Вузлова міграція в двовимірній гексагональній наноструктурі з протяжними спотворюваннями

  • А. С. Долгов Национальный Аэрокосмический Университет им. Н. Е. Жуковского «ХАИ»
  • Ю. Л. Жабчик Национальный Аэрокосмический Университет им. Н. Е. Жуковского «ХАИ»
Ключові слова: графен, домішка, вузлове розміщення, міграція, протяжні спотворення

Анотація

Вивчається міграція домішкових атомів в двовимірній гексагональної сітці, що моделює графен або споріднені наноструктури. Розглядаються різні варіанти позиціонування суб’єктів міграції, сумісні з гексагональною симетрією матриці. Визначається зміна в часі головних момен тів функцій розподілу в процесі еволюції початкового стану. Встановлено, що залежність від часу середнього квадрата зміщення часток може істотно відхиляться від чисто дифузійних закономірностей, що зближує розглянутий процес з властивостями аномальної дифузії. Показується, що спотворення деформаційної природи ведуть до більш значних якісних змін переносу, ніж порівнювані температурні. При цьому обидві названі форми впливу можуть служити за собом перерозподілу часток і відповідної зміни характеристик структури.

 

графен; домішка; вузлове розміщення; міграція; протяжні спотворення

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Біографії авторів

А. С. Долгов, Национальный Аэрокосмический Университет им. Н. Е. Жуковского «ХАИ»
с.н.с.
Ю. Л. Жабчик, Национальный Аэрокосмический Университет им. Н. Е. Жуковского «ХАИ»
с.н.с.

Посилання

Старк Дж. Диффузия в твердых телах / Пер. с англ. — М.: «Энергия», 1980. — 239 с.

Бокштейн Б. С. Диффузия в металлах. — М.: «Металлургия», 1978. — 248 с.

Geim A. K., Novoselov K. S. The rise of grapheme // Nat. Mater. — 2007. — Vol. 6, No. 3. — P. 183—191.

Елецкий А. В., Искандарова И. М., Книжник А. А., Красиков Д. Н. Графен: методы получения и теплофизические свойства // УФН. — 2011. — Т. 181, вып. 3. — С. 233 — 268.

Huang B., Li Z. Y., Liu Z. R., Zhou G., Hao S. G., Wu J., Gu B. L., Duan W. H. Adsorption of gas molecules on graphene nanoribbons and its implication for nanoscale molecule sensor // J. Phys. Chem. С. — 2008. — Vol. 112. — P. 13442—13446.

Chen J. H., Jang C., Adam S., Williams E. D., Fuhrer M. S., Ishigami M. Charged­impurity scattering in grapheme // Nat. Phys. — 2008. — Vol. 4, No. 5. — P. 377—381.

Haberer D., Vyalikh D. V., Taioli S., etc. Tunable Band Gap in Hydrogenated QuasiFree­Standing Graphene // Nano Lett. — 2010. — Vol. 10, No. 9. — P. 3360—3366.

Lherbier A., Blase X., Niquet Y.­M., etc. Charge Transport in Chemically Doped 2D Graphene // Phys. Rev. Lett. — 2008. — No. 101. — P. 036808.

Израилева Л. К., Руманов Э. Н. Кинетика процессов в системе «внедренные атомы–кристалл» с учетом протяженных дефектов // Поверхность. Рентген., синхротр. и ней трон. исслед. — 2010. — Вып. 2. — С. 83—84.

Магомедов М. Н. О самодиффузии и поверхностной энергии при сжатии или растяжении кристалла железа // ЖТФ. — 2013. — Т. 83, вып. 3. — С. 71—78.

Долгов А. С., Стеценко Н. В. Кинетика оса ж дения поверхностного моноатомного слоя // Поверхность. — 2012. — Вып. 1. — С. 108—112.

Долгов А. С., Валуйская А. В. Миграция вза имодействующих атомов в поверхностном монослое // ФИП. — 2013. — Т. 11, вып. 2. — С. 144—153.

Долгов А. С., Жабчик Ю. Л. Миграция примесей в двумерной гексагональной структуре при наличии протяженных неоднородностей // ФИП. — 2014. — Т. 12, вып. 1. — С. 57—64.

Долгов А. С., Жабчик Ю. Л. Миграция при месных атомов в структуре графена // Наносистемы, наноматериалы, нанотехнологии. — 2013. — Т. 11, вып. 2. — С. 0281— 0293.

Шкилев В. П. Модель супердиффузии // ЖТЭФ. — 2008. — Т. 134, вып. 11. — С. 1040.

Дворецкая О. А., Кондратенко П. С., Матвеев Л. В. Аномальная диффузия в обобщенной модели Дыхне // ЖЭТФ. — 2010. — Т. 137, вып. 1. — С. 67—76.
Опубліковано
2017-07-05
Як цитувати
Долгов, А. С., & Жабчик, Ю. Л. (2017). Вузлова міграція в двовимірній гексагональній наноструктурі з протяжними спотворюваннями. Журнал фізики та інженерії поверхні, 12(2), 237-245. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8613