprehensive Semiconductor Science and Technology, 176 (2011). https://doi.org/10.1016/B978-0-44-453153-7.00013-4
E.O. Kane, Journal of Applied Physics, 32, 83 (1961). https://doi.org/10.1063/1.1735965
J.S. Karlovsky, Phys. Rev. 127, 419 (1962). https://doi.org/10.1103/PhysRev.127.419
I. Shalish, Journal of applied physics, 124, 075102 (2018). https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5038800
N. Moulin, A. Mohamed, F. Mandorlo, and M. Lemiti, Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 126(3), 033105 (2019). http://dx.doi.org/10.1063/1.5104314
N.A. Turgunov, E.H. Berkinov, and D.X. Mamazhonova, Applied Physics, 3, 40 (2020). https://applphys.orion-ir.ru/appl-20/20-3/PF-20-3-40.pdf
N.A. Turgunov, Inorganic Materials, 12(54), 1183 (2018). https://link.springer.com/article/10.1134/S0020168518120178
N.A. Turgunov, D.Kh. Mamajonova, and E.Kh. Berkinov, Journal of nano- and electronic physics. 5(13), 05006 (2021). https://jnep.sumdu.edu.ua/download/numbers/2021/5/articles/jnep_13_5_05006.pdf
S.V. Syrotyuk, East. Eur. J. Phys. 4, 31 (2021), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2021-4-03
S.M. Sze, and K.K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, (John Wiley & Sons, Inc., Hoboken, New Jersey, (2007). 3, 418 https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/9780470068328.fmatter
T.A. Growden, Zh. Weidong, E.R. Brown, D.F. Storm, K. Hansen, P. Fakhimi, D.J. Meyer, and P.R. Berger, Applied physics letters, 112, 033508 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5010794
G. Gulyamov, М.G. Dadamirzaev, and М.K. Uktamova, Guangdianzi Jiguang/Journal of Optoelectronics Laser. 9(41), 419 (2022). http://gdzjg.org/index.php/JOL/article/view/1144
A.G. Chynoweth, W.L. Feldman, and R.A. Logan, Phys. Rev. 121, 684 (1961). https://doi.org/10.1103/PhysRev.121.684
М.K. Uktamova, and Sh. Nazarov, Web of scientist: International scientific research journal, 10(3), 800 (2022). https://wos.academiascience.org/index.php/wos/article/view/2601/2475
G. Gulyamov, М.G. Dadamirzaev, М.K. Uktamova, and B.Z. Mislidinov, AIP Conference Proceedings, 2700, 050007(2023). https://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/5.0126516
I.K. Kamilov, K.M. Aliev, Kh.O. Ibragimov, and N.S. Abakarova, J. Phys. Condens. Matter. 148, 171 (2008). https://doi.org/10.1016/j.ssc.2008.06.017
G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, and N.Yu. Sharibaev, Semiconductors, 48, 1287 (2014). http://dx.doi.org/10.4236/ojapps.2015.512073
G. Gulyamov, G. Majidova, and F. Muxitdinova, AIP Conference Proceedings. 2700, 050008 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0126385
G. Gulyamov, M.G. Dadamirzayev and M.O. Qosimova, AIP Conference Proceedings, 2700, 050013 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0124926
Авторське право (c) 2023 Гафур Гулямов, Шаріфа Б. Утамурадова, Мухамаджон Г. Дадамірзаев, Нозімджон А. Тургунов, Муніра К. Уктамова, Кахрамон М. Файзуллаев, Арофат І. Худайбердієв, Алішер І. Турсунов
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
