Температурна залежність щільності енергетичних станів у сильному квантуючому магнітному полі
Ключові слова:
циклотронна ефективна маса, рівні Ландау, чисельний експеримент і моделювання
Анотація
Досліджено вплив змінювання циклотронної ефективної маси на температурну залежність густини енергетичних станів у сильному квантуючому магнітному полі. З урахуванням залежності циклотронної ефективної маси від енергії, отримані графіки температурної залежності щільності енергетичних станів у сильному квантуючому магнітному полі. За допомогою запропонованої моделі досліджено вплив циклотронної ефективної маси на температурну залежність густини енергетичних станів у сильному квантуючому магнітному полі. Отримано графіки температурної залежності щільності енергетичних станів у сильному магнітному полі в InAs.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Гулямов Г., Шарибаев Н. Ю., Эркабоев У. И. Влияние эффективной массы плотности состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны в твердых растворах p–Bi2–xSbxTe3–ySey // ФИП. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 195—199.
Gulyamov G., Sharibaev N. Yu., Erkaboev U. I. The temperature dependence of the density of states in semiconductors. // World Journal of Condensed Matter Physics. — 2013. — Vol. 3, No. 4. — P. 216—220.
Gulyamov G., Erkaboev U. I., Sharibaev N. Y. The temperature dependence of the band gap Si. // Physical surface engineering. — 2013. — Vol 11, No. 3. — P. 289—292.
Lin C. Y., Chang S. T., Liu C. W. Hole effective mass in strained Si1–xCx alloys // Journal of applied physics. — 2004. — Vol. 96, No. 9 — P. 5037—5041.
Chuiko G. P., Stepanchikov D. M. Geometrical way of determination of effective masses and densities of states within generalized Kildal’s model // Physics and chemistry of solid state. — 2008. — Vol. 9, No. 2. — P. 312—318.
Зверев Л. П., .Кружаев В. В., Миньков Г. М., Рут О. Э. О возможности использования туннельной спектроскопии для определения энергетической зависимости эффективной массы в полупроводниках // Письма в ЖЭТФ. — 1980. — Т. 31, Вып. 3. — С. 169—172.
Брандт Н. Б., Кульбачинский В. А. Квазичастицы в физике конденсированного состояния. — М.: Физматлит, 2007. — 297 с.
Лифшиц И. М., Гредескул С. А., Пастур Л. А. Введение в теорию неупорядоченных систем. М.: Наука, 1982. — 162 с.
Гулямов Г., Шарибаев Н. Ю. Определение плотности поверхностных состояний границы раздела полупроводник-диэлектрик в МДП структуре // ФТП. — 2011. — Т. 45, Вып 2. — С. 178—182.
Гулямов Г., Каримов И. Н., Шарибаев Н. Ю., Эркабоев У. И. Определение плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик в структурах Al-SiO2-Si и Al-SiO2 -n-Si при низкой температуре // Uzbek Journal of Physics. — 2010. — Vol. 12, No. 3. — P. 143—146.
Цидилковский И. М. Электроны и дырки в полупроводниках. — М.: «Наука», 1972. — 447 с.
Gulyamov G., Sharibaev N. Yu., Erkaboev U. I. The temperature dependence of the density of states in semiconductors. // World Journal of Condensed Matter Physics. — 2013. — Vol. 3, No. 4. — P. 216—220.
Gulyamov G., Erkaboev U. I., Sharibaev N. Y. The temperature dependence of the band gap Si. // Physical surface engineering. — 2013. — Vol 11, No. 3. — P. 289—292.
Lin C. Y., Chang S. T., Liu C. W. Hole effective mass in strained Si1–xCx alloys // Journal of applied physics. — 2004. — Vol. 96, No. 9 — P. 5037—5041.
Chuiko G. P., Stepanchikov D. M. Geometrical way of determination of effective masses and densities of states within generalized Kildal’s model // Physics and chemistry of solid state. — 2008. — Vol. 9, No. 2. — P. 312—318.
Зверев Л. П., .Кружаев В. В., Миньков Г. М., Рут О. Э. О возможности использования туннельной спектроскопии для определения энергетической зависимости эффективной массы в полупроводниках // Письма в ЖЭТФ. — 1980. — Т. 31, Вып. 3. — С. 169—172.
Брандт Н. Б., Кульбачинский В. А. Квазичастицы в физике конденсированного состояния. — М.: Физматлит, 2007. — 297 с.
Лифшиц И. М., Гредескул С. А., Пастур Л. А. Введение в теорию неупорядоченных систем. М.: Наука, 1982. — 162 с.
Гулямов Г., Шарибаев Н. Ю. Определение плотности поверхностных состояний границы раздела полупроводник-диэлектрик в МДП структуре // ФТП. — 2011. — Т. 45, Вып 2. — С. 178—182.
Гулямов Г., Каримов И. Н., Шарибаев Н. Ю., Эркабоев У. И. Определение плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик в структурах Al-SiO2-Si и Al-SiO2 -n-Si
Цидилковский И. М. Электроны и дырки в полупроводниках. — М.: «Наука», 1972. — 447 с.
Опубліковано
2017-03-24
Як цитувати
Гулямов, Г., Шарибаев, Н. Ю., & Эркабоев, У. И. (2017). Температурна залежність щільності енергетичних станів у сильному квантуючому магнітному полі. Журнал фізики та інженерії поверхні, 12(1), 9-13. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8159
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
