Дослідження моделі фотоелектричного перетворювача на основі монокристалічного кремнію за допомогою фото-елекромагнітного та магнітоконцентраційного ефекту
Анотація
У статті показані тенденції розвитку ФЕП, які засновані на підвищенні рівня ККД за рахунок оптимізації конструктивних та фізичних параметрів. Для цих цілей застосовують різні конструкції ФЕП. Існують ФЕП на основі монокристалічного або аморфного Si, органічні, фотохімічні, багатошарові та інші. Багатошарові ФЕП мають високий рівень ККД, але технологічний процес для їхнього виробництва дуже громіздкий. У цій статті розглянуті ФЕП на основі монокристалічного Si, тому що вони досягли великого поширення, показано опис їх структури та принцип дії. Практичне значення роботи полягає в тому, що в роботі зроблено опис фотоелектромагнітного та магнітоконцентраційних ефектів, зроблено опис комп’ютерної моделі ФЕП та розглянуто методи підвищення ККД.
Завантаження
Посилання
Chern Y. F., Dobrovolska M., et al. Interference of electric-dipole and magnetic-dipole interactions in conduction-electron-spin resonance in InSb // Phys. Rev. B. — 1985. — Vol. 32. — P. 890—902.
Ивченко Е. Л., Пикус Ю. Б., Расулов Р. Я. // ФТТ. — 1988. — Т. 30. — С. 99.
Основа солнечных ФЭП / URL: http: // kapsta.at.ua / publ / 9-1-0-10/, 2009.
Раушенбах Г. Справочник по проектированию солнечных батарей / пер. c англ. — М.: Энергоатомиздат, 1983. — 360 с.
Кремний монокристалический / URL http: / www.aviacool.ru / index.php / 2011-01-02-17-00-19. html /, 2011.
Кикоин И. К. Фотоэлектромагнитный эффект // УФН. — 1978. — Т. 124, Вып. 4. — С. 597—617.
Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. — М.: Наука, ГИФМЛ, 1990. — 670 с.
Чернышов Н. Н., Слипченко Н. И., Панченко А. Ю., Фурсова Е. В., Лю Чан. Анализ влияния магнитного поля на физические процессы в фотоэлектрических преобразователях на основе компьютерной модели // Фізична інженерія поверхні. — Х.: НФТЦ. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 82—86.
