Photoelectric converter model studing based on monocrystal si using photo-electromagnetic and magneto-concentration effect

  • Н. Н. Чернышов Харьковский национальный университет радиоэлектроники
  • Н. И. Слипченко Харьковский национальный университет радиоэлектроники
  • С. Н. Селевко Харьковский национальный университет радиоэлектроники
  • Р. Я. Умяров Харьковский национальный университет радиоэлектроники
  • Д. Н. Садым Харьковский национальный университет радиоэлектроники
Keywords: charge carriers, electric power, electric field, physical and technical parameters, photoele ctromagnetic effect, magnetoconcentration effect, thermomagnetic effect, monocrystal Si, solar elements

Abstract

The paper shows tendencies of developing photoelectric converters (PEC) which are based on the effi ciency increase due to optimization of both design and physical parameters. Different PEC designs are used for these purposes. There are PECs on the base of both monocrystal and amorphous Si, organic, photochemical and other PECs. Multilayer PECs have a high efficiency, but the technological process of their manufacture is very complex. The paper considers PECs on the base of monocrystal Si, as they are widely used, and shows description of the structure and principle of action of a PEC on the base of monocrystal Si. The practical importance of the paper consists in that fact that it describes pho toelectric magnetic and magneto­concentration effects and PEC computer model as well as it considers methods of efficiency improvement.

 

Downloads

Download data is not yet available.

Author Biographies

Н. Н. Чернышов, Харьковский национальный университет радиоэлектроники
с.н.с.
Н. И. Слипченко, Харьковский национальный университет радиоэлектроники
с.н.с.
С. Н. Селевко, Харьковский национальный университет радиоэлектроники
с.н.с.
Р. Я. Умяров, Харьковский национальный университет радиоэлектроники
с.н.с.
Д. Н. Садым, Харьковский национальный университет радиоэлектроники
с.н.с.

References

Блох М. Д., Магарилл Л. И. Теория фотогальванического эффекта на свободных носителях в магнитном поле // ФТГ. — 1980. — Т. 22, № 8. — С. 2279—2284.

Chern Y. F., Dobrovolska M., et al. Interference of electric-dipole and magnetic-dipole interactions in conduction-electron-spin resonance in InSb // Phys. Rev. B. — 1985. — Vol. 32. — P. 890—902.

Ивченко Е. Л., Пикус Ю. Б., Расулов Р. Я. // ФТТ. — 1988. — Т. 30. — С. 99.

Основа солнечных ФЭП / URL: http: // kapsta.at.ua / publ / 9-1-0-10/, 2009.

Раушенбах Г. Справочник по проектированию солнечных батарей / пер. c англ. — М.: Энергоатомиздат, 1983. — 360 с.

Кремний монокристалический / URL http: / www.aviacool.ru / index.php / 2011-01-02-17-00-19. html /, 2011.

Кикоин И. К. Фотоэлектромагнитный эффект // УФН. — 1978. — Т. 124, Вып. 4. — С. 597—617.

Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. — М.: Наука, ГИФМЛ, 1990. — 670 с.

Чернышов Н. Н., Слипченко Н. И., Панченко А. Ю., Фурсова Е. В., Лю Чан. Анализ влияния магнитного поля на физические процессы в фотоэлектрических преобразователях на основе компьютерной модели // Фізична інженерія поверхні. — Х.: НФТЦ. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 82—86.
Published
2017-03-24
How to Cite
Чернышов, Н. Н., Слипченко, Н. И., Селевко, С. Н., Умяров, Р. Я., & Садым, Д. Н. (2017). Photoelectric converter model studing based on monocrystal si using photo-electromagnetic and magneto-concentration effect. Journal of Surface Physics and Engineering, 12(1), 114-122. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8260