Провідність електронного газу, квантованого електромагнітним полем при фотогальванічному ефекті

  • Н. Н. Чернышов Харьковский национальный университет радиоэлектроники
  • Н. И. Слипченко Харьковский национальный университет радиоэлектроники
  • В. М. Писаренко Харьковский национальный университет радиоэлектроники
  • М. Алкхавалдех Харьковский национальный университет радиоэлектроники
  • А. А. Слюсаренко Харьковский национальный университет радиоэлектроники
  • Е. В. Левченко Харьковский национальный университет радиоэлектроники
Ключові слова: електронна система, електромагнітне поле, кінетичне рівняння, функція генератора та розподілу

Анотація

У статті вивчено 2D напівпровідник, що складається з важких дірок та легких електронів. Базовою умовою є те, що електрони квантуються електромагнітним полем, а дірки залишаються класичними. Передбачається, що взаємодія між компонентами слаба або відсутня. Використовується кінетичне рівняння для дірок, які стикаються з квантуючими електронами. Встановлено, що опір та відповідна поправка до розсіювальної провідності σxx не зникають при нульовій температурі через вплив рівнів Ландау. Ця поправка виникає, коли рівень Фермі перетинає рівень Ландау. Знайдені межі застосування кінетичного рівняння і розглянуто явище кінетичної пам’яті, коли частинки багаторазово повертаються до своїх місць зустрічі. 

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Біографії авторів

Н. Н. Чернышов, Харьковский национальный университет радиоэлектроники
Доцент
Н. И. Слипченко, Харьковский национальный университет радиоэлектроники
Проф.
В. М. Писаренко, Харьковский национальный университет радиоэлектроники
Доц.
М. Алкхавалдех, Харьковский национальный университет радиоэлектроники
Асп.
А. А. Слюсаренко, Харьковский национальный университет радиоэлектроники
Асп.
Е. В. Левченко, Харьковский национальный университет радиоэлектроники
Асп.

Посилання

Блох М. Д., Магарилл Л. И. Теория фото¬гальванического эффекта на свободных носителях в магнитном поле // ФТТ. - 1980. - Т. 22, № 8. - С. 2279-2284.

Chern Y. F., Dobrovolska M., et al. Interference of electric-dipole and magnetic-dipole interac¬tions in conduction-electron-spin resonance in InSb // Phys. Rev. B. - 1985. - Vol. 32. - P. 890-902.

Шека В. И., Хазан Л. С. Зависимость интен¬сивности спинового резонанса электрона от импульса фотона // Письма в ЖЭТФ. - 1985. - Т. 41. - С. 61-63.
Опубліковано
2017-02-16
Як цитувати
Чернышов, Н. Н., Слипченко, Н. И., Писаренко, В. М., Алкхавалдех, М., Слюсаренко, А. А., & Левченко, Е. В. (2017). Провідність електронного газу, квантованого електромагнітним полем при фотогальванічному ефекті. Журнал фізики та інженерії поверхні, 1(2), 135-139. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/7905