Вузлова міграція в двовимірній гексагональній наноструктурі з протяжними спотворюваннями
Ключові слова:
графен, домішка, вузлове розміщення, міграція, протяжні спотворенняАнотація
Вивчається міграція домішкових атомів в двовимірній гексагональної сітці, що моделює графен або споріднені наноструктури. Розглядаються різні варіанти позиціонування суб’єктів міграції, сумісні з гексагональною симетрією матриці. Визначається зміна в часі головних момен тів функцій розподілу в процесі еволюції початкового стану. Встановлено, що залежність від часу середнього квадрата зміщення часток може істотно відхиляться від чисто дифузійних закономірностей, що зближує розглянутий процес з властивостями аномальної дифузії. Показується, що спотворення деформаційної природи ведуть до більш значних якісних змін переносу, ніж порівнювані температурні. При цьому обидві названі форми впливу можуть служити за собом перерозподілу часток і відповідної зміни характеристик структури.
графен; домішка; вузлове розміщення; міграція; протяжні спотворення