Одно-та багатофотонні оптичні переходи в атомно тонкіх шарах дихалькогенідів перехідних металів

  • Рустам Я. Расулов Ферганський державний університет, Фергана, Узбекистан https://orcid.org/0000-0002-5512-0654
  • Вокхоб Р. Расулов Ферганський державний університет, Фергана, Узбекистан https://orcid.org/0000-0001-5255-5612
  • Камолахон К. Урінова Кокандський державний педагогічний інститут, Коканд, Узбекистан
  • Махліє А. Маматова Ферганський державний університет, Фергана, Узбекистан https://orcid.org/0000-0001-6980-9877
  • Баходір Б. Ахмедов Ферганський державний університет, Фергана, Узбекистан https://orcid.org/0000-0003-4894-3588
Ключові слова: поляризований фотон, матричний елемент, оптичні переходи, двозонне наближення, носії струму, електронний Гамільтоніан, оператор імпульсу, спінові стани

Анотація

У статті обговорюється виробництво та властивості двовимірних атомних шарів дихалькогенідів перехідних металів (ТМД) з акцентом на оптичних властивостях моношарів. Він починається зі вступу до відкриття методів виробництва графену та подальшого інтересу до TMD. Деталізовано основні властивості моношарів ТМД, їх кристалічну структуру та зону Бріллюена. У статті досліджено енергетичний спектр електронів у різних долинах та ефективний гамільтоніан, що описує стани в паралельних спінових зонах. Обговорення поширюється на матричні елементи міжзонних оптичних переходів, включаючи одно-, дво- та трифотонні переходи. Наведено рівняння для розрахунку ймовірностей оптичних переходів, включаючи такі фактори, як вектор поляризації, частота світла та температура зразка. Викладено теоретичний аналіз складових матричних елементів для цих переходів, наголошуючи на квантово-механічних аспектах. Стаття сприяє дослідженню оптичної поведінки моношарів дихалькогенідів перехідних металів (ТМД), зокрема в структурах складного складу.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D.E. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, and A.A. Firsov, “Electric field effect in atomically thin carbon films,” science, 306(5696), 666-669 (2004). https://doi.org/10.1126/science.1102896

N. Huo, Y. Yang, Y.N. Wu, X.G. Zhang, S.T. Pantelides, and G. Konstantatos, “High carrier mobility in monolayer CVD-grown MoS2 through phonon suppression,” Nanoscale, 10(31), 15071-15077 (2018). https://doi.org/10.1039/C8NR04416C

A. Taffelli, S. Dirè, A. Quaranta, and L. Pancheri, “MoS2 based photodetectors: a review,” Sensors, 21(8), 2758 (2021). https://doi.org/10.3390/s21082758

G.H. Shin, C. Park, K.J. Lee, H.J. Jin, and S.Y. Choi, “Ultrasensitive phototransistor based on WSe2–MoS2 van der Waals heterojunction,” Nano Letters, 20(8), 5741-5748 (2020). https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.0c01460

T. Wang, F. Zheng, G. Tang, J. Cao, P. You, J. Zhao, and F. Yan, “2D WSe2 flakes for synergistic modulation of grain growth and charge transfer in tin‐based perovskite solar cells,” Advanced Science, 8(11), 2004315 (2021). https://doi.org/10.1002/advs.202004315

S.H. Su, W.T. Hsu, C.L. Hsu, C.H. Chen, M.H. Chiu, Y.C. Lin, W.-H. Chang, al., “Controllable synthesis of band-gap-tunable and monolayer transition-metal dichalcogenide alloys,” Frontiers in Energy Research, 2, 104870 (2014). https://doi.org/10.3389/fenrg.2014.00027

C. Ernandes, L. Khalil, H. Almabrouk, D. Pierucci, B. Zheng, J. Avila, P. Dudin, et al., “Indirect to direct band gap crossover in two-dimensional WS2(1−x)Se2x alloys,” npj 2D Mater. Appl. 5(1), 7 (2021). https://doi.org/10.1038/s41699-020-00187-9

E.L. Ivchenko, Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures, (Alpha Science International Ltd., Harrow, UK, 2005).

R.Y. Rasulov, V.R Rasulov, N.Z. Mamadalieva, and R.R. Sultanov, “Subbarrier and Overbarrier Electron Transfer through Multilayer Semiconductor Structures,” Russian Physics Journal, 63, 537-546 (2020). https://doi.org/10.1007/s11182-020-02067-7

M.M. Glazov, Electron and Nuclear Spin Dynamics in Semiconductor Nanostructures, (Oxford University Press, Oxford, 2018). https://doi.org/10.13140/RG.2.2.18718.56640

V.R. Rasulov, R.Ya. Rasulov, and I. Eshboltaev, “Linearly and circular dichroism in a semiconductor with a complex valence band with allowance for four-photon absorption of light,” Physics of the Solid State, 59(3), 463–468 (2017). https://doi.org/10.1134/S1063783417030283

R. Rasulov, V. Rasulov, and I. Eshboltaev, “On the Theory of the Ballistic Linear Photovoltaic Effect in Semiconductors of Tetrahedral Symmetry Under Two-Photon Absorption,” Russian Physics Journal, 59, 92–98 (2016). https://doi.org/10.1007/s11182-016-0742-7

Цитування

Theory of Linear-Circular Dichroism in Monoatomic Layers of Transition Metal Dichalcogenides Taking into Account the Rabi Effect
Rasulov Rustam Y., Rasulov Voxob R., Nasirov Mardon K., Mamatova Makhliyo A. & Muminov Islomjon A. (2024) East European Journal of Physics
Crossref

On the Theory of Two-Photon Intersubband Absorption and Linear-Circular Dichroism in Semiconductors of the A3B5 Type
Rasulov Rustam Y., Rasulov Vokhob R., Kasimov Forrukh U., Nasirov Mardonbek Kh., Farmanov Islam E. & Tursinbaev Abay Z. (2025) East European Journal of Physics
Crossref

On the Theory of the Intraband Mechanism of Single-Photon Absorption in Semiconductors, Taking into Account the Effect of Coherent Saturation
Rasulov Rustam Y., Rasulov Voxob R., Kasimov Forrukh U., Nasirov Mardonbek Kh. & Muminov Islam A. (2025) East European Journal of Physics
Crossref

Spectral and Temperature Dynamics of Photon Absorption in Monatomic Transition Metal Dichalcogenides
Rasulov Rustam Y., Rasulov Vokhob R., Nasirov Mardonbek Kh., Kuchkarov Mavzurbek Kh. & Urinova Kamola K. (2025) East European Journal of Physics
Crossref

Опубліковано
2024-03-05
Цитовано
Як цитувати
Расулов, Р. Я., Расулов, В. Р., Урінова, К. К., Маматова, М. А., & Ахмедов, Б. Б. (2024). Одно-та багатофотонні оптичні переходи в атомно тонкіх шарах дихалькогенідів перехідних металів. Східно-європейський фізичний журнал, (1), 393-397. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-1-40

Найбільш популярні статті цього автора (авторів)